一种合成铜盘的排污结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种合成铜盘的排污结构，包括铜盘主体和排污结构，铜盘主体包括内环区和外环区，排污结构包括排污入口、排污通道以及排污出口；上述的排污入口位于铜盘主体的内环区且位置低于铜盘主体的表面，排污入口与铜盘主体表面之间设置有直角沟槽结构，排污入口通过排污通道与排污出口相连接，所述排污通道位于铜盘主体的内部，所述排污出口位于铜盘主体的侧壁；即通过在排污入口处增加了直角沟槽结构，从而使得产生的废液可以堆积在内环区的低凹处，进而使得废液快速流入到该排污孔内，最终实现了加速排污的效果，达到了提高生产效率的目的。
【专利说明】一种合成铜盘的排污结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及研磨盘领域，特别涉及一种合成铜盘的排污结构。
【背景技术】
[0002]特殊工件对于其表面的平整度有要求，如LED芯片、LED衬底、LED显示屏光学晶体、硅片、化合物晶体、液晶面板、宝石、陶瓷、锗片、金属工件等，通常这些工件表面的平整工艺需要研磨盘，再配以研磨液进行抛光。
[0003]由于研磨盘需要与研磨液配合使用，而使用后的研磨液则需要从研磨盘上排放掉，现有的排污结构虽然能够实现对废液的排污效果，但排污效率较低，从而影响了整个生产流程的生产效率，进而导致了生产成本的提高。
实用新型内容
[0004]为了解决上述问题，本实用新型提供本一种合成铜盘的排污结构，可以在现有技术的基础上，实现快速排污的效果。
[0005]本实用新型中的一种合成铜盘的排污结构，包括铜盘主体和排污结构，所述铜盘主体包括内环区和外环区，所述排污结构包括排污入口、排污通道以及排污出口 ；其中，所述排污入口位于铜盘主体的内环区且位置低于铜盘主体的表面，所述排污入口与铜盘主体表面之间设置有直角沟槽结构，所述排污入口通过排污通道与排污出口相连接，所述排污通道位于铜盘主体的内部，所述排污出口位于铜盘主体的侧壁。
[0006]上述结构中，所述铜盘主体的内环区还设置有安装孔。
[0007]上述结构中，所述直角沟槽结构的深度为10mm。
[0008]上述结构中，所述合成铜盘包含两个排污结构。
[0009]上述结构中，所述两个排污结构设置于合成铜盘的同一条直径上。
[0010]本实用新型的优点和有益效果在于:本实用新型提供一种合成铜盘的排污结构，通过在排污入口处增加了直角沟槽结构，从而使得产生的废液可以堆积在该直角沟槽中，进而使得废液快速流入到该排污孔内，最终实现了加速排污的效果，达到了提高生产效率的目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本实用新型中合成铜盘的截面示意图。
[0013]图中:1、内环区2、外环区31、排污入口 32、排污通道33、排污出口 4、安装孔【具体实施方式】
[0014]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
[0015]如图1所示，本实用新型是一种合成铜盘的排污结构，包括铜盘主体和排污结构，其中，铜盘主体包括内环区I和外环区2，内环区I比外环区2更靠近合成铜盘的圆心；
[0016]优选的，内环区I内设置有安装孔4，以便实现更为方便的合成铜盘的安装工作。
[0017]进一步的，排污结构包括排污入口 31、排污通道32以及排污出口 33，其中，排污入口 31位于铜盘主体的内环区1，且位置低于铜盘主体的表面，以便废液排出，而且排污入口 31与铜盘主体表面之间设置有直角沟槽结构(未在图中标出)，该直角沟槽结构的深度为IOmm,由于增加了该直角沟槽结构，再通过地球引力的作用，便可以实现加速排污的效果；
[0018]同时，排污入口 31通过排污通道32与排污出口 33相连接，所述排污通道32位于铜盘主体的内部，所述排污出口 33位于铜盘主体的侧壁；即废液通过排污入口 31进入到排污通道32内，再由排污出口 33将废液排出，以此实现排污效果。
[0019]优选的，上述合成铜盘包含两个排污结构，且该两个排污结构设置于合成铜盘的同一条直径上，以便实现更好的排污效果。
[0020]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种合成铜盘的排污结构，包括铜盘主体和排污结构，所述铜盘主体包括内环区和外环区，所述排污结构包括排污入口、排污通道以及排污出口 ；其特征在于，所述排污入口位于铜盘主体的内环区且位置低于铜盘主体的表面，所述排污入口与铜盘主体表面之间设置有直角沟槽结构，所述排污入口通过排污通道与排污出口相连接，所述排污通道位于铜盘主体的内部，所述排污出口位于铜盘主体的侧壁。
2.根据权利要求1所述的合成铜盘的排污结构，其特征在于，所述铜盘主体的内环区还设置有安装孔。
3.根据权利要求1所述的合成铜盘的排污结构，其特征在于，所述直角沟槽结构的深度为10_。
4.根据权利要求1所述的合成铜盘的排污结构，其特征在于，所述合成铜盘包含两个排污结构。
5.根据权利要求1所述的合成铜盘的排污结构，其特征在于，所述两个排污结构设置于合成铜盘的同一条直径上。
【文档编号】B24B37/16GK203680025SQ201420031421
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年1月18日 优先权日:2014年1月18日
【发明者】朱孟奎 申请人:上海百兰朵电子科技有限公司