沉积装置和使用该沉积装置制造显示装置的方法

沉积装置和使用该沉积装置制造显示装置的方法
【专利摘要】本申请涉及沉积装置和使用该沉积装置制造显示装置的方法。该沉积装置可以包括第一基底安装构件和可以与第一基底安装构件重叠的第二基底安装构件。沉积装置可以进一步包括设置在位于第一基底安装构件和第二基底安装构件之间的空间中的溅射单元。溅射单元可以具有第一开口和第二开口。第一开口可以被设置为比第二开口更靠近第一基底安装构件。第二开口可以被设置为比第一开口更靠近第二基底安装构件。可以分别通过第一开口和第二开口同时提供第一组材料和第二组材料。
【专利说明】沉积装置和使用该沉积装置制造显示装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2013年7月29日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请10-2013-0089823的权益，该申请的公开通过引用整体合并于此。

【技术领域】
[0003]本发明涉及沉积装置和使用该沉积装置制造显示装置的方法。

【背景技术】
[0004]显示装置可以包括用于发光的发光器件(例如有机发光器件)，从而显示图像。显示装置可以进一步包括用于保护发光器件免受例如湿气的环境物质影响的封装元件。封装元件可以通过使用沉积装置进行的一个或多个沉积工艺形成。


【发明内容】

[0005]发明的一个或多个实施例可涉及与基本上令人满意的沉积效率相关联的沉积装置。本发明的一个或多个实施例可涉及使用该沉积装置制造显示装置的方法。
[0006]本发明的实施例可涉及沉积装置，该沉积装置可包括彼此重叠并被配置为分别支撑第一基底和第二基底的第一基底安装构件和第二基底安装构件。沉积装置可以进一步包括设置在位于第一基底安装构件和第二基底安装构件之间的空间中的溅射单元。溅射单元可以具有第一开口和第二开口。第一开口可以被设置为比第二开口更靠近第一基底安装构件。第二开口可以被设置为比第一开口更靠近第二基底安装构件。可以分别通过第一开口和第二开口分别向第一基底和第二基底同时提供第一组材料和第二组材料。
[0007]沉积装置可以包括下述元件:包含溅射单元的腔室；以及被配置为相对于腔室和溅射单元中的至少一个移动第一基底安装构件和第二基底安装构件中的至少一个的驱动单元。
[0008]第一基底安装构件可以具有位于第一基底安装构件的两个部分之间的开口。开口的平行于第一坐标轴(例如垂直于支撑溅射单元的地面)的宽度等于或大于溅射单元在平行于第一坐标轴(和/或与开口的宽度的方向平行)的方向上的长度。
[0009]第一基底安装构件的两个部分在垂直于第一坐标轴(和/或与开口的宽度的方向垂直)的方向上不与溅射单元重叠。
[0010]第一基底安装构件和第二基底安装构件可以被配置为相对于溅射单元在同一方向上同时移动。
[0011]第一开口可以位于溅射单元的第一侧。第二开口可以位于溅射单元的平行于溅射单元的第一侧的第二侧。第一开口可以在垂直于溅射单元的第一侧的方向上与第二开口重叠和/或对准。
[0012]沉积装置可以包括被设置在溅射单元的第一侧和溅射单元的第二侧之间的第一靶支撑构件和第二靶支撑构件。第一靶支撑构件可以在平行于溅射单元的第一侧的方向上与第二靶支撑构件重叠和/或对准。
[0013]沉积装置可进一步包括控制单元，控制单元被配置为控制溅射单元在与第一基底安装构件的延伸方向平行和/或与第一基底的面向溅射单元的表面平行的方向上的高度。
[0014]沉积装置可以包括下述元件:被配置为将第一基底紧固在第一基底安装构件上的第一压板；以及被设置为平行于第一压板并被配置为将第二基底紧固在第二基底安装构件上的第二压板。
[0015]沉积装置可以包括设置在溅射单元内并具有被配置为接触包括第一组材料和第二组材料的靶的支撑表面的靶支撑构件。第一压板可以具有被设置为垂直于支撑表面并被配置为接触第一基底的接触表面。第一压板可以包括被设置为垂直于支撑表面并被配置为传送用于冷却第一基底的制冷剂的流动通道。
[0016]沉积装置可以包括被连接到第一压板的流动通道并被连接到第一基底安装构件的连接单元的管道。第一压板的流动通道可以容纳通过第一基底安装构件的连接单元提供的制冷剂并传送用于冷却第一基底的制冷剂。
[0017]沉积装置可以包括可被连接到第一基底安装构件的连接单元、可以将冷却剂传送到第一基底安装构件的连接单元、并可以当第一基底安装构件相对于溅射单元移动时变形的管。
[0018]本发明的实施例涉及用于制造显示装置的方法。该方法包括下述步骤:在第一显示单元和第二显示单元之间设置溅射单元，溅射单元具有第一开口和第二开口，第一显示单元被设置在第一基底上，第二显示单元被设置在第二基底上；以及同时通过第一开口将第一组材料提供在第一显示单元上和通过第二开口将第二组材料提供在第二显示单元上。
[0019]第一组材料和第二组材料中的至少一个可以包括低温粘度转变(LVT)无机材料。
[0020]该方法可以包括下述步骤:相对于溅射单元在同一方向上同时移动第一显示单元和第二显示单元。
[0021]该方法可以包括下述步骤:在第一基底安装构件上安装第一基底。第一基底安装构件可以具有位于第一基底安装构件的两个部分之间的开口。开口的平行于第一坐标轴的宽度等于或大于溅射单元的平行于第一坐标轴的长度。
[0022]第一基底安装构件的两个部分在垂直于第一坐标轴的方向上不与溅射单元重叠。
[0023]该方法可以包括下述步骤:在第一基底安装构件上安装第一基底；用压板将第一基底紧固在第一基底安装构件上；以及通过压板的流动通道提供制冷剂来冷却第一基底。
[0024]该方法可以包括下述步骤:在地面上支撑溅射单元；以及将第一基底和第二基底的每一个设置为垂直于地面。
[0025]本发明的实施例可涉及沉积装置，该沉积装置可以包括下述元件:腔室；设置在腔室内并彼此重叠的一对基底安装构件，其中基底可分别被安装在基底安装构件上；以及设置在基底安装构件之间的溅射单元，其中溅射单元可以包括下述元件:用于支撑一对靶使得靶可以彼此面对的一对靶支撑构件；以及被定向为垂直于靶的第一开口和第二开口，其中第一开口和第二开口可分别面对基底安装构件。
[0026]一对基底安装构件可以被设置为垂直于地面。
[0027]开口可以被形成在基底安装构件的每一个，开口的竖直宽度可等于或大于溅射单元的长度。
[0028]基底安装构件的每一个的边缘可以不与溅射单元重叠。
[0029]—对基底安装构件可在腔室中在一个方向上移动。
[0030]溅射单元可以具有矩形六面体形状，第一开口和第二开口可以被形成在溅射单元的一对平行的侧表面上。
[0031]一对靶可被设置在溅射单元的另一对侧表面上。
[0032]一对靶可由低温粘度转变(LVT)无机材料形成。
[0033]溅射单元可以包括下述元件:用于控制溅射单元的高度的控制单元；以及用于支撑溅射单元的其它元件的支撑部分。
[0034]沉积装置可以包括用于固定基底的位置的压板。压板可包括下述元件:制冷剂可通过其流动以冷却基底的流动通道；制冷剂可通过其被注入到流动通道中的注入部分；以及制冷剂可通过其从流动通道排出的排出部分。
[0035]本发明的实施例可以涉及沉积装置，该沉积装置可以包括下述元件:腔室；设置在腔室内并被设置为垂直于地面的一对基底安装构件；以及被设置在基底安装构件之间的溅射单元。溅射单元可具有矩形六面体的形状。溅射单元可具有被形成在溅射单元的一对平行的侧表面上的第一开口和第二开口。第一开口和第二开口可以分别面对基底安装构件。
[0036]溅射单元可包括用于支撑一对靶使得靶可以彼此面对并且可以被设置为垂直于第一开口和第二开口的一对靶支撑构件。
[0037]基底可以被分别安装在基底安装构件上。从靶提供的两组材料可以通过第一开口和第二开口被同时提供，并可以被同时沉积在基底上。
[0038]沉积装置可以包括用于固定基底的位置的压板。压板可包括下述元件:制冷剂可通过其流动以冷却基底的流动通道；制冷剂可通过其被注入到流动通道中的注入部分；以及制冷剂可通过其从流动通道排出的排出部分。
[0039]注入部分可以通过管道被连接到被形成于基底安装构件的一侧的连接部分。连接部分可被连接到被连接到制冷剂罐的管。该管可以是柔性的。
[0040]开口可以被形成在基底安装构件的每一个。开口的竖直宽度可以等于或大于溅射单元的长度。
[0041]基底安装构件的每一个的边缘可以不与溅射单元重叠。
[0042]本发明的实施例可涉及一种制造例如有机发光显示装置的显示装置的方法。该方法可包括下述步骤:在两个基底的每一个上形成显示单元；将基底设置在腔室中使得基底可以垂直于地面并且可以彼此相对；以及形成封装层以密封被形成在基底的每一个上的显示单元。封装层可使用溅射单元通过溅射形成，溅射单元可以溅射包括低温粘度转变(LVT)无机材料并彼此面对的一对靶。溅射单元可包括分别对应于基底的第一开口和第二开口。在溅射期间，LVT无机材料的两个子集可以分别穿过第一开口和第二开口，被分别同时沉积在基底上，以覆盖显示单元。
[0043]基底的每一个的位置可以由压板固定。压板可具有制冷剂通过其流过的流动通道，在溅射期间基底可以由制冷剂冷却。
[0044]基底的每一个可以被安装在基底安装构件上。基底安装构件的边缘可以不与溅射单元重叠。在溅射期间，基底安装构件可以在腔室中在一个方向上移动。

【专利附图】

【附图说明】
[0045]图1是示出了根据本发明的实施例的显示装置，例如有机发光显示装置，的示意性剖视图。
[0046]图2是示出了图1所标示的部分P的示意性剖视图。
[0047]图3是示出了根据本发明的实施例的用于形成显示装置的封装层，例如图1所示的有机发光显示装置的封装层，的沉积装置的示意图。
[0048]图4是示出了根据本发明的实施例的图3所示的沉积装置的溅射单元的示意性剖视图。
[0049]图5是示出了根据本发明的实施例的图3所示的沉积装置的示意剖视图。
[0050]图6是示出了根据本发明的实施例的图3所示的沉积装置的压板的示意性俯视图。

【具体实施方式】
[0051]下面将参考附图描述本发明的实施例的示例，其中相同的附图标记可指代相同和/或类似的元件。本发明的实施例可具有不同的形式，不应被解释为限于本文所提出的描述。
[0052]如本文所用，术语“和/或”可以包括相关联项目的一个或多个的任意及所有组合。当放在一列元件之前时，诸如“至少一个”的表述修饰整列元件，而不是修饰该列中的单个元件。
[0053]本发明可包括各种实施例和修改，并不限于所描述的实施例的示例。在描述中，为了简明和/或清楚，可能省略公知功能或结构的详细描述。
[0054]虽然本文中可能使用诸如“第一”、“第二”等来描述各个元件，但这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语可以被用于区分一个元件与另一元件。因此，第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本发明的教导。将元件描述为“第一”元件并不要求或暗示存在第二元件或其他元件。本文中也可能使用术语“第一”、“第二”等来区分不同类别的元件。为了简明，术语“第一”、“第二”等可分别表示“第一类型(或第一类)”、“第二类型(或第二类)”
坐寸ο
[0055]在描述中，术语“连接”可以指“电连接”，术语“绝缘”可以指“电绝缘”，术语“传导性”可以表示“电传导性”。
[0056]单数形式的“一”、“一个”和“该”也可以包括复数形式，除非上下文另有明确说明。当在本文中使用时，如“包含”、“包括”和“具有”的术语指定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件或它们的组合，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件或它们的组合。
[0057]图1是示出了根据本发明的实施例的显示装置10 (例如有机发光显示装置10)的示意性剖视图。图2是示出了图1所标示的部分P的示意性剖视图。
[0058]参考图1，有机发光显示装置10可包括基底S、形成在基底S上的显示单元200、以及可以基本上封装显示单元200的封装层300。
[0059]基底S可以是或可以包括主要由S12B成的透明玻璃基底。基底S可以是或可以包括由透明塑料材料形成的塑料基底。透明塑料材料可以是绝缘有机材料，并可包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)中的至少一种。
[0060]有机发光显示装置10可以是通过基底S显示图像的底部发光型显示装置，基底S可以是透明的。有机发光显示装置10可以是通过与基底S相反的表面显示图像的顶部发光型显示装置，并且基底S可以不必是透明的。在实施例中，基底S可以由金属形成。在实施例中，基底S可以包括碳(C)、铁(Fe)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钥(Mo)和不锈钢(SUS)中的至少一种。
[0061]如图2所示，显示单元200可以包括有机薄膜晶体管(TFT)200a和像素部分200b。像素部分200b可以是有机发光器件(OLED)。
[0062]缓冲层212可以被形成在基底S上。缓冲层212可以防止杂质元素污染TFT200a和/或可以在基底S上提供基本上平坦的表面。缓冲层212可由可以执行保护功能和/或平整化功能的各种材料中的一种或多种形成。在实施例中，缓冲膜212可以由一种或多种无机材料，如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛等中的一种或多种，形成。缓冲膜212可以由一种或多种有机材料，如聚酰亚胺、聚酯压克力等的一种或多种，形成。
[0063]缓冲层212可使用一种或多种不同的沉积方法，如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、常压 CVD (APCVD)JgSCVD (LPCVD)中的一种或多种，形成。
[0064]TFT200a可以包括有源层221、栅电极222、源电极223a和漏电极223b。
[0065]有源层221可被形成在缓冲层212上。有源层212可以由例如硅的无机半导体或有机半导体形成。有源层221包括源区、漏区和被设置在源区和漏区之间的沟道区。在实施例中，有源层221由非晶硅形成，有源层221可通过在基底S的表面上形成非晶硅层、使非晶硅层结晶以形成多晶硅层、使多晶硅层图案化、并掺杂源区和漏区而形成。
[0066]栅极绝缘膜213被形成在有源层221上。栅极绝缘膜213可以由如SiNx或S12的无机材料形成，以将有源层221与栅电极222绝缘。
[0067]栅电极222被形成在栅极绝缘膜213上的预定区域中。栅电极222被连接到用于向TFT200a施加开/关信号的栅极线(未示出)。
[0068]栅电极222可以包含金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍、钼(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)和Mo中的至少一种。栅电极222可包括合金，如Al-Nd (钕)合金或Mo-W (鹤)合金。栅电极222可根据特定的实施例由不材料中的一种或多种形成。
[0069]层间绝缘膜214被形成在栅电极222上。层间绝缘膜214可以由如SiNx或S12的无机材料形成，以将栅电极222与源电极223a和漏电极223b的每一个绝缘。
[0070]源电极223a和漏电极223b被形成在层间绝缘膜214上。孔可以被形成为穿过层间绝缘膜214和栅极绝缘膜213，以暴露有源层221的源区和漏区，源电极223a和漏电极223b可分别接触所暴露的源区和所暴露的漏区。
[0071]图2示出了顶部栅极型TFT的结构，其中有源层221被设置在栅电极222和基底S之间。在实施例中，栅电极222可以被设置在有源层221和基底S之间。
[0072]TFT200a被电连接到像素部分200b，以驱动(即控制)像素部分200b。TFT200a由平整化膜215覆盖和/或保护。
[0073]平整化膜215可以是或可以包括无机绝缘膜和/或有机绝缘膜。无机绝缘膜可以包括 Si02、SiNx、Si0N、Al203、Ti02、Ta205、Hf02、Zr02、钛酸锶钡(BST)和锆钛酸铅(PZT)中的至少一种。有机绝缘膜可以包括至少一种通用聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物和乙烯醇类聚合物中的至少一种。平整化膜215可以包括相互重叠的无机绝缘膜和有机绝缘膜。
[0074]像素部分200b被形成在平整化膜215上。像素部分200b可包括像素电极231、中间层232和对电极233。
[0075]在实施例中，有机发光显示装置10可以是顶部发光型显示装置。像素电极231被形成在平整化膜215上，通过形成在平整化层215中的接触孔230被电连接到源电极223a和漏电极223b中的一个。
[0076]像素电极231可以是反射电极。像素电极231可以包括由Ag、镁(Mg)、Al、Pt、Pd、Au、N1、钕(Nd)、铱(Ir)、Cr以及这些材料中的一些的化合物或合金中的至少一种形成的反射膜。像素电极可以包括形成在反射膜上的透明或半透明的电极层。透明或半透明的电极层可包括氧化铟锡(ITO )、氧化铟锌(IZO )、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3 )、氧化铟镓(IG0)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。
[0077]对电极233可以重叠在像素电极231上，并且可以是透明或半透明的电极。对电极233可以由具有小功函的金属薄膜形成。对电极233可以包括锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、MG以及这些材料中的一些的化合物或合金中的至少一种。由例如ΙΤ0、ΙΖ0、ZnO、In2O3的透明电极材料形成的总线电极或辅助电极可被进一步形成在金属薄膜上。
[0078]对电极233可传输从包含在中间层232中的有机发光层发射的光。从有机发光层发射的光可以被直接发射到对电极233和/或可由可以是反射电极的像素电极231反射。
[0079]在实施例中，有机发光显示装置10可以是底部发光型显示装置，其中从有机发光层发射的光可朝基底S传输，像素电极231可以是透明或半透明的电极，并且对电极233可以是反射电极。在实施例中，有机发光显示装置10可以是双发光型显示装置，其中由有机发光层发射的光可朝对电极233和基底S 二者传输。
[0080]由绝缘材料形成的像素限定膜216可以被形成在像素电极231上。像素限定膜216可以由至少一种有机绝缘材料，例如聚酰亚胺、聚酰胺、压克力树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种，形成。像素限定膜216可以通过旋涂法来形成。像素限定膜216暴露像素电极231的预定区域，包括有机发光层的中间层232被设置在所暴露的区域中。
[0081]包含在中间层232中的有机发光层可以由低分子有机材料或聚合物有机材料形成。除了有机发光层之外，中间层232可以进一步包括一个或多个功能层，例如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个。
[0082]参考图1，封装层300可以基本上完全覆盖显示单元200，从而基本上防止湿气或氧气渗入和/或污染显示单元200。在实施例中，封装层300可以比显示单元200大，使得封装层300的所有边缘可以接触基底S，从而基本上牢固地封装显示单元200。
[0083]封装层300可以由低温粘度转变(LVT)无机材料形成。LVT无机材料可以具有最低粘度转变温度，由此LVT无机材料可以在高于最低粘度转变温度的温度下是液体。LVT无机材料的最小粘度转变温度可以比显示单元200中包含的一种或多种材料在该温度可能发生化学和/或物理变质的变质温度低。
[0084]LVT无机材料可以包括氧化锡(例如SnO或SnO2)。在实施例中，LVT无机材料包括SnO, SnO的含量可以在约20重量％至约100重量％的范围内。
[0085]LVT无机材料可以包括氧化磷(例如P205)、磷酸硼(ΒΡ04)、氟化锡(例如SnF2)、氧化铌(例如NbO)、氧化钨(例如WO3)等中的一种或多种。
[0086]LVT无机材料可以包括下述中的一种或多种:l)SnO ;2)Sn0和P2O5 ;3)Sn0和BPO4 ；4) SnO, SnF2 和 P2O5 ;5) Sn。、SnF2、P2O5 和 NbO ;或 6) SnO、SnF2、P2O5 和 WO3 等。
[0087]LVT无机材料可以具有下述组合物中的一种或多种:1) SnO (约100重量％) ；2)SnO (约80重量％)和P2O5 (约20重量％);3)Sn0 (约90重量％)和BPO4 (约10重量％);4)SnO (约20重量％至约50重量％)、SnF2 (约30重量％至约60重量％)和P2O5 (约10%重量至约30重量％);5) SnO (约20重量％至约50重量％)、SnF2 (约30重量％至约60重量％)、P2O5 (约10重量％至约30重量％)和NbO (约I重量％至约5重量％);或6) SnO(约20重量％至约50重量％)、SnF2 (约30重量％至约60重量％)、P205 (约10重量％至约30重量％的)和WO3 (约I重量％至约5重量％)等。
[0088]封装层300可以用图3所示的沉积装置20形成。沉积装置20可以同时形成两个基底S，使得沉积加工量最大化。每个基底S和沉积装置20的溅射单元100之间的距离可被最小化，以使得沉积加工效率最大化。沉积装置20可以在沉积加工期间冷却基底S，可以基本上防止有机发光显示装置10的材料的热变质。
[0089]图3是示出了根据本发明的实施例的用于形成显示装置的封装层，例如图1所示的有机发光显示装置10的封装层300，的沉积装置20的示意图。图4是示出了根据本发明的实施例的沉积装置20的溅射单元100的示意性剖视图。图5是示出了根据本发明的实施例的沉积装置20的示意剖视图。图6是示出了根据本发明的实施例的沉积装置20的压板500的不意性俯视图。
[0090]参考图3至图6，沉积装置20可以包括下述元件:腔室C、可被设置在腔室C内并彼此隔开的一对基底安装构件400、以及设置在两个基底安装构件400之间的溅射单元100。沉积装置20可以进一步包括用于紧固基底S的一对压板500。
[0091]腔室C可以容纳溅射单元100与基底安装构件400。腔室C可被连接到真空泵(未示出)，以控制腔室C内的压力。腔室C可具有一个或多个通道(未示出)，基底安装构件400可通过该通道进出。
[0092]如图3至图5所示，一对基底安装构件400可以被设置为在腔室C内彼此平行，两个基底S可以被分别安装在两个基底安装构件400上。基底S可以平行于Z轴。基底安装构件400在沉积加工期间可以在平行于Z轴的移动方向M上移动基底S，使得材料可以被沉积在每个基底S的不同部分上。
[0093]一对基底安装构件400可以被定向为平行于X轴，并被设置为垂直于地面，可以将基底S传送到腔室C中。基底安装构件400的每一个可以包括或被连接到用于执行移动的驱动单元(未示出)。基底安装构件400可以相对于溅射单元100彼此对称，即相互重叠。溅射单元100和基底安装构件400中的第一个之间的距离可以等于溅射单元100和基底安装构件400中的第二个之间的距离，其中每个距离可以平行于Y轴。分别包括在或被连接到基底安装构件400的驱动单元(未示出)可以具有相同的结构。因此，沉积装置20的整个结构可以相当简单。
[0094]基底安装构件400的边缘可以接触掩模420和/或基底S。用于使得可以进行沉积的开口可以被形成在基底安装构件400和/或掩模420的中心。开口的竖直宽度可以等于或大于溅射单元100的长度L。开口的竖直宽度可以指当基底安装构件400被设置为垂直于地面时在垂直于地面的竖直方向上测量的开口的宽度，溅射单元100的长度L可以指溅射单元100在垂直于地面的竖直方向上的宽度。
[0095]因此，基底安装部分400的边缘可以不重叠溅射单元100，从而基底S和溅射单元100之间的距离TS可以被最小化。因此，沉积在基底S上的沉积材料的沉积速率可以被最大化。
[0096]溅射单元100被设置在基底安装构件400之间，并可以通过溅射在安装在两个基底安装构件400上的两个基底S上同时形成薄膜。
[0097]溅射单元100可以包括下述元件:用于支撑两个靶110使得靶110可以彼此面对的两个靶支撑构件130 (例如磁卡盘、静电卡盘或轭板)、以及从靶110分离(并被提供)的沉积材料可以通过其扩散到基底S的第一开口 101和第二开口 102。
[0098]一对靶110可以当电源被施加到溅射单元100时用作阴极。靶110可以包括用于形成封装层300的LVT无机材料。
[0099]LVT无机材料可包括氧化锡(例如SnO或SnO2),并且可以进一步包括氧化磷(例如p205)、磷酸硼(ΒΡ04)、氟化锡(例如SnF2)、氧化铌(例如NbO)和氧化钨(例如WO3)中的一种或多种。例如，靶110的每一个可以包括SnO (约42.5重量％)、SnF2 (约40重量％)、P2O5(约15重量％)和WO3 (约2.5重量％)。
[0100]LVT无机材料通过溅射从靶110分离。第一开口 101和第二开口 102可分别对应于两个基底安装构件400。分离的LVT无机材料可以穿过第一开口 101和第二开口 102，朝设置于溅射单元100的两侧的基底安装构件400上安装的基底S移动。因此，封装层300可以被同时形成在两个基底S上。
[0101]在实施例中，溅射单元100可具有矩形六面体形状，第一开口 101和第二开口 102可以被形成在平行于基底安装构件400的两个相反的侧表面上，S卩，第一开口 101位于溅射单元100的第，第二开口 102位于溅射单元100的平行于溅射单元100的第一侧的第二侧，并且第一开口 101在垂直于溅射单元100的第一侧的方向上与第二开口 102重叠。靶110可以被设置为垂直于溅射单元100的第一开口 101和第二开口 102所位于的两个侧表面。
[0102]第一开口 101和第二开口 102的每一个的长度可以对应于基底S的高度或待被形成的封装层300的长度。第一开口 101和第二开口 102的每一个的宽度可以和靶110之间的距离相关。为了最大化使用沉积装置20进行的沉积加工的效率，靶110之间的距离可被最小化，和/或每个靶110的表面区域可被最大化。
[0103]参考图4和图5，溅射单元100可以进一步包括下述元件:用于产生磁场的磁场产生单元120、以及用于屏蔽磁场产生单元120和/或靶支撑构件130并用于充当阳极的屏蔽构件140。溅射单元100可以进一步包括下述元件:可控制溅射单元100的高度的控制单元170、以及可支撑溅射单元100的其它元件的支撑部分180。
[0104]磁场产生单元120可以被设置在靶110的边缘。每个磁场产生单元120可以由例如铁素体磁铁、钕基(例如钕、铁或硼)磁铁或者钐钴基磁铁的铁磁体形成，并可沿靶110的外周设置。
[0105]为了限制靶110之间的空间内的等离子体产生区域，分别对应于两个靶110的两个相对的磁场产生单元120可以具有相反的极性布局。
[0106]靶支撑构件130被设置在溅射单元100内并具有被配置为接触包括沉积材料的靶110的支撑表面，并且被配置为使得由磁场产生单元120形成的磁场可以被均匀地分布在靶I1之间的空间中。靶支撑构件130可以由可以具有被磁场产生单元120感应的磁性的材料形成。例如，靶支撑构件130可由至少一种铁磁材料，如铁、钴、镍和这些材料中的一些的合金中的至少一种，形成。
[0107]两个屏蔽构件140可以被设置在每个靶110的两个边缘。每个屏蔽构件140可以通过接地用作阳极。每个屏蔽构件140可以被设置为从相关联的靶110稍微分开。每个屏蔽构件140可以被配置为避免被大量地溅射。两个屏蔽构件140可被设置在分别对应于两个靶支撑构件130的两个相对的磁场产生单元120之间。两个屏蔽构件140可以被设置为在两个靶支撑构件130的部分之间。
[0108]螺纹可被形成在控制单元170，以控制溅射单元100的高度。支撑部分180可以被形成在控制单元170的下端，并且可以将溅射单元100固定在预定的位置。
[0109]溅射单元100可以通过对一对靶110施加电能而产生等离子体。在实施例中，惰性气体(如氩气)被注入在靶I1之间，电能被施加到一对靶110 ;结果，在一对靶10之间的空间中发生放电，由放电产生的电子和氩气碰撞，从而产生氩离子，以从靶I1分离颗粒，从而产生等离子体。
[0110]电能可由可以是直流(DC)电源的电源单元160施加到一对靶110。在实施例中，电源单元160可以是DC脉冲电源或使用DC偏置电压的射频(RF)电源。
[0111]等离子体通过由磁场产生单元120所产生的磁场形成在靶110之间。等离子体中的带电高能粒子，如电子、负离子和正离子，可作往复运动，并且可以沿磁力线被基本上限制在靶110之间。薄膜可以由具有相对低的能量的中子颗粒形成在基底S上。从任意一个靶110溅射的高能粒子可以加速朝向相对靶110，而不影响被设置为垂直于靶110的被溅射的表面的基底S。因此，可以基本上防止或最小化由高能粒子的碰撞潜在引起的对基底S的损坏。
[0112]具有相对低的能量的中子粒子可穿过第一开口 101和第二开口 102，朝着在设置于溅射单元100的两侧的两个基底安装构件400上安装的两个基底移动。因此，沉积装置20可以在两个基底S上同时形成薄膜。有利地，沉积加工产量可被最大化。
[0113]由于颗粒反复碰撞，靶110的温度可能增加。因此，溅射单元100可以进一步包括用于在溅射加工期间减少和/或维持靶110的温度的冷却设备(未示出)。冷却设备可包括制冷剂可以通过其流动的流动通道。
[0114]在沉积加工期间，每个压板500可以将基底S紧固在垂直于地面的位置。在实施例中，在沉积加工中，基底S位于基底安装构件400和压板500之间，压板500具有被设置为垂直于靶支撑构件的支撑表面并被配置为接触基底S的接触表面，压板500可接触基底S的一个表面，并且可以朝基底安装构件400挤压基底S。因此，基底S可以被紧固就位，使得可以基本上防止或最小化基底S的移动或抖动，因此薄膜可以被形成在基底S的精确位置。
[0115]压板500可包括制冷剂可以通过其流动的流动通道。因此，当压板500紧密接触基底S的一个表面以固定基底S时，流过流动通道的制冷剂可通过换热冷却基底S。
[0116]图6是压板500的示意性俯视图。参考图6,压板500可包括下述元件:流动通道516，制冷剂可以流动通过流动通道516 ;注入单元512，制冷剂可以通过其被注入到流动通道516中；以及排出单元514，制冷剂可通过其从流动通道516排出。
[0117]可以使用各种类型的制冷剂，并且可从外部的制冷剂罐(未示出)提供制冷剂。在实施例中，如图5所示，注入单元512可以通过管道414被连接到形成在基底安装构件400的一侧的连接单元412，连接单元412可被连接到连接于制冷剂罐(未示出)的管416。从排出单元514排出的制冷剂可通过基底安装构件400被排出(例如到收集容器)。
[0118]管416可以是柔性的。因此，当基底安装构件400移动时，管416可相应变形(例如从第一形状改变到第二形状)。因此，在沉积加工中，即使当基底S移动时，基底S也可被有效地冷却，因而可以防止有机发光器件的材料的热变质。
[0119]在实施例中，制造图1所示的有机发光显示装置10的方法可以包括下述步骤:在两个基底S的每一个上形成显示单元200 ；以及形成用于密封每个显示单元200的封装层300。显示单元200可以使用一种或多种已知方法来制造。
[0120]封装层300的形成可以包括下述步骤:在腔室C中设置在其上已经形成了显示单元200的两个基底S ;以及使用溅射单元100通过溅射分别在两个基底S上同时形成两个封装层300。
[0121]两个基底S可以被分别安装在两个基底安装构件400上，并可以由两个压板500分别紧固。在实施例中，掩模420可以被提供在每个基底安装构件400上。
[0122]两个基底安装构件400被设置为垂直于地面并彼此面对，并且溅射单元100被设置在两个基底安装构件400之间。分别安装在两个基底安装构件400上的两个基底S还被设置为垂直于地面，并且溅射单元100被设置在两个基底S之间。
[0123]溅射单元100 (在平行于X轴并垂直于地面的方向上)的高度由控制单元控制。溅射单元100的第一开口 101和第二开口 102可分别面对两个基底S。
[0124]封装层300可当两个基底S在移动方向M上移动时被形成。在实施例中，LVT无机材料的颗粒可通过溅射从两个靶110分离，LVT无机材料的分离颗粒的第一组和第二组可分别穿过第一开口 101和第二开口 102，可以同时被分别沉积在两个基底S上。有利地，与有机发光显示装置10相关联的制造加工产量可被最大化。
[0125]两个基底安装构件400的边缘可以不接触溅射单元100。也就是，(在平行于X轴并垂直于地面的方向上)分别形成在两个基底安装构件400的两个开口的竖直宽度可以等于或大于溅射单元100的长度L。因此，每个基底S和溅射单元100之间(在平行于Y轴的方向上)的距离TS可以被最小化。有利地，可以提高沉积效率。在实施例中，在沉积加工中，制冷剂可流动通过可以接触基底S的压板500,以冷却基底S,使得可以基本上防止或最小化显示单元200的材料的热变质。有利地，可以提供有机发光显示装置10的令人满意的质量。
[0126]如从描述中可以理解的，根据本发明的实施例，沉积装置可以同时在两个基底上形成薄膜。有利地，沉积加工产量可以被最大化。
[0127]根据发明的实施例，在沉积加工中，每个基底和溅射单元之间的距离可以被最小化。有利地，沉积效率可被最大化。
[0128]根据发明的实施例，在沉积加工期间基底可以被冷却，使得可以基本上防止或最小化所制造的显示装置的材料的热变质。有利地，可以提供显示装置的令人满意的质量。
[0129]以上描述的实施例是为了说明而不是为了限制。本领域普通技术人员将理解，可以对实施例进行各种改变，而不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围。
【权利要求】
1.一种沉积装置，包括: 第一基底安装构件； 与所述第一基底安装构件重叠的第二基底安装构件；和 设置在位于所述第一基底安装构件和所述第二基底安装构件之间的空间中的溅射单元，所述溅射单元具有第一开口和第二开口，所述第一开口被设置为比所述第二开口更靠近所述第一基底安装构件，所述第二开口被设置为比所述第一开口更靠近所述第二基底安装构件。
2.根据权利要求1所述的沉积装置，进一步包括: 包含所述溅射单元的腔室；和 驱动单元，被配置为相对于所述腔室和所述溅射单元中的至少一个移动所述第一基底安装构件和所述第二基底安装构件中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的沉积装置， 其中所述第一基底安装构件具有位于所述第一基底安装构件的两个部分之间的开口，并且 其中所述开口的宽度等于或大于所述溅射单元在与所述开口的宽度的方向平行的方向上的长度。
4.根据权利要求3所述的沉积装置，其中所述第一基底安装构件的所述两个部分在与所述开口的宽度的方向垂直的方向上不与所述溅射单元重叠。
5.根据权利要求1所述的沉积装置，其中所述第一基底安装构件和所述第二基底安装构件被配置为相对于所述溅射单元在同一方向上同时移动。
6.根据权利要求1所述的沉积装置， 其中所述第一开口位于所述溅射单元的第一侧， 其中所述第二开口位于所述溅射单元的平行于所述溅射单元的所述第一侧的第二侧，并且 其中所述第一开口在垂直于所述溅射单元的所述第一侧的方向上与所述第二开口重叠。
7.根据权利要求6所述的沉积装置，所述溅射单元进一步包括:设置在所述溅射单元的所述第一侧和所述溅射单元的所述第二侧之间的第一靶支撑构件和第二靶支撑构件，其中所述第一靶支撑构件在平行于所述溅射单元的所述第一侧的方向上与所述第二靶支撑构件重叠。
8.根据权利要求1所述的沉积装置，进一步包括:被配置为控制所述溅射单元在平行于所述第一基底安装构件的方向上的高度的控制单元。
9.根据权利要求1所述的沉积装置，进一步包括: 被配置为将第一基底紧固在所述第一基底安装构件上的第一压板；和被设置为平行于所述第一压板并被配置为将第二基底紧固在所述第二基底安装构件上的第二压板。
10.根据权利要求9所述的沉积装置，进一步包括:设置在所述溅射单元内并具有被配置为接触包括沉积材料的靶的支撑表面的靶支撑构件，其中所述第一压板具有被设置为垂直于所述支撑表面并被配置为接触所述第一基底的接触表面。
11.根据权利要求9所述的沉积装置，进一步包括:设置在所述溅射单元内并具有被配置为接触包括沉积材料的靶的支撑表面的靶支撑构件，其中所述第一压板包括被设置为垂直于所述支撑表面并被配置为传送用于冷却所述第一基底的制冷剂的流动通道。
12.根据权利要求9所述的沉积装置，进一步包括被连接到所述第一压板的流动通道并被连接到所述第一基底安装构件的连接单元的管道，所述第一压板的所述流动通道被配置为容纳通过所述第一基底安装构件的所述连接单元提供的制冷剂并被配置为传送用于冷却所述第一基底的所述制冷剂。
13.根据权利要求12所述的沉积装置，进一步包括被连接到所述第一基底安装构件的所述连接单元、被配置为将所述冷却剂传送到所述第一基底安装构件的所述连接单元、并被配置为当所述第一基底安装构件相对于所述溅射单元移动时变形的管。
14.一种制造显示装置的方法，该方法包括: 在第一显示单元和第二显示单元之间设置溅射单元，所述溅射单元具有第一开口和第二开口，所述第一显示单元被设置在第一基底上，所述第二显示单元被设置在第二基底上；和 同时通过所述第一开口将第一组材料提供在所述第一显示单元上并通过所述第二开口将第二组材料提供在所述第二显示单元上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一组材料和所述第二组材料中的至少一个包括低温粘度转变无机材料。
16.根据权利要求14所述的方法，进一步包括:相对于所述溅射单元在同一方向上同时移动所述第一显示单元和所述第二显示单元。
17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括:在第一基底安装构件上安装所述第一基底， 其中所述第一基底安装构件具有位于所述第一基底安装构件的两个部分之间的开口，并且 其中所述开口的平行于第一坐标轴的宽度等于或大于所述溅射单元的平行于所述第一坐标轴的长度。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一基底安装构件的所述两个部分在垂直于所述第一坐标轴的方向上不与所述溅射单元重叠。
19.根据权利要求14所述的方法，进一步包括: 在第一基底安装构件上安装所述第一基底； 用压板将所述第一基底紧固在所述第一基底安装构件上；和 通过所述压板的流动通道提供制冷剂来冷却所述第一基底。
20.根据权利要求14所述的方法，进一步包括: 将所述溅射单元支撑在地面上；和 将所述第一基底和所述第二基底的每一个设置为垂直于所述地面。
【文档编号】C23C14/34GK104342620SQ201410155011
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年4月17日 优先权日:2013年7月29日
【发明者】金佑铉 申请人:三星显示有限公司