磁控共溅射镀膜机的制作方法

文档序号:3270834阅读:406来源:国知局
专利名称:磁控共溅射镀膜机的制作方法
技术领域
本实用新型涉及磁控共溅射镀膜机,属于磁控溅射技术领域。
背景技术
现有的磁控射镀膜机,由于结构性不足,大都只一条生产线上只具有单独的溅射靶对应进行溅射镀膜生,不能实 现多靶切换,不支持连续溅射镀膜生产的作业过程。同时由于射频清洗作业和溅射镀膜作业使用多个射频电源,但实际中射频电源的使用效率较低,进一步增加了设备的实用和维护成本。

实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种磁控共溅射镀膜机,能够实现持连续溅射镀膜生产的作业过程,同时能减低设备的实用和维护成本。本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的磁控共溅射镀膜机,包括机架、真空抽气装置、供气装置、电源装置、温控装置、带有安全保护措施的自动控制系统,它还包括安装在机架上的双室高真空装置和送样片装置,双室高真空装置由左侧的送样室、右侧的磁控溅射室以及连接送样室和磁控溅射室的真空锁组成,送样片装置包括安装在机架上的送取片机构、由驱动气缸带动的机械手、磁控溅射室中的样片顶升机构和可旋转样片台,可旋转样片台位于样片顶升机构上且与机械手相连,磁控溅射室的顶部安装有磁控溅射靶,磁控溅射室的内部还设置有有样片旋转机构以及加热机构,送样室为上开盖结构,送样室的上盖上设置有射频等离子清洗装置,磁控溅射靶与射频等离子清洗装置通过电源切换器与电源装置连接。所述的机架上还安装了自偏压装置和报警装置。所述的真空锁由旋转气缸控制。所述的真空抽气装置由分子泵及真空泵组成。所述的磁控溅射靶的数量至少为两支且均匀分布在磁控溅射室的顶部。所述的电源装置包括直流电源和射频电源。所述的自动控制系统中包含互锁模块、异常断电自动记忆模块以及自动工艺编程校检模块。所述的磁控溅射室上还设置有带挡板的观察窗。本实用新型的有益效果在于(I)送样室上面的射频清洗可以与溅射室共用一个射频电源,同时通过电源切换器可以实现一个电源多用,节约了制造成本;(2)通过真空锁可以实现溅射室始终保持真空状态,从而提高了生产效率,减低了溅射镀膜的工艺时间;
(3)整个生产过程采用全自动控制方式,实现了真空系统自动化以及工艺过程自动化,提高了生产效率;(4)由射频电源以及直流电源可以控制磁控溅射靶进行单独溅射以及共溅射。
图I为本实用新型的结构示意图;图2为本实用新型的俯视示意图。其中,I-机架,2-双室高真空装置,3-送样室,4-磁控溅射室,5-真空锁,6_磁控溅射靶,7-样片旋转机构,8-加热机构,9-上盖,10-样片顶升机构,11-送取片机构,12-机械手,13-射频等离子清洗装置,14-可旋转样片台,15-报警装置,16-自偏压装置,17-观察窗。
具体实施方式
以下结合附图进一步描述本实用新型的技术方案,但要求保护的范围并不局限于所述。 如图I、图2,磁控共溅射镀膜机,包括机架I、真空抽气装置、供气装置、电源装置、温控装置、带有安全保护措施的自动控制系统,它还包括安装在机架I上的双室高真空装置2和送样片装置,双室高真空装置2由左侧的送样室3、右侧的磁控溅射室4以及连接送样室3和磁控溅射室4的真空锁5组成,送样片装置包括安装在机架I上的送取片机构11、由驱动气缸带动的机械手12、磁控溅射室4中的样片顶升机构10和可旋转样片台14,可旋转样片台14位于样片顶升机构10上且与机械手12相连,磁控溅射室4的顶部安装有磁控溅射靶6,磁控溅射室4的内部还设置有有样片旋转机构7以及加热机构8,送样室3为上开盖结构,送样室3的上盖9上设置有射频等离子清洗装置13,磁控溅射靶6与射频等离子清洗装置13通过电源切换器与电源装置连接,进而实现多靶切换。所述的机架I上还安装了自偏压装置16和报警装置15,进而提高沉积速率和预警功能。所述的真空锁5由旋转气缸控制。所述的真空抽气装置由分子泵及真空泵组成。所述的磁控溅射靶6的数量至少为两支且均匀分布在磁控溅射室4的顶部。所述的电源装置包括直流电源和射频电源。所述的自动控制系统中包含互锁模块、异常断电自动记忆模块以及自动工艺编程校检模块。所述的磁控溅射室4上还设置有带挡板的观察窗17,可以保证观察窗17的长时间清洁。供气装置通过质量流量控制器控制进气,射频等离子清洗装置13通过机械手12配合样片顶升机构10通过自动控制程序将样片由送样室3经过真空锁5进入磁控溅射室4,抽气系统将磁控溅射室4抽到高真空状态,通过插板阀控制溅射室的气压,送样室3上面的射频等离子清洗装置13可以与磁控溅射室4共用一个射频电源,节约成本,同时通过电源切换器可以实现一个电源多用,进一步节约制造成本,通过样片顶升机构10可以实现多样片自动连续运动,从而提高生产效率,减低溅射镀膜的工艺时间。设备采用全自动控制方式,从用户将样片送入送样室开始后的样片传送、薄膜生长、直至将样品取回进样送样室的完整工艺过程。由射频电源以及直流电源可以控制磁控溅射靶6进行单独溅射以及共溅射,在保证溅射靶的有效溅射区域的条件下,使主溅射靶的溅射区域最大化,实现了靶材的合理利用,通过调节磁控溅射靶6与样片之间的距离以及角度来保证 样片的均匀性。
权利要求1.磁控共溅射镀膜机,包括机架(I)、真空抽气装置、供气装置、电源装置、温控装置、带有安全保护措施的自动控制系统,其特征在于它还包括安装在机架(I)上的双室高真空装置(2)和送样片装置,双室高真空装置(2)由左侧的送样室(3)、右侧的磁控溅射室(4)以及连接送样室(3)和磁控溅射室(4)的真空锁(5)组成,送样片装置包括安装在机架⑴上的送取片机构(11)、由驱动气缸带动的机械手(12)、磁控溅射室(4)中的样片顶升机构(10)和可旋转样片台(14),可旋转样片台(14)位于样片顶升机构(10)上且与机械手(12)相连,磁控溅射室(4)的顶部安装有磁控溅射靶¢),磁控溅射室(4)的内部还设置有有样片旋转机构(7)以及加热机构(8),送样室(3)为上开盖结构,送样室(3)的上盖(9)上设置有射频等离子清洗装置(13),磁控溅射靶(6)与射频等离子清洗装置(13)通过电源切换器与电源装置连接。
2.根据权利要求I所述的磁控共溅射镀膜机,其特征在于所述的机架(I)上还安装了自偏压装置(16)和报警装置(15)。
3.根据权利要求I所述的磁控共溅射镀膜机,其特征在于所述的真空锁(5)由旋转气缸控制。
4.根据权利要求I所述的磁控共溅射镀膜机,其特征在于所述的真空抽气装置由分子泵及真空泵组成。
5.根据权利要求I所述的磁控共溅射镀膜机,其特征在于所述的磁控溅射靶(6)的数量至少为两支且均匀分布在磁控溅射室(4)的顶部。
6.根据权利要求I所述的磁控共溅射镀膜机,其特征在于所述的电源装置包括直流电源和射频电源。
7.根据权利要求I所述的磁控共溅射镀膜机,其特征在于所述的自动控制系统中包含互锁模块、异常断电自动记忆模块以及自动工艺编程校检模块。
8.根据权利要求I所述的磁控共溅射镀膜机,其特征在于所述的磁控溅射室(4)上还设置有带挡板的观察窗(17)。
专利摘要本实用新型公开了磁控共溅射镀膜机,包括机架、真空抽气装置、供气装置、电源装置、温控装置、带有安全保护措施的自动控制系统,它还包括安装、双室高真空装置和送样片装置,双室高真空装置由送样室、磁控溅射室以及真空锁组成,送样片装置包括送取片机构、机械手、样片顶升机构等。本实用新型的有益效果是可以实现一个电源多用,节约了制造成本;通过真空锁可以实现溅射室始终保持真空状态,从而提高了生产效率,减低了溅射镀膜的工艺时间;整个生产过程采用全自动控制方式,实现了真空系统自动化以及工艺过程自动化,提高了生产效率;由射频电源以及直流电源可以控制磁控溅射靶进行单独溅射以及共溅射。
文档编号C23C14/56GK202688424SQ20122032683
公开日2013年1月23日 申请日期2012年7月9日 优先权日2012年7月9日
发明者梁进智, 陈畑畑 申请人:北京奥依特科技有限责任公司
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