一种mocvd系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体外延生长、化学气相沉积系统，特别是一种可清扫碎肩的MOCVDo
【背景技术】
[0002]金属有机物化学气相沉积(M0CVD)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺，用于生长外延晶片。它是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在蓝宝石衬底或其他衬底上进行外延沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。
[0003]如图1所示，现有的M0CVD系统包括，反应腔(即第一腔室)、排气孔和外壳，现有产业化的M0CVD都有旋转功能，在高速旋转外延片离旋转中心距离越远，所受的离心力越大，很容易使外延片飞离反应腔，跌落到气孔的位置而堵塞。尤其在生长4寸或者更大尺寸的衬底时，碎片尺寸更大，堵塞会更加严重。这种堵塞会引起流场的不均匀，而需要打开反应腔室清理碎片。从而带来工艺的不稳定以及产能的降低。
【发明内容】
[0004]为了解决上述不足，包括第一腔室和外壳，第一腔室包含环形衬板和排气孔，排气孔位于环形衬板内，系统用于生长外延晶片。
[0005]根据本发明，优选的，所述环形衬板由复数块子衬板和移动件组成，所述子衬板分别通过移动件移动，所述子衬板通过移动实现晶片碎片的清除功能。
[0006]根据本发明，优选的，所述子衬板一端具有弧形结构，相邻两子衬板具有弧形结构的一端连接组成孔状结构，所述孔状结构与所述排气孔的进气口对应。
[0007]根据本发明，优选的，所述排气孔与排气管相连，所述排气管管壁上分布有复数个孔洞。
[0008]根据本发明，优选的，所述环形衬板下方设有第二腔室，用于承载从子衬板清理下来的晶片碎片。
[0009]根据本发明，优选的，所述第二腔室具有排肩孔。
[0010]根据本发明，优选的，所述第二腔室底部具有波浪状起伏，排肩孔位于波浪状的波谷，便于晶片的碎片排出。
[0011 ] 根据本发明，优选的，所述排肩孔数目与移动件数目相同。
[0012]根据本发明，优选的，所述排肩孔位于对应移动件的正下方。
[0013]根据本发明，优选的，所述移动件固定在外壳上，通过电路受外部控制。
[0014]根据本发明，优选的，所述移动件优选为旋转件。
[0015]本发明的一种M0CVD系统，与传统的M0CVD机台相比，至少包括以下技术效果:通过子衬板可绕旋转件做旋转，通过子衬板的旋转形成倾倒角度、改变孔状结构的面积，而将碎片从环形衬板上倾倒在第二腔室内，从而实现不需打开第一腔室，而能解决碎片堵塞排气孔的问题，提高工艺稳定性、减少维护时间。除了上述有益效果，本发明的其他有益效果将在说明书【具体实施方式】中体现。
【附图说明】
[0016]附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
[0017]图1:现有技术的M0CVD系统示意图；
图2:实施例1的M0CVD系统示意图；
图3:实施例2的M0CVD系统示意图；
图4:实施例2的M0CVD系统的透视图；
图5:实施例3的M0CVD系统示意图；
图6:实施例3的M0CVD系统的透视图；
图7:实施例4的M0CVD系统示意图；
图8:实施例4的M0CVD系统的透视图。
[0018]图中标注:11、第一腔室，12、第二腔室，121、排肩孔，122、第二腔室底部，21、排气孔，22、排气管，221、孔洞，3、外壳，41、第一子衬板，42、第二子衬板，431、旋转件，432、伸缩件。
【具体实施方式】
[0019]下面结合示意图对本发明进行详细的描述，在进一步介绍本发明之前，应当理解，由于可以对特定的实施例进行改造，因此，本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解，由于本发明的范围只由所附权利要求限定，因此所采用的实施例只是介绍性的，而不是限制性的。除非另有说明，否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。
[0020]实施例1
参看图2，本实施例的M0CVD反应系统包括:第一腔室11和外壳3，第一腔室11包含环形衬板和排气孔21，排气孔21位于环形衬板内。第一腔室11为金属有机物化学气相沉积的反应腔，环形衬板由复数块子衬板和旋转件431组成，本实施例子衬板优选为8块，其中相邻的两块衬板分别为第一子衬板41和第二子衬板42，第一子衬板41和第二子衬板42各自与旋转件431连接，构成一碎片清除装置，用于清理生长晶片过程中因工作异常产生的碎片。旋转件431固定在外壳3上，旋转件431通过电路受外部控制，带动第一子衬板41和第二子衬板42旋转，形成倾倒角度。第一子衬板41和第二子衬板42的一端具有弧形结构，在水平位置时两子衬板具有弧形结构的一端连接组成孔状结构，孔状结构与排气孔21的进气口对应，当第一子衬板41和第二子衬板42旋转时，扩大所述孔状结构的面积，利用倾倒角度清理晶片碎片。排气孔21下方与排气管22连接。
[0021]环形衬板下方设有第二腔室12，用于承载碎片清除装置清理下来的晶片碎片。
[0022]实施例2 参看图3，本实施例与实施例1的区别在于排气管22的管壁上分布有复数个孔洞221，本实施例单根排气管优选设置10个孔洞221，排气管22位于第二腔室12中，以利于第二腔室12中废气更快速排出，提高晶片生长质量。
[0023]参看图4，排气管22管壁上的孔洞221，优选设置在远离碎片滑落位置的管壁上，避免碎片掉入排气管22内，造成排气管22堵塞。
[0024]实施例3
参看图5和图6，本实施例与实施例2的区别在于第二腔室底部122具有波浪状起伏，旋转件431正下方的第二腔室底部122设有排肩口 121，排肩孔121数目与旋转件431数目相同，排肩口 121位于波浪状起伏的波谷处，而排气管22位于波浪状起伏的波峰处，波浪状起伏有利于第二腔室底部122上的晶片碎片在重力引导下滑向排肩口 121，减少人工打开第二腔室12的次数。
[0025]实施例4
参看图7和图8，本实施例与实施例3的区别在于通过伸缩件432替代旋转件431，伸缩件432控制第一子衬板41和第二子衬板42伸缩移动，当子衬板缩进伸缩件432时，晶片碎片从子衬板上掉落到第二腔室底部122。
[0026]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种MOCVD系统，包括第一腔室和外壳，第一腔室包含环形衬板和排气孔，排气孔位于环形衬板内，系统用于生长外延晶片，其特征在于，所述环形衬板由复数块子衬板和移动件组成，所述子衬板分别通过移动件移动，所述子衬板通过移动实现晶片碎片的清除功能。2.根据权利要求1所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述子衬板一端具有弧形结构，相邻两子衬板具有弧形结构的一端连接组成孔状结构，所述孔状结构与所述排气孔的进气口对应。3.根据权利要求1所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述排气孔与排气管相连，所述排气管管壁上分布有复数个孔洞。4.根据权利要求1所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述环形衬板下方设有第二腔室，用于承载从子衬板清理下来的晶片碎片。5.根据权利要求4所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述第二腔室具有排肩孔。6.根据权利要求5所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述第二腔室底部具有波浪状起伏，所述排肩孔位于波浪状的波谷，便于晶片的碎片排出。7.根据权利要求5所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述排肩孔数目与移动件数目相同。8.根据权利要求5所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述排肩孔位于对应移动件的正下方。9.根据权利要求1所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述移动件固定在外壳上，通过电路受外部控制。10.根据权利要求1所述的一种M0CVD系统，其特征在于，所述移动件优选为旋转件。
【专利摘要】一种MOCVD系统，包括第一腔室和外壳，第一腔室包含环形衬板和排气孔，排气孔位于环形衬板内，系统用于生长外延晶片，所述环形衬板由复数块子衬板和移动件组成，所述子衬板分别通过移动件移动，所述子衬板通过移动实现晶片碎片的清除功能。
【IPC分类】C23C16/44
【公开号】CN105420687
【申请号】CN201610000710
【发明人】刘建明, 张洁, 朱学亮, 杜成孝, 徐宸科
【申请人】厦门市三安光电科技有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2016年1月4日