一种新型研磨下盘结构的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种新型研磨下盘结构，包括研磨下盘，所述研磨下盘上表面沿周向均匀分布有多条“S”型刀片，所述研磨下盘边缘沿圆周设置有多个导流孔，所述导流孔上孔口设有封口件，所述研磨下盘外侧设有环形挡块，所述环形挡块与研磨下盘连接处设有密封构件。本发明研磨下盘的“S”型刀片结构可加快研磨时间，大大提高研磨效率。研磨砂液以及细碎的晶片飞溅时被周炜的环形挡块阻挡，避免四周环境污染。清理时，使用刷子将研磨砂液以及细碎的晶片扫入导流孔即可，方便简单。
【专利说明】一种新型研磨下盘结构【技术领域】
[0001]本发明涉及一种新型研磨下盘结构，属于晶片研磨加工领域。
【背景技术】
[0002]晶体块出厂时，其表面都是比较粗糙的，需要通过研磨机进行进行研磨。用于晶片研磨加工的研磨机，在加工过程中，研磨上盘与研磨下盘在研磨晶片时，会有研磨砂液以及细碎的晶片飞溅，造成工作环境的污染，由于研磨液属于化学制剂，晶片碎屑又过于碎小，难以清理造成周围环境的污染。且随着晶片产业的迅速发展，目前对晶片研磨的技术要求越来越高。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是针对以上弊端提供一种新型研磨下盘结构，在提高研磨精度的同时，避免了在研磨过程中研磨砂液以及细碎的晶片飞溅的现象，改善工作效果，提高工作效率。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的技术方案是:
[0005]一种新型研磨下盘结构，包括研磨下盘，其中，所述研磨下盘上表面沿周向均匀分布有多条“S”型刀片，所述“S”型刀片间所成角度Θ为30度；所述研磨下盘边缘沿圆周设置有多个导流孔，所述导流孔在研磨下盘内呈倾斜设置，所述导流孔与研磨下盘下表面所成角度δ为45度，所述导流孔上孔口设有封口件；所述研磨下盘外侧设有环形挡块，所述环形挡块与研磨下盘连接处设有密封构件，所述密封构件由两个“N”型密封环与一个“Ζ”型密封环组成，呈多重密封结构，三个密封环间间隙构成迷宫密封。
[0006]一种新型研磨下盘结构，其中，所述“S”型刀片的数量为12条。
[0007]一种新型研磨下盘结构，其中，所述两个“N”型密封环位于“Ζ”型密封环上下两端。
[0008]工作方法:使用时，研磨下盘呈顺时针旋转研磨，研磨砂液以及细碎的晶片飞溅时被周围的环形挡块阻挡，落在研磨下盘上。研磨结束后，将研磨好的晶片取出，将导流孔上的封口件取下，在导流孔下放置垃圾箱，使用刷子将研磨砂液以及细碎的晶片扫入导流孔即可。
[0009]有益效果；
[0010]1，研磨下盘的“S”型刀片结构可加快研磨时间，大大提高研磨效率。
[0011]2，研磨砂液以及细碎的晶片飞溅时被周围的环形挡块阻挡，避免四周环境污染。
[0012]3，清理时，使用刷子将研磨砂液以及细碎的晶片扫入导流孔即可，方便简单。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本发明的正视图。
[0014]图2为本发明的俯视图。[0015]图3为本发明的导流孔示意图。
[0016]图4为本发明的密封部件示意图。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图对本发明作进一步说明。
[0018]实施例
[0019]如图所示，一种新型研磨下盘结构，包括研磨下盘1，其中，所述研磨下盘I上表面沿周向均匀分布有多条“S”型刀片2，所述“S”型刀片2间所成角度Θ为30度；所述研磨下盘I边缘沿圆周设置有多个导流孔3，所述导流孔3在研磨下盘内呈倾斜设置，所述导流孔3与研磨下盘I下表面所成角度δ为45度，所述导流孔I上孔口设有封口件4 ;所述研磨下盘I外侧设有环形挡块5，所述环形挡块5与研磨下盘I连接处设有密封构件6，所述密封构件6由两个“N”型密封环61与一个“Ζ”型密封环62组成，呈多重密封结构，三个密封环间间隙构成迷宫密封。所述“S”型刀片2的数量为12条。所述两个“N”型密封环61位于“Ζ”型密封环62上下两端。所述导流孔3数量为8个。
[0020]工作方法:使用时，研磨下盘I呈顺时针旋转研磨，研磨砂液以及细碎的晶片飞溅时被周围的环形挡块5阻挡，落在研磨下盘I上。研磨结束后，将研磨好的晶片取出，将导流孔3上的封口件4取下，在导流孔3下放置垃圾箱，使用刷子将研磨砂液以及细碎的晶片扫入导流孔3即可。
[0021]有益效果；研磨下盘的“S”型刀片结构可加快研磨时间，大大提高研磨效率。研磨砂液以及细碎的晶片飞溅时被周炜的环形挡块阻挡，避免四周环境污染。清理时，使用刷子将研磨砂液以及细碎的晶片扫入导流孔即可，方便简单。
[0022]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种新型研磨下盘结构，包括研磨下盘，其特征在于，所述研磨下盘上表面沿周向均匀分布有多条“S”型刀片，所述“S”型刀片间所成角度Θ为30度；所述研磨下盘边缘沿圆周设置有多个导流孔，所述导流孔在研磨下盘内呈倾斜设置，所述导流孔与研磨下盘下表面所成角度δ为45度，所述导流孔上孔口设有封口件；所述研磨下盘外侧设有环形挡块，所述环形挡块与研磨下盘连接处设有密封构件，所述密封构件由两个“N”型密封环与一个“ Z ”型密封环组成，呈多重密封结构，三个密封环间间隙构成迷宫密封。
2.如权利要求1所述的一种新型研磨下盘结构，其特征在于，所述“S”型刀片的数量为12条。
3.如权利要求1所述的一种新型研磨下盘结构，其特征在于，所述两个“N”型密封环位于“Ζ”型密封环上下两端。
【文档编号】B24B37/11GK103769995SQ201310752315
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】聂金根 申请人:镇江市港南电子有限公司