一种红外截止滤光片的镀膜方法

文档序号:9230517阅读:1329来源:国知局
一种红外截止滤光片的镀膜方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种滤光片的镀膜方法,尤其是涉及一种红外截止滤光片的镀膜方 法。
【背景技术】
[0002] 现有的红外截止滤光片,在用于制造镜头的过程中,较易产生脏污和灰尘点,并且 要擦拭干净十分不易,由此大大降低了生产效率及生产成本。

【发明内容】

[0003] 本发明的目的,就是为了解决上述问题而提供了一种红外截止滤光片的镀膜方 法,有效解决红外截止滤光片的表面防污和难擦拭问题。
[0004] 本发明的目的是这样实现的:
[0005] 本发明的一种红外截止滤光片的镀膜方法,包括以下步骤:
[0006] (1)切割基片,使基片成型;
[0007] (2)镀前对基片进行超声波清洗;
[0008] (3)红外截止滤光片的膜层的镀制:使用的膜料为五氧化三钛、二氧化硅和超硬 防水膜料,其中,五氧化三钛膜料的预熔为采用十二个坩埚逐次预熔,镀膜方式采用电子束 镀膜,镀制过程采用两种过程,首先是五氧化三钛、二氧化硅和超硬防水膜料的沉积过程, 其次是等离子源的辅助轰击镀膜过程;
[0009] (4)检测环节;
[0010] (5)切割;
[0011] (6)镀后超声波清洗;
[0012] (7)检测环节;
[0013] 通过上述的过程制成成品滤光片。
[0014] 上述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其中,所述检测环节中使用晶振厚度法 和光控极值法两种方法同时监控。
[0015] 上述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其中,步骤(2)和(6)中的超声波清洗包 括以下步骤:
[0016] 对一号清洗槽加入25L脱膜剂,控制药液温度50°C ±2°C,对五号清洗槽加入65L 纯水与4L超精密清洗剂,控制药液温度45°C ±2°C,对七号槽加入65L纯水与4升超精密 清洗剂,控制药液温度45 °C ± 2 °C ;
[0017] 二号、四号、六号、八号、九号、十号、十一号清洗槽用常温纯水漂洗;
[0018] 十二号常温纯水慢拉烘干槽,温度58°C ±2°C,十三号槽去离子热风烘干,温度 35°C ±2°C ;
[0019] 将插好基片的清洗网放入一号清洗槽开始清洗,按照一号至十五号清洗槽的顺序 依次清洗,清洗速度为每5分钟一个槽,直到最后一槽结束;
[0020] 超声波的功率为900W,频率值的设定为28KHZ~40KHZ。
[0021] 上述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其中,步骤(3)中,采用十二个坩埚进行 逐次预熔,其中电子束技术参数设定如下:
[0022] 五氧化三钛X~0~1.5 Y~0~2.0功率550预熔时间75min。
[0023] 上述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其中,步骤(3)中,三种膜料沉积过程 中,电子束的技术参数如下:
[0024] 五氧化三钛放电功率7. 5-8. OKW沉积速率4nm/s偏转电流0. 5-1. 2A ;
[0025] 二氧化硅放电功率5. 0-6. OKW沉积速率15nm/s偏转电流0· 5-1. 2A ;
[0026] 超硬防水膜料放电功率5. 0-6. OKW沉积速率8nm/s偏转电流0. 5-1. 2A。
[0027] 原有生产工艺,是采用两种不同折射率的材料沉积而成的,不足之处是镀制出的 产品表面比较粗糙对在镜头的制成过程中容易产生脏污和灰尘点,而且不易擦拭。本发明 通过工艺改进,采用特定的超声波清洗器的参数设定和清洗液的配比,有效的提高了超声 波清洗器的清洗效果,在膜层最外面加95nm厚度的超硬防水膜,通过采用上述工艺调整杜 绝了镀膜过程中膜料形成的"表面粗糙难擦拭"和"容易有脏污和灰尘点"等异常现象。
【具体实施方式】
[0028] 下面将结合实施例,对本发明作进一步说明。
[0029] 本发明红外截止滤光片的镀膜方法,包括以下步骤:
[0030] (1)切割基片,使基片成型;
[0031] (2)镀前对基片进行超声波清洗;
[0032] (3)红外截止滤光片的膜层的镀制:使用的膜料为五氧化三钛、二氧化硅和超硬 防水膜料,其中,五氧化三钛膜料的预熔为采用十二个坩埚逐次预熔,镀膜方式采用电子束 镀膜,镀制过程采用两种过程,首先是五氧化三钛、二氧化硅和超硬防水膜料的沉积过程, 其次是等离子源的辅助轰击镀膜过程;
[0033] (4)检测环节;
[0034] (5)切割;
[0035] (6)镀后超声波清洗;
[0036] (7)检测环节;
[0037] 通过上述的过程制成成品滤光片。
[0038] 检测环节中使用晶振厚度法和光控极值法两种方法同时监控。
[0039] 步骤⑵和(6)中的超声波清洗包括以下步骤:
[0040] 对一号清洗槽加入25L脱膜剂,控制药液温度50°C ± 2°C,对五号清洗槽加入65L 纯水与4L超精密清洗剂,控制药液温度45°C ±2°C,对七号槽加入65L纯水与4升超精密 清洗剂,控制药液温度45 °C ± 2 °C ;
[0041] 二号、四号、六号、八号、九号、十号、十一号清洗槽用常温纯水漂洗;
[0042] 十二号常温纯水慢拉烘干槽,温度58°C ±2°C,十三号槽去离子热风烘干,温度 35°C ±2°C ;
[0043] 将插好基片的清洗网放入一号清洗槽开始清洗,按照一号至十五号清洗槽的顺序 依次清洗,清洗速度为每5分钟一个槽,直到最后一槽结束;
[0044] 超声波的功率为900W,频率值的设定为28KHZ~40KHZ。
[0045] 步骤(3)中,采用十二个坩埚进行逐次预熔,其中电子束技术参数设定如下:
[0046] 五氧化三钛X~0~1.5 Y~0~2.0功率550预熔时间75min。
[0047] 上述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其中,步骤(3)中,三种膜料沉积过程 中,电子束的技术参数如下:
[0048] 五氧化三钛放电功率7. 5-8. OKW沉积速率4nm/s偏转电流0. 5-1. 2A ;
[0049] 二氧化硅放电功率5. 0-6. OKW沉积速率15nm/s偏转电流0· 5-1. 2A ;
[0050] 超硬防水膜料放电功率5. 0-6. OKW沉积速率8nm/s偏转电流0. 5-1. 2A。
[0051] 镀膜采用先进的日本光驰机0TFC1300镀膜机,利用等离子源的辅助轰击镀膜方 式使膜层的致密度大大提高,而且在镀制过程中实施光控极值法和英菲康膜后晶振两种方 法监控,使镀制的光学指标有不断补偿和调整功能,达到光学膜系设计和制造工艺的统一 协调性。
[0052] 镀膜过程中工艺参数如下:
[0054] 本实施例中超硬防水膜料采用韩国度恩公司(DON CO.,LTD)的SH-HT(3G)产品。
[0055] 上述红外截止滤光片经过以下实验检测:
[0056] 高温实验
[0057] 实验条件:温度85°C 168H
[0058] 实验设备:高低温实验机ETH-150-40-CP-SD (苏州巨孚仪器有限公司)
[0059] 镀膜材料:五氧化三钛、二氧化硅和超硬防水膜料
[0060] 测试仪器:岛津UV-1700

[0063] 低温实验
[0064] 实验条件:温度_40°C 168H
[0065] 实验设备:高低温实验机ETH-150-40-CP-SD (苏州巨孚仪器有限公司)
[0066] 镀膜材料:五氧化三钛、二氧化硅和超硬防水膜料
[0067] 测试仪器:岛津UV-1700
[0069] 高低温实验
[0070] 实验条件:温度85°C变化_40°C (I. 5H) 100次循环
[0071] 实验设备:高低温实验机ETH-150-40-CP-SD (苏州巨孚仪器有限公司)
[0072] 镀膜材料:五氧化三钛、二氧化硅和超硬防水膜料
[0073] 测试仪器:岛津UV-1700
[0074]
[0075] 高温高湿实验
[0076] 实验条件:温度65°C湿度90% 168H
[0077] 实验设备:高低温实验机ETH-150-40-CP-SD (苏州巨孚仪器有限公司)
[0078] 镀膜材料:五氧化三钛、二氧化硅和超硬防水膜料
[0079] 测试仪器:岛津UV-1700
[0081] 通过上述检测可见,本发明镀膜方法制得的红外截止滤光片,其膜层与基片的附 着力极佳,特别是在恶劣环境下也依然保持较高的附着力。
[0082] 以下是本发明镀膜方法制得的红外截止滤光片的表面光滑度、防水和耐磨测试, 测试结果如下:
[0083]
[0084] 从上表可知,本发明镀膜方法制得的红外截止滤光片的表面光滑度、防水和耐磨 性能优良,由此杜绝了镀膜过程中膜料形成的"表面粗糙难擦拭"和"容易有脏污和灰尘点" 等异常现象。
[0085] 以上实施例仅供说明本发明之用,而非对本发明的限制,有关技术领域的技术人 员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以作出各种变换或变型,因此所有等同的 技术方案也应该属于本发明的范畴,应由各权利要求所限定。
【主权项】
1. 一种红外截止滤光片的镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤: (1) 切割基片,使基片成型; (2) 镀前对基片进行超声波清洗; (3) 红外截止滤光片的膜层的镀制:使用的膜料为五氧化三钛、二氧化硅和超硬防水 膜料,其中,五氧化三钛膜料的预熔为采用十二个坩埚逐次预熔,镀膜方式采用电子束镀 膜,镀制过程采用两种过程,首先是五氧化三钛、二氧化硅和超硬防水膜料的沉积过程,其 次是等离子源的辅助轰击镀膜过程; (4) 检测环节; (5) 切割; (6) 镀后超声波清洗; (7) 检测环节; 通过上述的过程制成成品滤光片。2. 如权利要求1所述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其特征在于,所述检测环节 中使用晶振厚度法和光控极值法两种方法同时监控。3. 如权利要求1所述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其特征在于,步骤(2)和(6) 中的超声波清洗包括以下步骤: 对一号清洗槽加入25L脱膜剂,控制药液温度50°C ± 2°C,对五号清洗槽加入65L纯水 与4L超精密清洗剂,控制药液温度45°C ±2°C,对七号槽加入65L纯水与4升超精密清洗 剂,控制药液温度45 °C ± 2 °C ; 二号、四号、六号、八号、九号、十号、十一号清洗槽用常温纯水漂洗; 十二号常温纯水慢拉烘干槽,温度58 °C ±2 °C,十三号槽去离子热风烘干,温度 35°C ±2°C ; 将插好基片的清洗网放入一号清洗槽开始清洗,按照一号至十五号清洗槽的顺序依次 清洗,清洗速度为每5分钟一个槽,直到最后一槽结束; 超声波的功率为900W,频率值的设定为28KHZ~40KHZ。4. 如权利要求1所述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其特征在于,步骤(3)中,采 用十二个坩埚进行逐次预熔,其中电子束技术参数设定如下: 五氧化三钛X~0~1.5 Y~0~2. O功率550预熔时间75min。5. 如权利要求1所述的一种红外截止滤光片的镀膜方法,其特征在于,步骤(3)中,三 种膜料沉积过程中,电子束的技术参数如下: 五氧化三钛放电功率7. 5-8. OKW沉积速率4nm/s偏转电流0. 5-1. 2A ; 二氧化硅放电功率5. 0-6. OKW沉积速率15nm/s偏转电流0. 5-1. 2A ; 超硬防水膜料放电功率5. 0-6. OKW沉积速率8nm/s偏转电流0. 5-1. 2A。
【专利摘要】本发明公开了一种红外截止滤光片的镀膜方法,包括以下步骤:(1)切割基片,使基片成型;(2)镀前对基片进行超声波清洗;(3)红外截止滤光片的膜层的镀制:(4)检测环节;(5)切割;(6)镀后超声波清洗;(7)检测环节。本发明通过工艺改进,采用特定的超声波清洗器的参数设定和清洗液的配比,有效的提高了超声波清洗器的清洗效果,在膜层最外面加95nm厚度的超硬防水膜,通过采用上述工艺调整杜绝了镀膜过程中膜料形成的“表面粗糙难擦拭”和“容易有脏污和灰尘点”等异常现象。
【IPC分类】C23C14/10, C23C14/08, C23C14/06, C23C14/30
【公开号】CN104947044
【申请号】CN201510435941
【发明人】吴险峰, 吕涛, 赵年宏, 孙怀张
【申请人】上海巨煌光电科技有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年7月22日
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