技术总结
本实用新型公开了一种溅射腔室及物理气相沉积设备，属于半导体制造技术领域，包括腔室壁，其内部固定有一盖环；基座，用于承载晶圆，基座设置于盖环的下方；圆筒状的托举装置，围绕基座设置，托举装置的内壁上设置一环形的台阶；基座具有相对伸出于托举装置的沉积位置，和位于托举装置内的冷却位置，冷却位置低于沉积位置；基座处于沉积位置时，盖环覆盖晶圆的边缘；基座处于冷却位置时，基座的上端面位于托举装置的顶部和台阶之间。上述技术方案的有益效果是：给基座增设一冷却位置，于气相沉积完成后，基座由沉积位置下降至冷却位置使晶圆与盖环脱离，避免晶圆与盖环连接处的沉积物在冷却后造成晶圆与盖环的粘连，进而避免晶圆破片。
技术研发人员：沈开春;陈勇;刘艺
受保护的技术使用者：中航（重庆）微电子有限公司
技术研发日：2017.12.29
技术公布日：2019.01.01