一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程的制作方法

1.本发明涉及镀膜工艺领域，尤其涉及一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程。


背景技术：

2.电磁屏蔽是电磁兼容工程中广泛采用的抑制电磁骚扰的有效方法之一。所谓屏蔽,就是用导电导磁材料制成的屏蔽体将电磁波限定在一定的范围内，使电磁波从屏蔽体的一面耦合或辐射到另一面时受到抑制或衰减。笔记本电脑、gps、adsl和移动电话等3c产品都会因高频电磁波干扰产生杂讯，影响通讯品质。
3.目前市面上的电磁屏蔽膜常出现贴合不紧密的情况，最终导致电磁泄露造成电磁干扰。


技术实现要素：

4.为了克服现有技术方案的不足,本发明提供一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，能够解决背景技术提出的问题。
5.本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，包括以下步骤：s1.包裹载体膜，在待镀膜产品的外侧包上载体膜；s2.包裹绝缘层，在载体膜的外侧包裹绝缘层；s3.涂布复合金属层，在绝缘层的外侧涂布复合金属层得到半成品；s4.真空镀膜，将步骤s3中的半成品移动到真空环境中，并在真空环境中放置金属铜，随后升温使得金属铜蒸发并凝结在半成品的表面形成电磁屏蔽层，在该过程中定时循环地将半成品进行翻转。
6.进一步的，所述步骤s1-s4最终得到的产品的上下两端面设有对称分布的屏蔽膜，所述屏蔽膜由载体膜、绝缘层、复合金属层及电磁屏蔽层由内自外依次叠放组成。
7.进一步的，所述步骤s4之后还包括有涂布导电胶层，具体为分别在载体膜的内侧及电磁屏蔽层的外侧涂布上导电胶层；进一步的，所述步骤s4中，真空环境中残余气体的压力要求为0.1～1pa；进一步的，所述步骤s4中，升温蒸发金属铜的温度为2570-2600℃；进一步的，所述步骤s3中，涂布复合金属层采用毛刷进行涂布且涂布速度限制为15-25m/min；进一步的，所述步骤s4中，将半成品进行翻转的时间间隔为15分钟翻转一次。
8.与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，第一步在产品的表面设置便于进行贴合的载体膜，随后再在载体膜上进行镀膜，有效保证了镀膜的贴合性，同时在进行真空镀铜的过程中，定时将产品进行翻转，使得产品的上下面均能够镀有铜屏蔽膜，具有优良的屏蔽电磁干扰的性能。
附图说明
9.图1为本发明的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程图；图2为本发明的一种双面涂铜电阻屏蔽膜最终产品的结构示意图。
10.图中标号：1-载体膜；2-绝缘层；3-复合金属层；4-电磁屏蔽层；5-产品。
具体实施方式
11.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
12.下面结合图1-2对本发明的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程作详细的描述：一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，包括以下步骤：s1.包裹载体膜，在待镀膜产品的外侧包上载体膜；s2.包裹绝缘层，在载体膜的外侧包裹绝缘层；s3.涂布复合金属层，在绝缘层的外侧涂布复合金属层得到半成品；s4.真空镀膜，将步骤s3中的半成品移动到真空环境中，并在真空环境中放置金属铜，随后升温使得金属铜蒸发并凝结在半成品的表面形成电磁屏蔽层，在该过程中定时循环地将半成品进行翻转；优选地，所述步骤s1-s4最终得到的产品的上下两端面设有对称分布的屏蔽膜，所述屏蔽膜由载体膜1、绝缘层2、复合金属层3及电磁屏蔽层4由内自外依次叠放组成；优选地，所述步骤s4之后还包括有涂布导电胶层，具体为分别在载体膜的内侧及电磁屏蔽层的外侧涂布上导电胶层；优选地，所述步骤s4中，真空环境中残余气体的压力要求为0.1～1pa；优选地，所述步骤s4中，升温蒸发金属铜的温度为2570-2600℃；优选地，所述步骤s3中，涂布复合金属层采用毛刷进行涂布且涂布速度限制为15-25m/min；进一步的，所述步骤s4中，将半成品进行翻转的时间间隔为15分钟翻转一次。
13.综上所述，本发明的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，第一步在产品的表面设置便于进行贴合的载体膜，随后再在载体膜上进行镀膜，有效保证了镀膜的贴合性，同时在进行真空镀铜的过程中，定时将产品进行翻转，使得产品的上下面均能够镀有铜屏蔽膜，具有优良的屏蔽电磁干扰的性能。
14.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。


技术特征：
1.一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，其特征在于，包括以下步骤：s1.包裹载体膜，在待镀膜产品的外侧包上载体膜；s2.包裹绝缘层，在载体膜的外侧包裹绝缘层；s3.涂布复合金属层，在绝缘层的外侧涂布复合金属层得到半成品；s4.真空镀膜，将步骤s3中的半成品移动到真空环境中，并在真空环境中放置金属铜，随后升温使得金属铜蒸发并凝结在半成品的表面形成电磁屏蔽层，在该过程中定时循环地将半成品进行翻转。2.根据权利要求1所述的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，其特征在于：所述步骤s1-s4最终得到的产品的上下两端面设有对称分布的屏蔽膜，所述屏蔽膜由载体膜、绝缘层、复合金属层及电磁屏蔽层由内自外依次叠放组成。3.根据权利要求1所述的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，其特征在于：所述步骤s4之后还包括有涂布导电胶层，具体为分别在载体膜的内侧及电磁屏蔽层的外侧涂布上导电胶层。4.根据权利要求1所述的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，其特征在于：所述步骤s4中，真空环境中残余气体的压力要求为0.1～1pa。5.根据权利要求1所述的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，其特征在于：所述步骤s4中，升温蒸发金属铜的温度为2570-2600℃。6.根据权利要求1所述的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，其特征在于：所述步骤s3中，涂布复合金属层采用毛刷进行涂布且涂布速度限制为15-25m/min。7.根据权利要求1所述的一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，其特征在于：所述步骤s4中，将半成品进行翻转的时间间隔为15分钟翻转一次。

技术总结
本发明公开一种双面涂铜电阻屏蔽膜的工艺流程，包括以下步骤：S1.包裹载体膜，在待镀膜产品的外侧包上载体膜；S2.包裹绝缘层，在载体膜的外侧包裹绝缘层；S3.涂布复合金属层，在绝缘层的外侧涂布复合金属层得到半成品；S4.真空镀膜，将步骤S3中的半成品移动到真空环境中，并在真空环境中放置金属铜，随后升温使得金属铜蒸发并凝结在半成品的表面形成电磁屏蔽层，在该过程中定时循环地将半成品进行翻转；第一步在产品的表面设置便于进行贴合的载体膜，随后再在载体膜上进行镀膜，有效保证了镀膜的贴合性，同时在进行真空镀铜的过程中，定时将产品进行翻转，使得产品的上下面均能够镀有铜屏蔽膜，具有优良的屏蔽电磁干扰的性能。能。能。


技术研发人员：刘兴保
受保护的技术使用者：惠州市七点光电科技有限公司
技术研发日：2022.01.14
技术公布日：2022/5/6