一种用于mocvd反应器的支撑轴及mocvd反应器的制造方法

文档序号:3290789阅读:239来源:国知局
一种用于mocvd反应器的支撑轴及mocvd反应器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种用于MOCVD反应器的支撑轴及MOCVD反应器。为了克服现有的支撑轴导热系数大,载片盘往支撑轴传热量大,导致内圈加热器的功率利用率低,内圈加热的表面载荷高、支撑轴下方的冷却需求高的问题,所述用于MOCVD反应器的支撑轴包括用于支撑轴底部、支撑轴中部和支撑轴顶部;所述支撑轴顶部、支撑轴中部和支撑轴底部之间固定相连,且支撑轴底部、支撑轴中部和支撑轴底部之间连通有过气通道;所述支撑轴顶部呈锥台形,该支撑轴顶部装有连接环,连接环顶部装有固定盖板,所述固定盖板顶部装有隔热盖板。本发明提高了内圈加热器的使用寿命,延长了设备正常工作时长,并且减少了整机功率,提升了节能效果。
【专利说明】—种用于MOCVD反应器的支撑轴及MOCVD反应器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于MOCVD反应器的支撑轴及MOCVD反应器,特别涉及一种用于金属有机化学气相沉积反应器的旋转支撑轴及晶片载盘。
【背景技术】
[0002]MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)设备,即金属有机物化学气相沉积设备,其使含有II族或III族元素的金属有机物源(MO源)与含有VI族或V族元素的气体源在严格控制的条件下在晶片上反应,生长得到所需要的薄膜材料。
[0003]温度场是MOCVD中需要控制的关键参数之一,因为在不同温度下参与反应的各材料的裂解效率不同,由于在高温条件下MOCVD成膜反应的速度很快,因此载片盘上晶片各处反应材料的裂解效率不同将导致载片盘上晶片各处成膜的厚度、薄膜的组分出现不同,从而使沉积薄膜的质量下降。
[0004]为了使载片盘上晶片各处的温度一致,目前普遍采用的一种设计方式如图1所示,反应气体从气体接口 12接入喷淋头I中,反应气体经过喷淋头的分配后进入反应腔11内。晶片10放置在晶片载盘9上,晶片载盘正下方为分段的加热装置2、3、4,为了节约能量加热装置下方还分布有隔热屏8。为了使载片盘表面温度均匀,放置载片盘的轴6还会带动载片盘旋转,以便使载片盘进一步均匀受热。加热装置示意图如图2所示,其中中圈加热器起主要加热作用,晶片一般放置在此区域,内圈主要起补偿晶片载盘支撑轴传导所散失的热量,外圈主要起补偿晶片载盘边缘由于额外热辐射及对流散失的热量。
[0005]当前使用的晶片载盘及支撑轴主要存在以下缺陷:1.支撑轴导热快,因此其散热量大,为了补偿所散失的热量,内圈加热器的加热功率很大,加热器的表面载荷大,导致内圈加热器容易损坏,不利于设备的长期稳定工作。2.由于支撑轴温度较高,而轴下方的密封装置不能受高温,因此,对 冷 却要求高。3.内圈加热器功率大,下方的冷却需要的功率也较大,对能源消耗大,不节能。

【发明内容】

[0006]为了克服现有的支撑轴导热系数大,载片盘往支撑轴传热量大,导致内圈加热器的功率利用率低,内圈加热的表面载荷高、支撑轴下方的冷却需求高的不足,本发明旨在提供一种用于MOCVD反应器的支撑轴及MOCVD反应器,该支撑轴及MOCVD反应器提高了内圈加热器的使用寿命,延长了设备正常工作时长,并且减少了整机功率,提升了节能效果。
[0007]为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:
一种用于MOCVD反应器的支撑轴,其结构特点是,包括用于与旋转驱动机构相连的支撑轴底部,由至少一个隔热套构成的支撑轴中部,以及用于与晶片载盘耦合的支撑轴顶部;所述支撑轴顶部、支撑轴中部和支撑轴底部之间固定相连,且支撑轴底部、支撑轴中部和支撑轴底部之间连通有过气通道;所述支撑轴顶部呈锥台形,该支撑轴顶部装有连接环,连接环顶部装有固定盖板,所述固定盖板顶部装有隔热盖板。[0008]各部件的连接部分全部设计成具有自动对中能力的锥面,保证了装配后旋转支撑轴底部与锥形顶部的同心度。
[0009]以下为本发明的进一步改进的技术方案:
进一步地,所述隔热套的数量为广20个;当隔热套为多个时,相邻两个隔热套之间设有加强套,该加强套设有中心孔。
[0010]所述支撑轴顶部内设有沉孔,所述支撑轴中部开有孔,所述支撑轴底部均开有螺纹盲孔;所述支撑轴顶部、支撑轴中部和支撑轴底部之间通过紧固螺钉或螺栓固定相连,其中紧固螺钉或螺栓的螺钉头或螺栓头位于支撑轴顶部的沉孔内,穿过支撑轴中部的孔的紧固螺钉或螺栓的螺杆位于所述螺纹盲孔内;所述紧固螺钉或螺栓沿其轴线开有贯通紧固螺钉或螺栓上下表面的通气孔;所述紧固螺钉或螺栓的底部通过一通气小孔与支撑轴底部外表面连通。旋转支撑轴各部分叠加装配在一起后采用螺钉进行紧固,以保证选装支撑轴的可靠性。
[0011]所述支撑轴顶部的沉孔的底端面与所述螺钉头或螺栓头之间装有隔热垫和加热垫。
[0012]所述加强垫呈圆锥形,其锥面大端与隔热垫贴合、锥面小端与螺钉头或螺栓头贴
口 ο
[0013]所述连接环与固定盖板为螺纹连接。
[0014]所述紧固螺钉或螺栓顶部设有位于所述支撑轴顶部的沉孔内的隔热罩,该隔热罩上开有贯穿隔热罩上下表面的通气孔;所述紧固螺钉或螺栓的通气孔与隔热罩的通气孔连通。
[0015]所述固定盖板与隔热盖板之间具有间隙。
[0016]所述固定盖板顶面具有至少三个突起,所述隔热盖板置于至少三个突起上。
[0017]所述加强套由难熔金属或陶瓷制成;所述难熔金属优选为金属钨、钥;所述陶瓷优选为氧化铝陶瓷。
[0018]所述紧固螺钉或螺栓由难熔金属制成。
[0019]所述连接环包括内环和外环,以及设置在内环与外环之间的连接件。
[0020]所述连接件为有陶瓷材料制成的辐板或辐条。
[0021]一种MOCVD反应器,包括旋转支撑轴和装在旋转支撑轴顶端的晶片载盘,位于晶片载盘上方的喷淋头;其结构特点是,所述晶片载盘包括晶片载盘盘体,设置在晶片载盘盘体轴心位置的通孔,该通孔的上部为设置在晶片载盘盘体上表面轴心位置的沉孔,该通孔的下部为锥形孔;所述旋转支撑轴为上述的支撑轴,所述隔热盖板和固定盖板位于该晶片载盘盘体的沉孔内,所述连接环的外表面位于所述通孔的锥形孔内;所述固定盖板和连接环之间为螺纹连接。
[0022]由此,为了增强隔热效果,还设计了与支撑轴耦合部分带有隔热设计的晶片载盘,进一步减少晶片载盘从旋转支撑轴上散失的热量。
[0023]以下对本发明做进一步详细的描述。
[0024]本发明所述的旋转支撑轴采用分段式设计,支撑轴底部601与旋转驱动机构相连,支撑轴中间部分为陶瓷隔热套606,顶部为与晶片载盘9耦合的顶部605。旋转支撑轴各部分叠加装配在一起后采用螺钉602进行紧固,以保证旋转支撑轴的可靠性。为了增强隔热效果,还设计了中间部分采用隔热设计的晶片载盘9,该晶片载盘盘体部分904为由石墨或难熔金属制成,盘体中间靠近支撑轴的平面上分布有一定位锥形孔905。在定位锥形孔905中安装有与旋转支撑轴连接的连接环901,该连接环901与固定盖板902以螺纹连接的方式与晶片载盘盘体904连接在一起,在固定盖板902上方还覆盖有一隔热盖板903。
[0025]所述各部件的耦合连接面采用具有自动对中能力的圆形锥面,以保证各部分的同;L.、度。
[0026]所述隔热套606的数量可以根据隔热效果的需要进行选择,其数量范围为广20个。所述隔热套606之间安装有加强套603,制作加强套603的材料为难熔金属或强度较高的陶瓷,如金属钨、钥、氧化铝等。
[0027]所述紧固螺钉或螺栓602上分布有贯穿其上下表面的通气孔611,该紧固螺钉或螺栓602由难熔金属制成,如钨、钥。
[0028]所述螺钉头或螺栓头613与旋转支撑轴顶部605之间分布有隔热垫610及加强垫609。所述加强垫609的外形为圆锥形,其锥面大端与隔热垫610相结合、小锥面与螺钉头或螺栓头613相结合。
[0029]所述旋转支撑轴底部部分601的上方分布有一锥形盲孔,在盲孔的底部分布有一螺纹盲孔615,在螺纹盲孔615底部还分布有一通气小孔607与旋转轴底部的外表面相接。
[0030]所述螺钉头或螺栓头上方还分布有隔热罩604,该隔热罩604上分布有贯穿其上下表面的通气孔608。所述隔热罩604、隔热套606、隔热垫610采用具有隔热效果的陶瓷或其他隔热材料制成,如孔隙率为50%的氧化铝。
[0031]所述在固定盖板902的上表面上分布有若干圆形小突起910,突起910的数量大于等于3,若干小突起910在固定.盖板902上表面上绕固定盖板902轴心均匀分布。
[0032]所述隔热盖板903放置在固定盖板902上表面的小突起910上,所述固定盖板902与隔热盖板903之间有微小隔热间隙911。
[0033]所述隔热盖板903的上表面与晶片载盘904的上表面平齐。
[0034]所述连接环901由内外两层构成,分别与顶部605及晶片载盘盘体904相耦合,所述连接环901的内外两层可以由辐板或辐条连接成为一个整体,也可以由隔热材料连接成为一个整体,该隔热材料可以为一种或几种,以间隔形式分布。
[0035]所述连接环901的上部还分有一螺纹面908,对应的是,所述固定盖板902的下部为一圆筒形结构,在圆筒形结构的内表面909上分布有螺纹,
所述晶片载盘盘体904的轴心位置分布有一通孔906,通孔靠近放置晶片的一面分布有一沉孔907,通孔在靠近与放置晶片表面相对的表面上分布有一圆形锥孔905。
[0036]本发明所述之旋转支撑轴底部采用难熔金属或强度较高的陶瓷或以镶嵌的形式由陶瓷与金属混合制成。旋转支撑轴底部的下方还设计有冷却结构以确保旋转支撑轴的密封部位处于较低的温度。旋转支撑轴底部部分的上方还分布有一锥形盲孔,在盲孔的底部分布有一螺纹盲孔,在螺纹盲孔底部有一通气小孔与旋转轴底部的外表面相接。
[0037]本发明所述之旋转支撑轴隔热套为由具有隔热效果的陶瓷制成,如孔隙率为50%的氧化铝。旋转支撑轴隔热套中间分布有圆形通孔,优选地,圆形通孔直径比紧固所用螺钉的直径大0.5?2_。根据需要可以采用多块陶瓷隔热体以增强隔热效果,各陶瓷隔热体之间为能耐高温金属或陶瓷制成的强度较高的加强环,以免陶瓷由于应力出现裂缝。[0038]作为一种优选方案,所述旋转支撑轴隔热套与其他零件的连接面为圆形锥面。
[0039]作为一种优选方案,所述加强环与其他零件的连接面为圆形锥面。
[0040]作为一种优选方案,上述各零件的圆形锥面紧密贴合。
[0041]本发明所述之旋转支撑轴顶端为由难熔金属或强度较大的陶瓷材料制成,其下端面与隔热耦合,上表面与晶片载盘的支撑环相耦合。在旋转支撑轴顶端的轴心位置还分布有带沉孔的通孔。
[0042]作为一种优选方案,所述通孔及沉孔都为圆形。
[0043]本发明所述之旋转支撑轴紧固所用螺钉由难熔金属制成,螺钉上还分布有一贯穿其底面与端面的小通孔。在螺钉与旋转支撑轴顶部之间安装有隔热套环及垫片。所述隔热套环由隔热材料制成,垫片由难熔金属或强度较高的陶瓷制成。在所述螺钉头或螺栓头的上方,还安装有一隔热塞子,所述隔热塞子一端分布有一圆形盲孔,安装时有盲孔一端与螺钉头或螺栓头相对,平面与晶片载盘相对。
[0044]作为一种优选方案,所述隔热套环为圆筒形,垫片外形为锥形圆台状,垫片较大的一端与隔热套环相接,较小的一端与螺钉头或螺栓头相接。
[0045]作为一种优选方案,所述隔热套筒及隔热塞子柱形外表面分布有小突起。
[0046]本发明所述之采用隔热设计的晶片载盘可分为两部分,一部分为放置晶片的盘体部分,另一部分为与旋转支撑轴相耦合的连接部分,这两部分通过锥孔耦合。所述放置晶片的盘体部分由耐高温材料制成,如石墨、SiC、钨、钥等。所述晶片载盘的连接部分由难熔金属、金属混合物或强度较高的陶瓷制成。
[0047]作为一种优 选方案,晶片载盘盘体与晶片载盘的连接部分通过圆形锥面相耦合。
[0048]根据本发明的实施例,本发明所述之连接部分由三部分组成,分别为:连接环、固定盖板、隔热盖板。
[0049]根据本发明的实施例,连接环采用内外双圆环形的结构,此内外双圆环通过辐片或小轴连接成为一个整体。固定盖板通过螺纹连接将晶片载盘的盘体固定在连接环上。
[0050]根据本发明的实施例,隔热盖板位于固定盖板之上,隔热盖板的材料为蓝宝石、SiC等难熔材料。
[0051]作为一种优选方案,本发明所述之隔热盖板上表面与晶片载盘盘体的上表面平齐。
[0052]与现有技术相比,本发明的有益效果是:采用本发明的实施实例之后,MOCVD反应室中载片盘通过旋转支撑轴传导的热量大大减少,从而能够更容易的在晶片载盘表面形成均匀热场。并且通过旋转支撑轴散失的热量降低后,对加热装置内圈的加热功率要求大幅减少,从而降低加热装置内圈的表面载荷,提高内圈的使用寿命。旋转支撑轴采用隔热式的设计后,旋转支撑轴下部温度也将下降,从而降低支撑轴下部的冷却要求,相应的冷却结构设计也可以得到一定的简化。加热功率及冷却要求的降低也将进一步降低MOCVD设备的能耗,为节能减排做出贡献。
[0053]以下结合附图和实施例对本发明作进一步阐述。
【专利附图】

【附图说明】
[0054]图1为一种现有广泛使用的MOCVD反应器的结构示意图;图2为目前广泛使用的MOCVD反应器的一种加热器结构示意图;
图3为本发明一种实施实例的结构示意图;
图4为图3的局部结构放大图;
图5为本发明所述连接环的结构示意图;
图6为本发明所述固定盖板的结构示意图;
图7为本发明另一种连接环的结构示意图。
【具体实施方式】
[0055]图3所示为本发明的一种实施实例示意图,图4为图3的局部放大图。结合图3与图4可见晶片载盘的旋转支撑轴6主要包含有旋转支撑轴底部部分601、旋转支撑轴顶部605、隔热套606、加强套603。上述旋转支撑轴的各组成部分由螺钉602紧固在一起成为一个整体。为了增强隔热效果,在螺钉头或螺栓头604的下方还分布有隔热垫610及保护隔热垫的垫片609,在螺钉头或螺栓头上方还分布有一隔热罩604。晶片载盘9与旋转支撑轴6的顶部605耦合,晶片载盘9主要包含有连接环901、固定盖板902、隔热盖板903、晶片载盘盘体904。晶片连接环901与固定盖板902以螺纹连接的方式连接在一起,并将晶片载盘的盘体904固定两者之间。在固定盖板上方还覆盖有一隔热盖板903。
[0056]旋转支撑轴底部部分601的下部与旋转驱动机构相连,并且还分布有冷却密封装置的冷却结构,图中没有 示出。601的上部分布有与隔热套606相耦合的圆形锥孔,在锥孔底部还分布有与紧固螺钉或螺栓602耦合的螺纹盲孔615,在螺纹盲孔底部还分布有通气小孔607,通气小孔607的数量为I个或多个。
[0057]旋转支撑轴顶部605下部为与隔热套606相耦合的圆形锥面,旋转支撑轴顶部605上部为与晶片载盘连接部分耦合的圆形锥面,在旋转支撑轴顶部605轴心线上还分布有带沉孔614的螺纹盲孔615。装配时紧固螺钉或螺栓602通过该通孔将605、603、606、609、610,601连接成为一个整体。其中610为将螺钉头或螺栓头613与支撑轴顶部605隔开的隔热垫,609为强度较大的保护隔热垫的垫片。
[0058]旋转支撑轴上安装有隔热套606,优选地隔热套的数量为2个或两个以上,隔热套之间以加强套603隔开。
[0059]旋转支撑轴上安装有隔热套606、隔热垫610,优选地制作其所用材料的导热率显著低于旋转支撑轴底部部分601所用材料的导热率。
[0060]旋转支撑轴上安装有隔热罩604、隔热套606、隔热垫610,优选地制作隔热套606、隔热垫610的材料为隔热陶瓷材料,如孔隙率为50%的氧化铝陶瓷。
[0061]旋转支撑轴上安装有垫片609、加强套603,优选地制作603、609所用材料的强度大于隔热套606、隔热垫610所用材料的强度。
[0062]旋转支撑轴上安装有垫片609、加强套603,优选地制作603、609所用材料为难熔
金属或强度较高的陶瓷。
[0063]旋转支撑轴上安装有垫片609,优选地垫片609的外形为圆锥形,其锥面大端与隔热垫610相结合、小锥面与螺钉头或螺栓头613相结合。
[0064]旋转支撑轴上安装有隔热罩604,优选地其外形为圆形,且其直径略小于沉孔614的直径。[0065]旋转支撑轴上安装有隔热罩604,优选地有一通气小孔贯穿其上下表面。
[0066]旋转支撑轴使用螺钉602进行紧固,优选地螺钉602分布有一贯穿其顶端与地面的通气孔611。
[0067]晶片载盘9包含有晶片载盘盘体904,所述盘体904轴心位置分布有一通孔906,通孔靠近放置晶片的一面分布有一沉孔907,通孔在靠近与放置晶片表面相对的表面上分布有一圆形锥孔905。
[0068]晶片载盘9上包含有连接环901,所述连接环由内外两层构成,其内环的内表面与旋转支撑轴顶部605相耦合,其外环外表面与晶片载盘盘体904中心的圆形锥孔905相耦合,在内环的上部还分有一螺纹面908 (如图5所示),该螺纹面与固定盖板902的螺纹相耦合。通过此耦合结构连接环901与固定盖板902将晶片载盘盘体904固定。
[0069]晶片载盘9上包含有固定盖板902,固定盖板902的下部为一圆筒形结构,在圆筒形结构的内表面909上分布有螺纹,该螺纹与连接环901上的螺纹908相耦合。在902的上表面上分布有若干圆形小突起910 (如图6所示),隔热盖板903放置在小突起910上,从而在固定盖板902与隔热盖板903之间形成微小隔热间隙911。
[0070]晶片载盘9上包含有隔热盖板903,优选地隔热盖板903的上表面与晶片载盘904的上表面平齐。
[0071]固定盖板902上分布有若干小突起910,优选地小突起910的数量大于等于3个,且910在902上表面上绕902轴心均匀分布。
[0072]图7所示为本发明的另一种实施实例示意图,在该实施实例中,连接环的内环及外环之间采用导热系数很小的稀疏陶瓷701相连。
.[0073]按照专利法律规定的要求,本发明用实施实例详细的描述了所发明的具体结构及其处理方法的特征。然而,应当理解,所述实例只是为了更好的表述本发明的结构及特征,本发明并不限于本文中所显示及描述的特性。因此,本发明此处声明,对本发明的实施的各种形式的均等改变或变形均被包括于所附的权利要求书的保护范围内。
【权利要求】
1.一种用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,包括用于与旋转驱动机构相连的支撑轴底部(601),由至少一个隔热套(606)构成的支撑轴中部,以及用于与晶片载盘(9)耦合的支撑轴顶部(605);所述支撑轴顶部(605)、支撑轴中部和支撑轴底部(601)之间固定相连,且支撑轴底部(601)、支撑轴中部和支撑轴底部(601)之间连通有过气通道;所述支撑轴顶部(605)呈锥台形,该支撑轴顶部(605)装有连接环(901),连接环(901)顶部装有固定盖板(902 ),所述固定盖板(902 )顶部装有隔热盖板(903 )。
2.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述隔热套(606)的数量为广20个;当隔热套(606)为多个时,相邻两个隔热套(606)之间设有加强套(603),该加强套(603)设有中心孔。
3.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述支撑轴顶部(605)内设有沉孔(614),所述支撑轴中部开有孔,所述支撑轴底部(601)均开有螺纹盲孔(615);所述支撑轴顶部(605)、支撑轴中部和支撑轴底部(601)之间通过紧固螺钉或螺栓(602)固定相连,其中紧固螺钉或螺栓(602)的螺钉头或螺栓头(613)位于支撑轴顶部(605)的沉孔(614)内,穿过支撑轴中部的孔的紧固螺钉或螺栓(602)的螺杆位于所述螺纹盲孔(615)内;所述紧固螺钉或螺栓(602)沿其轴线开有贯通紧固螺钉或螺栓(602)上下表面的通气孔(611);所述紧固螺钉或螺栓(602)的底部通过一通气小孔(607)与支撑轴底部(601)外表面连通 。
4.根据权利要求3所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述支撑轴顶部(605)的沉孔(614)的底端面与所述螺钉头或螺栓头(613)之间装有隔热垫(610)和加热垫(609)。
5.根据权利要求4所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述加强垫(609)呈圆锥形,其锥面大端与隔热垫(610)贴合、锥面小端与螺钉头或螺栓头(613)贴合。
6.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述连接环(901)与固定盖板(902)为螺纹连接。
7.根据权利要求3所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述紧固螺钉或螺栓(602)顶部设有位于所述支撑轴顶部(605)的沉孔(614)内的隔热罩(604),该隔热罩(604)上开有贯穿隔热罩(604)上下表面的通气孔(608);所述紧固螺钉或螺栓(602)的通气孔(611)与隔热罩(604)的通气孔(608)连通。
8.根据权利要求1所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述固定盖板(902)与隔热盖板(903)之间具有间隙(911)。
9.根据权利要求8所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述固定盖板(902)顶面具有至少三个突起(910),所述隔热盖板(903)置于至少三个突起(910)上。
10.根据权利要求2所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述加强套(603)由难熔金属或陶瓷制成。
11.根据权利要求3所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述紧固螺钉或螺栓(602)由难熔金属制成。
12.根据权利要求1或6所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述连接环(901)包括内环和外环,以及设置在内环与外环之间的连接件。
13.根据权利要求12所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述连接件为有陶瓷材料制成的辐板或辐条。
14.根据权利要求10或11所述的用于MOCVD反应器的支撑轴,其特征在于,所述难熔金属为钨或钥。
15.一种MOCVD反应器,包括旋转支撑轴(6)和装在旋转支撑轴(6)顶端的晶片载盘(9),位于晶片载盘(9)上方的喷淋头(12);其特征在于,所述晶片载盘(9)包括晶片载盘盘体(904),设置在晶片载盘盘体(904)轴心位置的通孔(906),该通孔(906)的上部为设置在晶片载盘盘体(904)上表面轴心位置的沉孔(907),该通孔(906)的下部为锥形孔(905);所述旋转支撑轴(6)为权利要求f 13之一所述的支撑轴,所述隔热盖板(903)和固定盖板(902)位于该晶片载盘盘体(904)的沉孔(907)内,所述连接环(901)的外表面位于所述通孔(906)的锥形孔(905) 内;所述固定盖板(902)和连接环(901)之间为螺纹连接。
【文档编号】C23C16/458GK103436862SQ201310338182
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月6日 优先权日:2013年8月6日
【发明者】魏唯, 罗才旺, 陈特超 申请人:中国电子科技集团公司第四十八研究所
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1