一种搪锡处理方法

文档序号:3317724阅读:1306来源:国知局
一种搪锡处理方法
【专利摘要】本发明所述一种搪锡处理方法,属于化学处理工艺领域。其特征在于包括如下步骤:(1)首先将引线的根部用纱布进行缠裹;(2)然后将已涂覆助焊剂的镀金引线在搪锡专用锡锅中浸2s~3s,温度保持在250℃~270℃之间;(3)再将引线浸入普通锡锅中进行二次搪锡,时间与温度与步骤(1)中搪锡锡锅相同。采用双锡锅对搪锡电路板静止浸锡,在无机械损伤的前提下通过两次热冲击,较彻底的完成搪锡操作,一致性好,本发明所述搪锡处理方法过程简单且易于推广。
【专利说明】一种搪锡处理方法

【技术领域】
[0001]本发明属于化学处理工艺领域,尤其涉及一种搪锡处理方法。

【背景技术】
[0002]金由于其具有化学稳定性好、不易氧化、焊接性能好、耐磨、导电性能好和接触电阻小等一系列优点,被广泛应用于电子行业中。金的作用是保护新鲜的镍层表面,防止其氧化,从而提高可焊性,印制板焊盘镀层以及电子元器件引线镀层大多采用这种方式。镀金的表面处理方式,很好地解决了防氧化问题,但是在焊接中也存在一定的可靠性问题,即“金脆”现象。近年,由于“金脆”导致的焊点脆化和强度不足问题越来越受到重视,高可靠的应用场合,要求在焊接前必须进行搪锡处理。


【发明内容】

[0003]本发明旨在提供一种高效彻底的搪锡处理方法。
[0004]本发明所述一种搪锡处理方法,其特征在于包括如下步骤:
(O首先将引线进行去氧化层处理,之后将其根部用纱布进行缠裹;
(2)然后将已涂覆助焊剂的镀金引线在搪锡专用锡锅中浸2iT3S,温度保持在2500C ~270°C之间; (3)再将引线浸入普通锡锅中进行二次搪锡,时间为2iT3S,温度保持在250°C^270°C之间。
[0005]本发明所述的一种搪锡处理方法,其特征在于所述的步骤(1)中引线的缠裹长度为 Smm^ 10mnin
[0006]本发明所述的一种搪锡处理方法,其特征在于所述的步骤(2)中搪锡锡锅中焊料金杂质的含量不小于等于1%。
[0007]本发明所述的一种搪锡处理方法,其特征在于所述的步骤(3)中焊料的金杂质含量小于等于0.3%。
[0008]本发明所述的一种搪锡处理方法,其特征在于所述的步骤(1)中的引线去氧化用加热或用砂纸打磨的处理方式。
[0009]本发明所述一种搪锡处理方法,采用双锡锅对搪锡电路板静止浸锡,在无机械损伤的前提下通过两次热冲击,较彻底的完成搪锡操作,一致性好,本发明所述搪锡处理方法过程简单且易于推广。

【具体实施方式】
[0010]本发明所述一种搪锡处理方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)首先将引线进行去氧化层处理,之后将其根部用纱布进行缠裹;
(2)然后将已涂覆助焊剂的镀金引线在搪锡专用锡锅中浸2iT3S,温度保持在2500C ~270°C之间;(3)再将引线浸入普通锡锅中进行二次搪锡,时间为2iT3S,温度保持在250°C ^270°C之间。
[0011]本发明所述的一种搪锡处理方法,所述的步骤(1)中引线的缠裹长度为5mnTl0mm。所述的步骤(2)中搪锡锡锅中焊料金杂质的含量不小于等于1%。所述的步骤
(3)中焊料的金杂质含量小于等于0.3%。所述的步骤(1)中的引线去氧化用加热或用砂纸打磨的处理方式。
[0012] 本发明所述搪锡处理方法中对于锡锅的采用可以很好的保证镀金引线具有更好的传热效率,搪锡更加的彻底均匀。在处理中首先将引线的根部用纱布进行缠裹,以此防止焊料沿引线爬升,对器件本体造成损害;当对一些热敏感器件进行处理时还应进行散射处理。
【权利要求】
1.一种搪锡处理方法,其特征在于包括如下步骤: (1)首先将引线进行去氧化层处理,之后将其根部用纱布进行缠裹; (2)然后将已涂覆助焊剂的镀金引线在搪锡专用锡锅中浸2iT3S,温度保持在2500C ~270°C之间; (3)再将引线浸入普通锡锅中进行二次搪锡,时间为2iT3S,温度保持在250°C^270°C之间。
2.如权利要求1所述的一种搪锡处理方法,其特征在于所述的步骤(1)中引线的缠裹长度为 10mnin
3.如权利要求1所述的一种搪锡处理方法,其特征在于所述的步骤(2)中搪锡锡锅中焊料金杂质的含量不小于等于1%。
4.如权利要求1所述的一种搪锡处理方法,其特征在于所述的步骤(3)中焊料的金杂质含量小于等于0.3%。
5.如权利要求1所述的一种搪锡处理方法,其特征在于所述的步骤(1)中的引线去氧化用加热或用砂纸打磨的处理方式。
【文档编号】C23C2/38GK104178720SQ201410365156
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日
【发明者】贾卫东, 魏军锋 申请人:西安三威安防科技有限公司
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