专利名称：半导体制造设备的制作方法
技术领域：
实施例涉及一种半导体制造设备。
背景技术：
图1是常规半导体制造设备的横截面图。参考图1，半导体制造设备100包括源110、反应腔120、晶片载体(或基座)130、旋转轴150、诸如加热器的加热单元160和护罩170。晶片载体130设置在反应腔120内部，并且包括形成在它上部的至少一个贮器(pocket) 140。晶片(未示出)加载于贮器140内，以及旋转轴150与晶片载体130的下部耦合且使晶片载体130旋转。加热单元160将晶片载体130的下部和反应腔120的内部加热到指定温度。护罩170用来从源110向反应腔120供应源材料。通过上述配置，通过引入到反应腔120中的源材料的化学反应，可以在晶片(未示出)的表面上生长半导体薄膜或绝缘膜等。例如，半导体制造设备100利用金属有机化学气相沉积(M0CVD)、分子束外延(MBE)或化学气相沉积(CVD)，可以在晶片的表面上生长诸如氮化镓基半导体发光器件、高电子迁移率晶体管(HEMT )、场效应晶体管(FET )或激光二极管的器件。晶片载体130 可以由碳或氮化铝(AlN)形成，并且晶片载体130的表面和贮器140内接触晶片的晶片载体130的表面可以涂覆有碳化硅(SiC)膜、碳膜或AlN膜。这里，通过用SiC膜或AlN膜涂覆晶片载体130的表面，可以防止由于使用氢氟酸的化学清洗或热清洗而对由碳形成的晶片载体130的损害，并且可以防止特性降低。如上所述，贮器140与半导体制造设备100的晶片载体130的主体一体地形成，并且不与晶片载体130分开。由此，即使多个贮器140中的仅一个损坏，也必需替换整个晶片载体130。此外，位于晶片载体130上的多个贮器140根据贮器140的位置而被加热到不同的温度。尽管如此，由于多个贮器140具有相同的形状，所以根据贮器140的位置，晶片上材料的均匀生长会是不同的。
发明内容
实施例提供了一种半导体制造设备，其可以可拆卸地附着到晶片载体的贮器，并且具有不同的贮器形状。在一个实施例中，半导体制造设备包括至少一个贮器，其上面安装了将要进行沉积的无源对象(passive subject);和载体主体,其具有插入空间，至少一个忙器可拆卸地附着到该插入空间。至少一个贮器可以包括多个贮器，并且多个贮器插入载体主体中的深度可以根据多个贮器而不同或相等。
插入空间可以形成为穿过载体主体的孔形状，或者形成在载体主体的上表面上的沟槽形状。至少一个贮器可以包括:前支撑部，其形成在至少一个贮器的前表面上并且支撑无源对象；以及后耦合部，其形成在至少一个贮器的后表面上并且与载体主体耦合，并且载体主体和后耦合部可以具有彼此对应的形状，以便彼此耦合。前支撑部可以包括:第一内侧表面，其在至少一个贮器被插入到载体主体中的第一方向上延伸；第一内底表面，其在与第一方向不同的第二方向上从第一内侧表面延伸，无源对象的边缘放置在第一内底表面上；以及第二内侧表面，其在第一方向上向第一内底表面延伸。前支撑部可以进一步包括在第二方向上从第二内侧表面延伸的第二内底表面，并且对应于至少一个贮器的底部。第一和第二内底表面中的至少一个可以具有向着无源对象的凸起或凹进形状，或者具有至少一个阶梯部。后耦合部可以包括:第一外侧表面，其在至少一个贮器的与第一内侧表面相反侧上，在第一方向上延伸；第一外底表面，其在至少一个忙器的与第一内底表面相反侧上，在第二方向上从第一外侧表面延伸；以及第二外侧表面，其在至少一个贮器的与第二内侧表面相反侧上，在第一方向上从第一外底表面延伸。后耦合部可以进一步包括在至少一个贮器的与第二内底表面相反侧上在第二方向上从第二外侧表面延伸的第二外底表面。载体主体可以包括:第三内侧表面，其面对第一外侧表面且在第一方向上延伸；第三内底表面，其面对第一外底表面且在第二方向上从第三内侧表面延伸；以及第四内侧表面，其面对第二外侧表面且在第一方向上从第三内底表面延伸。载体主体可以进一步包括第四内底表面，其面对第二外底表面且在第二方向上从第四内侧表面延伸。第四内底表面可以具有向着无源对象的凸起或凹进形状，或者具有至少一个阶梯部。载体主体可以进一步包括与第四内底表面相反的第三外底表面，第三外底表面具有至少一个阶梯部。至少一个贮器可以包 括从第一外底表面向着载体主体的第三内底表面突出的支撑突起；以及载体主体可以包括形成在第三内底表面上的支撑沟槽，使得至少一个贮器的支撑突起可以插入到支撑沟槽中。后耦合部可以具有外侧壁，其提供有形成在其上的外螺纹；载体主体可以具有内侧壁，其提供有形成在其上的内螺纹；以及后耦合部和载体主体可以通过啮合外螺纹和内螺纹来耦合。至少一个刻度标记可以形成在至少一个贮器的上边缘表面上；以及至少一个指示器可以形成在邻近上边缘表面的载体主体的上边缘上。后耦合部可以包括在与至少一个贮器被插入到载体主体中的第一方向不同的第二方向上突出的I禹合突起，以及载体主体可以包括至少一个I禹合沟槽，当在第一方向上按压至少一个贮器时所述至少一个耦合沟槽适合固定耦合突起。此外，至少一个耦合沟槽可以包括通过指定间隔彼此分开的多个耦合沟槽。此外，指示至少一个贮器插入到载体主体的深度的刻度标记可以形成在后耦合部的外侧壁上。
参考下面的附图，可以详细地描述配置和实施例，其中相同的附图标记指示相同的元件，其中:
图1是常规半导体制造设备的横截面图；图2A和2B是根据实施例的晶片载体的平面图；图3是根据一个实施例的沿着在图2A或2B中示例性示出的贮器和载体主体的线A-A'截取的横截面的部分放大图；图4是根据另一个实施例的沿着在图2A或2B中示例性示出的贮器和载体主体的线A-A'截取的部分横截面图；图5是根据再一个实施例的沿着在图2A或2B中示例性示出的贮器和载体主体的线A-A'截取的部分横截面图；图6是根据再一个实施例的沿着在图2A或2B中示例性示出的贮器和载体主体的线A-A'截取的部分横截面图；图7是根据再一个实施例的沿着在图2A或2B中示例性示出的贮器和载体主体的线A-A'截取的部分横截面图；图8是根据再一个实施例的沿着在图2A或2B中示例性示出的贮器和载体主体的线A-A'截取的部分横截面图；图9是根据再一个实施例的沿着在图2A或2B中示例性示出的贮器和载体主体的线A-A'截取的部分横截面图；图10是图9中示例性示出的贮器的示意平面图；以及图11是根据再一个实施例的沿着在图2A或2B中示例性示出的贮器和载体主体的线A-A'截取的部分横截面图。
具体实施例方式在下文中，将参考附图来描述实施例。然而，应该理解，实施例可以进行各种修改，并且该公开的范围不限于下面将要描述的实施例。提供这些实施例，以向本领域的技术人员更全面地描述本公开。应该理解，当元件被称为在另一个元件的“上面”或者“下面”时，其可以直接在元件的上面/下面，并且也可以存在一个或多个中间元件。当元件称为“上面”或“下面”时，基于该元件可以包括“在该元件下面”以及在“该元件上面”。在实施例中，虽然假设安装在贮器上的在其上将要进行沉积的无源对象是晶片，但是可以在贮器上安装具有不同形状的无源对象。图2A和2B是根据实施例的晶片载体(或基座)200A和200B的平面图。如图2A所示的围绕着晶片载体200A的中心布置成一个同心圆线的贮器300或者如图2B所示的围绕着晶片载体200B的中心布置成两个同心圆线的贮器300可以形成在晶片载体200A或200B的载体主体400的表面上。在这些实施例中，晶片载体200A和200B上的贮器300的布置形状、每个贮器300的形状和贮器300的数目不限于此。也就是，贮器300可以在载体主体400上布置成除了一个同心圆线或两个同心圆线之外的形状。此外，根据安装在每个贮器300上的在其上将要进行沉积的无源对象，即，晶片的尺寸或者反应腔的容积，可以在晶片载体200A或200B上布置I到50或者更多贮器300。此外，贮器300可以形成为圆形形状或通过切割圆形形状的一端而获得的平坦结构。轴耦合沟槽(未示出)形成在晶片载体200A或200B的下表面的中心处，并且例如，如图1所示，旋转轴150可以与轴耦合沟槽耦合。也就是，虽然图2A或2B中示例性示出的晶片载体200A或200B可以以与图1所示的晶片载体130相同的方式设置在腔120内部，但是本实施例不限于此。根据实施例，载体主体400具有数目与贮器300的数目相对应的插入空间，并且每个插入空间具有可拆卸地附着于贮器300的结构。在下文中，将参考附图来描述根据实施例的贮器300和载体主体400。图3是根据一个实施例的沿着图2A或2B中示例性示出的贮器300和载体主体400的线A-A'截取的横截面的部分放大图。参考图3，根据本实施例的贮器300包括前支撑部310和后耦合部320。前支撑部310用来支撑晶片500，并且包括第一内侧表面312、第一内底表面314、第二内侧表面316和第二内底表面318。第一内侧表面312在贮器300被插入到载体主体400中的第一方向上延伸。第一内底表面314在与第一方向不同的第二方向上从第一内侧表面312延伸，并且晶片500的边缘502放置在第一内底表面314上。当晶片500在箭头602方向上安装在贮器300上时，晶片500的边缘502可以放置在第一内底表面314上，并且晶片500的前端504和第一内侧表面312之间的分离距离dl可以是“O”或更大。这里，第一方向和第二方向可以彼此垂直。第二内侧表面316在第三方向上从第一内底表面314延伸。虽然第三方向可以与第一方向相同，但是本公开不限于此。
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第二内侧表面318在第四方向上从第二内侧表面316延伸，且对应于贮器300的底部。虽然第四方向可以与第二方向相同，但是本公开不限于此。此外，虽然在图中没有示出，但是晶片载体可以进一步包括:固定晶片500和贮器300的第一固定部(未不出)、固定忙器300和载体主体400的第二固定部(未不出)、或同时固定晶片500、贮器300和载体主体400的第三固定部(未示出)。图4至9和图11是根据其它实施例的沿着图2A或2B中示例性示出的贮器300和载体主体400的线A-A'截取的部分横截面图。根据其它实施例，可以省略图3中示例性示出的第二内底表面318。也就是，如图4或8示例性所示，贮器300可以形成为不具有底的孔形状。此外,第一和第二内底表面314和318中的至少一个可以具有向着晶片500的凹进或凸出形状。例如，第二内底表面318可以具有向着晶片500的凸起形状，如图5示例性所示，或者具有向着晶片500的凹进形状,如图6示例性所示。此外，第一和第二内底表面314和318中的至少一个可以具有至少一个阶梯部。例如，如果沟槽340形成在第二内底表面318的边缘上，如图7示例性所示，则第二内底表面318的边缘的底表面342与第二内底表面318的中心具有阶梯差。此外，第一和第二内底表面314和318中的至少一个可以具有倾斜形状。第一和第二内底表面314和318中的至少一个的形状不同的原因是为了在晶片500的生长期间，例如，当通过图1示例性示出的加热单元160加热晶片500时，使晶片500的边缘和中心的不同温度一致。参考图3，贮器300的后耦合部320与贮器300的后表面上的载体主体400耦合。为此，后耦合部320和载体主体400具有彼此对应的形状，以便彼此耦合。根据一个实施例,后稱合部320包括第一外侧表面322、第一外底表面324、第二外侧表面326和第二外底表面328。在忙器300的与第一内侧表面312相反侧上,第一外侧表面322在第五方向上延伸。虽然第五方向可以与第一方向相同，但是本公开不限于此。在忙器300的与第一内底表面314相反侧上,第一外底表面324在与第五方向不同的第六方向上从第一外侧表面322延伸。虽然第六方向可以与第二方向相同，但是本公开不限于此。在贮器300的与第二内侧表面316相反侧上，第二外侧表面326在第七方向上从第一外底表面324延伸。虽然第七方向可以与第一方向相同,但是本公开不限于此。在贮器300的与第二内底表面318相反侧上，第二外底表面328在第八方向上从第二外侧表面326延伸。虽然第八方向可以与第二方向相同，但是本公开不限于此。如果从前支撑部310省略了第二内底表面318，也可以从后耦合部320省略第二外底表面328,如图4或8示例性示出。参考图3，载体主体400可以包括第三内侧表面412、第三内底表面414、第四内侧表面416、第四内底表面420和第三外底表面440。第三内侧表面412面对第一外侧表面322,并且在第九方向上延伸。虽然第九方向可以是第一方向，但是本公开不限于此。第三内底表面414面对第一外底表面324,并且在第十方向上从第三内侧表面412延伸。虽然第十方向可以是第二方向，但是本公开不限于此。第四内侧表面416面对第二外侧表面326,并且在第^ 方向上从第三内底表面414延伸。虽然第十一方向可以是第一方向，但是本公开不限于此。例如，当通过在箭头604的方向上向载体主体400按压贮器300将贮器300插入到载体主体400的插入空间402中时，第三内侧表面412和第一外侧表面322之间的分离距离d2可以是“O”或更大，并且第四内侧表面416和第二外侧表面326之间的分离距离d3可以是“O”或更大。第四内底表面420面对第二外底表面328，并且在第十二方向上从第四内侧表面416延伸。虽然第十二方向可以是第二方向，但是本公开不限于此。第三和第四内底表面414和420中的至少一个具有平坦形状，如图3示例性示出，具有凸起形状或凹进形状，或者具有至少一个阶梯部。例如，第四内底表面420可以具有朝着晶片500的凸起形状，如图4示例性示出。另外，与图3和4不同，第四内底表面420可以具有朝着晶片500的凹进形状。此外，第三外底表面440可以位于晶片主体400的与第四内底表面420相反侧处，并且具有至少一个阶梯部。例如，第三外底表面440可以具有阶梯部，如图6示例性示出。此外，插入了上述贮器300的空间402可以形成为在载体主体400的上表面上形成的沟槽的形状。在这种情况下， 载体主体400具有第四内底表面420和第三外底表面440，如图3、4或6示例性所示。然而，插入空间402可以形成为穿过载体主体400的孔形状。在这种情况下，从载体主体400省略了第四内底表面420和第三外底表面440，如图5、7、8、9或11示例性所示。
载体主体400的第三内底表面414、第四内底表面420和第三外底表面440中的至少一个的形状不同的原因是:在晶片500的生长期间，例如，当通过图1示例性示出的加热单元160加热晶片500时，使晶片500的边缘和中心的不同温度一致。此外，第二外侧表面326的第一高度hi可以是“O”或更大。如果第一高度hi是“O”或更大，则晶片500放置在第一和第二内底表面314和318上。此外，第二外侧表面326的第一高度hi可以等于或小于第四内侧表面416的第二高度h2。例如，由于第一高度hi变得逐渐小于第二高度h2，所以贮器300中心周围的温度，而不是贮器300的边缘相对降低。这样的原因是:载体主体400和贮器300的中心彼此相对的区域的面积小于载体主体400和贮器300的边缘彼此相对的区域的面积，并且由此与贮器300的边缘相比，较少量的热从载体主体400传送到贮器300的中心。此外，第一外侧表面322的第三高度h3和第三内侧表面412的第四高度h4可以相等或不同。此外，如果晶片载体200A或200B具有多个贮器300，如图2A或2B示例性所示，多个贮器300进入到载体主体400的插入深度可以相等或不同。也就是，第一高度hi和第二高度h2之间的差Λ hi以及第三高度h3和第四高度h4之间的差Λ h2中的至少一个可以根据多个贮器300而一致或不同。第一至第四高度hi至h4不同的原因是:在晶片500的生长期间，例如，当通过图1示例性所示的加热单元160加热晶片500时，使晶片500的边缘和中心的不同温度一致。此外，通过调节图3中示例性示出的贮器300的底部的厚度tl和载体主体400的底部的厚度t2，可以补偿晶片500的边缘和中心之间的温度差。也就是，如果根据贮器300的边缘和中心来改变贮器300的底部的厚度tl，如图5、6或7示例性所示，则晶片500的边缘的温度和晶片500的中心的温度 可以变得一致。另外，如果根据载体主体400的边缘和中心来改变载体主体400的底部的厚度t2，如图4或6示例性所示，则晶片500的边缘的温度和晶片500的中心的温度可以变得一致。当在上述贮器300与载体主体400耦合之后旋转晶片载体200A或200B时，会通过离心力使贮器300与载体主体400分离。为了防止这种问题，贮器300可以进一步包括支撑突起，并且载体主体400可以进一步包括支撑沟槽。根据一个实施例，如图8示例性所示，贮器300的支撑突起330可以从第一外底表面324向着载体主体400的第三内底表面414突出。在这种情况下，支撑沟槽430可以形成在第三内底表面414上，使得贮器300的支撑突起330可以插入到支撑沟槽430中。通过将支撑突起330插入到支撑沟槽430中，如上所述，贮器300可以与载体主体400可靠地固定，即使在晶体载体200A或200B旋转时产生离心力，也没有与载体主体400分离或形成间隙。根据其它实施例，虽然没有在图中示出，但贮器300的支撑突起(未示出)可以从第一外侧表面322向着载体主体400的第三内侧表面412突起。在这种情况下，支撑沟槽(未示出)可以形成在第三内侧表面412上，使得贮器300的支撑突起(未示出)可以插入到支撑沟槽(未示出)中。在图3至8示例性示出的上述实施例中，后耦合部320和载体主体400的内侧壁410可以通过其弯曲的形状来彼此耦合。然而，本公开不限于此，以及贮器300可以以各种形状而可拆卸地附着到载体主体400。根据一个实施例，圆形贮器300的外侧壁可以具有外螺纹形状，并且载体主体400的内侧壁可以具有内螺纹形状。例如，参考图9，贮器300的后耦合部350具有外侧壁352，所述外侧壁352提供有在其上形成的外螺纹，并且载体主体400具有内侧壁450，所述内侧壁450提供有在其上形成的内螺纹。因此，后耦合部350的外侧壁352和载体主体400的内侧壁450可以通过外螺纹和内螺纹之间的连接来耦合。此外，后耦合部350的外侧壁352和载体主体400的内侧壁450不限于上述的螺纹形状。例如，外侧壁352和内侧壁450可以具有不同形状，诸如右手螺纹和左手螺纹。图10是图9中示例性示出的贮器300的示意平面图。参考图10，至少一个刻度标记302可以形成在贮器300的上边缘表面311上，并且至少一个指示器402可以形成在与贮器300的上边缘表面311相邻的载体主体400的上边缘上。因此，当外螺纹形状的贮器300以顺时针或逆时针方向旋转并插入到内螺纹形状的载体主体400时，贮器300的旋转度，即，贮器300进入到载体主体400中的插入深度可以通过观察基于指示器402的刻度标记302来估计。为此，可以在刻度标记302中的一个处表示数字“O”。参考图11，贮器300的后耦合部可以具有耦合突起360，并且载体主体400可以具有至少一个耦合沟槽460。因此，当至少一个贮器300在第一方向上被按压时，至少一个贮器300可以通过将耦合突起360固定到至少一个耦合沟槽460而与载体主体400耦合。贮器300的耦合突起360在与在贮器300插入到载体主体400的第一方向不同的第二方向上突出。至少一个耦合沟槽460具有固定耦合突起360的适当形状，并且形成在载体主体400的内侧壁上。例如，至少一个耦合沟槽460可以是由指定间隔而彼此分开的多个耦合沟槽。在图11的情况下，第一至第三耦合沟槽462、464和466以指定间隔形成。这里，用于测量贮器300插入到载体主体400内的深度的刻度标记370可以形成在贮器300的后耦合部的外侧壁上。也就是，通过当耦合突起360插入到位于载体主体400的内侧壁最上端处的第一耦合沟槽462中时暴露尺度标记370的数字、当耦合突起360插入到位于第一耦合沟槽462下方的第二耦合沟槽464时暴露刻度标记的数字、以及当耦合突起360插入到位于第二耦合沟槽464下方的第三耦合沟槽466中时暴露的刻度标记370的数字，可以估计插入了耦合突起360的第一至第三耦合沟槽462、464和466中的哪个耦合沟槽。通过上述描述显而易见的是，根据一个实施例的半导体制造设备可以与晶体载体附着和分离贮器，并且如果贮器被损坏，则损坏的贮器可以单独被替换，而不用替换包含损坏的贮器的整个晶片载体，由此缩短了处理时间并且降低了处理费用。此外，根据晶片载体上的贮器的位置，半导体制造设备允许贮器具有不同结构，使得在不考虑贮器的位置的情况下在晶片的表面上可以实现材料的均匀生长。虽然参 考多个示例性实施例已经描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以设计许多其它修改和实施例，这将落入在本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，在组件部分和/或对象组合布置的布置中，可以进行各种变化和修改。对于本领域的技术人员而言，除了组件部分和/或布置中的变化和修改之外，替选使用也将是明 显的。
权利要求
1.一种半导体制造设备，包括 至少一个贮器，在所述至少一个贮器上安装有将要在其上进行沉积的无源对象；以及 载体主体，其具有插入空间，所述至少一个贮器可拆卸地附着到所述插入空间。
2.根据权利要求I所述的半导体制造设备，其中，所述至少一个贮器包括多个贮器，以及所述多个贮器插入到所述载体主体中的深度根据所述多个贮器是不同的。
3.根据权利要求I所述的半导体制造设备，其中，所述至少一个贮器包括多个贮器，以及所述多个贮器插入到所述载体主体中的深度根据所述多个贮器是相等的。
4.根据权利要求I所述的半导体制造设备，其中，所述插入空间被形成为穿过所述载体主体的孔形状。
5.根据权利要求I所述的半导体制造设备，其中，所述插入空间被形成为在所述载体主体的上表面上形成的沟槽的形状。
6.根据权利要求I所述的半导体制造设备，其中，所述至少一个贮器包括 前支撑部，所述前支撑部被形成在所述至少一个贮器的前表面上并且支撑所述无源对象；以及 后耦合部，所述后耦合部被形成在所述至少一个贮器的后表面上并且与所述载体主体耦合， 其中，所述载体主体和所述后耦合部具有彼此对应的形状，以便彼此耦合。
7.根据权利要求6所述的半导体制造设备，其中，所述前支撑部包括 第一内侧表面，所述第一内侧表面在所述至少一个贮器插入到所述载体主体中的第一方向上延伸； 第一内底表面，所述第一内底表面在与所述第一方向不同的第二方向上从所述第一内侧表面延伸，所述无源对象的边缘放置在所述第一内底表面上；以及 第二内侧表面，所述第二内侧表面在所述第一方向上从所述第一内底表面延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其中，所述前支撑部进一步包括第二内底表面，所述第二内底表面在所述第二方向上从所述第二内侧表面延伸，并且对应于所述至少一个忙器的底部。
9.根据权利要求7或8所述的半导体制造设备，其中，所述第一和第二内底表面中的至少一个具有向着所述无源对象的凸起形状。
10.根据权利要求7或8所述的半导体制造设备，其中，所述第一和第二内底表面中的至少一个具有向着所述无源对象的凹进形状。
11.根据权利要求7或8所述的半导体制造设备，其中，所述第一和第二内底表面中的至少一个具有至少一个阶梯部。
12.根据权利要求7或8所述的半导体制造设备，其中，所述后耦合部包括 第一外侧表面，所述第一外侧表面在所述至少一个贮器的与所述第一内侧表面相反侧上、在所述第一方向上延伸； 第一外底表面，所述第一外底表面在所述至少一个贮器的与所述第一内底表面相反侧上、在所述第二方向上从所述第一外侧表面延伸；以及 第二外侧表面，所述第二外侧表面在所述至少一个贮器的与所述第二内侧表面相反侧上、在所述第一方向上从所述第一外底表面延伸。
13.根据权利要求12所述的半导体制造设备，其中，所述后耦合部进一步包括第二外底表面，所述第二外底表面在所述至少一个贮器的与所述第二内底表面相反侧上、在所述第二方向上从所述第二外侧表面延伸。
14.根据权利要求13所述的半导体制造设备，其中，所述载体主体包括 第三内侧表面，所述第三内侧表面面对所述第一外侧表面且在所述第一方向上延伸； 第三内底表面，所述第三内底表面面对所述第一外底表面并且在所述第二方向上从所述第三内侧表面延伸；以及 第四内侧表面，所述第四内侧表面面对所述第二外侧表面并且在所述第一方向上从所述第三内底表面延伸。
15.根据权利要求14所述的半导体制造设备，其中，所述载体主体进一步包括第四内底表面，所述第四内底表面面对所述第二外底表面并且在所述第二方向上从所述第四内侧表面延伸。
16.根据权利要求15所述的半导体制造设备，其中，所述第四内底表面具有向着所述无源对象的凸起形状。
17.根据权利要求15所述的半导体制造设备，其中，所述第四内底表面具有向着所述无源对象的凹进形状。
18.根据权利要求15所述的半导体制造设备，其中，所述第四内底表面具有至少一个阶梯部。
19.根据权利要求15所述的半导体制造设备，其中，所述载体主体进一步包括与所述第四内底表面相反的第三外底表面，所述第三外底表面具有至少一个阶梯部。
20.根据权利要求14所述的半导体制造设备，其中 所述至少一个贮器包括从所述第一外底表面向着所述载体主体的第三内底表面突出的支撑突起；以及 所述载体主体包括形成在所述第三内底表面上的支撑沟槽，所述至少一个贮器的支撑突起插入到所述支撑沟槽中。
21.根据权利要求7或8所述的半导体制造设备，其中 所述后耦合部具有外侧壁，所述外侧壁提供有形成在其上的外螺纹； 所述载体主体具有内侧壁，所述内侧壁提供有形成在其上的内螺纹；以及 所述后耦合部和所述载体主体通过啮合所述外螺纹和所述内螺纹而耦合。
22.根据权利要求21所述的半导体制造设备，其中 所述至少一个刻度标记被形成在所述至少一个贮器的上边缘表面上；以及 所述至少一个指示器被形成在邻近所述上边缘表面的载体主体的上边缘上。
23.根据权利要求6至8中任一个所述的半导体制造设备，其中 所述后耦合部包括在与所述至少一个贮器插入到所述载体主体的第一方向不同的第~■方向上关出的f禹合关起；以及 所述载体主体包括至少一个耦合沟槽，当在所述第一方向上按压所述至少一个贮器时所述至少一个耦合沟槽适合固定所述耦合突起。
24.根据权利要求23所述的半导体制造设备，其中，所述至少一个耦合沟槽包括通过指定间隔而彼此分开的多个耦合沟槽。
25.根据权利要求23所述的半导体制造设备，其中，指示所述至少一个贮器插入到所述载体主体的深度的刻度标记被形成在所述后耦合部的外侧壁上。
全文摘要
公开了一种半导体制造设备，包括至少一个贮器，在其上安装有将要在其上进行沉积的无源对象；以及载体主体，其具有插入空间，至少一个贮器可拆卸地附着到该插入空间。因此，该半导体制造设备缩短了处理时间并且降低了处理费用。半导体制造设备允许各个贮器根据晶片载体上的贮器的位置而具有不同的结构，并且因此在不考虑贮器的位置的情况下在晶片的表面上实现材料的均匀生长。
文档编号C23C16/458GK103255393SQ20131005262
公开日2013年8月21日 申请日期2013年2月18日 优先权日2012年2月16日
发明者成基范, 李朝永, 金湾中, 安昌根, 金廷炫 申请人:Lg伊诺特有限公司