布线图案的制造方法和晶体管的制造方法

布线图案的制造方法和晶体管的制造方法
【专利摘要】本发明的布线图案的制造方法具有下述步骤：在基板(2)上形成含有第1形成材料的镀覆基底膜的前体膜(3x)，所述第1形成材料具有由光反应性的保护基保护的氨基；在所述前体膜的表面形成由光致抗蚀剂材料构成的光致抗蚀剂层(4A)；以所需图案光对所述光致抗蚀剂层进行曝光；以所需图案光对所述前体膜进行曝光，形成所述镀覆基底膜(3)；使经曝光的所述光致抗蚀剂层显影的同时去除脱保护后的保护基；使无电解镀覆用催化剂(5)在露出的所述镀覆基底膜的表面析出。
【专利说明】
布线图案的制造方法和晶体管的制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及布线图案的制造方法和晶体管的制造方法。
[0002] 本申请要求基于2014年2月28日申请的日本特愿2014-037874号的优先权，并将其 内容援用于此。
【背景技术】
[0003] 以往，已知有化学镀覆(无电解镀覆），其是利用了基于材料表面的接触作用产生 的还原的镀覆法。在无电解镀覆中不使用电能，因此对于树脂材料、玻璃等非导体也可以实 施镀覆。
[0004] 但是，树脂材料、玻璃等难镀覆材料与所形成的镀覆皮膜之间的密合力弱，镀覆层 容易因镀覆皮膜的内部应力而产生剥落、膨胀等剥离。
[0005] 因此，使用铬酸溶液等在基板的表面实施蚀刻处理，使表面发生化学粗化。由此， 所形成的镀覆皮膜嵌入经粗化的树脂材料的凹凸，因此能够得到密合力(锚定效果）。
[0006] 除此之外，还公开有下述方法:在难镀覆基板的表面上设置S0G(Spin-〇n Glass， 旋涂玻璃）、多孔S0G的基底膜，在该基底膜上进行无电解镀覆(参照专利文献1);在基板表 面上设置由微粉末二氧化硅等填料成分与树脂组成成分构成的基底膜，在该基底膜上进行 无电解镀覆(参照专利文献2)。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1:日本特开2006-2201号
[0010] 专利文献2:日本特开2008-208389号

【发明内容】

[0011] 发明要解决的课题
[0012] 这样的无电解镀覆的技术能够用作形成布线图案的技术。即，在基底膜的表面形 成具有与布线图案对应的开口部的光致抗蚀剂层（以下称为抗蚀剂层），并经由开口部选择 性地进行无电解镀覆，由此能够形成布线图案。
[0013] 但是，根据基底膜的物性，抗蚀剂层的显影时，有时产生显影液溶解基底膜的现 象。此外，基底膜与抗蚀剂层的界面的密合力低的情况下，基底膜与抗蚀剂层有可能在界面 处发生剥离。
[0014] 产生这样的现象时，在基底膜与抗蚀剂层的界面，在宽度方向上被去除的抗蚀剂 层比曝光的规定图案多，从而所形成的布线图案也比对抗蚀剂层进行曝光的设计上的图案 宽。
[0015] 本发明方式的目的在于提供一种布线图案的制造方法，其可以以高尺寸精度形成 所需的图案。此外，本发明方式的目的在于提供一种晶体管的制造方法，其可以使用无电解 镀覆法，制造高性能的晶体管。
[0016] 用于解决课题的手段
[0017] 本发明的一个方式的布线图案的制造方法具有下述步骤:在基板上形成含有第1 形成材料的镀覆基底膜的前体膜，所述第1形成材料具有由光反应性的保护基保护的氨基； 在所述前体膜的表面形成由光致抗蚀剂材料构成的光致抗蚀剂层；以所需图案光对所述光 致抗蚀剂层进行曝光；以所需图案光对所述前体膜进行曝光，形成所述镀覆基底膜;使经曝 光的所述光致抗蚀剂层显影的同时去除脱保护后的保护基;使无电解镀覆用催化剂在露出 的所述镀覆基底膜的表面析出。
[0018] 本发明的一个方式的晶体管的制造方法具有下述步骤:使用上述的布线图案的制 造方法，在基板上形成栅极、源极和漏极的至少一种。
[0019] 发明效果
[0020] 根据本发明的方式，能够提供一种布线图案的制造方法，其可以以高尺寸精度形 成所需图案。此外，根据本发明的方式，能够提供一种晶体管的制造方法，其使用无电解镀 覆法，能制造高性能的晶体管。
【附图说明】
[0021] 图1为以本实施方式的布线图案的制造方法制造的布线图案的示意截面图。
[0022] 图2为示出布线图案的制造方法的工序图。
[0023] 图3为示出布线图案的制造方法的工序图。
[0024] 图4为示出布线图案的制造方法的变形例的工序图。
[0025] 图5为以本实施方式的晶体管的制造方法制造的晶体管的示意截面图。
[0026] 图6为示出晶体管的制造方法的工序图。
[0027] 图7为示出晶体管的制造方法的工序图。
[0028] 图8为示出晶体管的制造方法的工序图。
[0029]图9为示出利用本实施方式的晶体管的制造方法制造的晶体管的变形例的示意截 面图。
[0030] 图10为示出实施例的结果的照片。
[0031] 图11为示出实施例的结果的照片。
[0032] 图12为示出实施例的结果的照片。
[0033] 图13为示出实施例的结果的照片。
[0034]图14为示出实施例的结果的照片。
[0035]图15为示出实施例的结果的照片。
【具体实施方式】
[0036][布线图案的制造方法]
[0037] 以下，参照图1~4对本实施方式的布线图案的制造方法进行说明。需要说明的是， 为了容易观察附图，在以下所有的附图中，各构成要素的尺寸、比例等适当进行了变化。
[0038] 图1为以本实施方式的布线图案的制造方法制造的布线图案的示意截面图。层积 体1具有基板2、基底膜(镀覆基底膜)3、无电解镀覆用的催化剂5、布线图案6。
[0039] 基板2支撑形成于表面的布线图案，根据所形成的布线的规格用途、包含布线的结 构物的目的，可以使用具有透光性的基板和不具有透光性的基板的任一种。可以使用例如 石英玻璃等玻璃;氮化硅等无机物;丙烯酸类树脂、聚碳酸酯树脂、PET (聚对苯二甲酸乙二 酯）、PBT(聚对苯二甲酸丁二酯)等聚酯树脂等有机高分子(树脂)等。
[0040] 这些基板2的材料不与无电解镀覆最终形成的金属制镀覆皮膜形成金属键。因此， 在本实施方式中，将这些基板2的材料视为难以直接形成镀覆皮膜且所形成的镀覆皮膜容 易剥离的难镀覆性的材料。此外，例如上述材料的复合材料等也可以同样地用作基板2的形 成材料。
[0041] 对于本实施方式的层积体1中使用以PET树脂为形成材料的树脂基板作为基板2的 方式进行说明。
[0042] 所形成的基底膜3覆盖基板2的一个主面的整个面。此外，在基底膜3的表面的一部 分选择性设置有催化剂(无电解镀覆用催化剂)5。
[0043] 催化剂5为对无电解镀覆用的镀覆液中所含的金属离子进行还原的催化剂，可以 举出银、金属钯。其中，优选使用金属钯。
[0044] 基底膜3为可以与作为上述催化剂5的金属形成键的膜，以具有可以与该金属键合 的基团的硅烷偶联剂为形成材料。基底膜3是将含有这样的硅烷偶联剂的液态物涂布在基 板2的一个主面上而形成的。
[0045] 作为基底膜3的形成材料的"硅烷偶联剂"为硅原子上键合有可以与作为催化剂5 的金属键合的基团和可以与基板2键合的基团的化合物。上述基板2的材料不与无电解镀覆 最终形成的金属制镀覆皮膜形成金属键，但通过形成这样的基底膜3,能够在基板2的表面 隔着基底膜3适当形成金属制镀覆覆膜。
[0046] 此处，"可以与金属键合的基团"是指该基团可以与作为催化剂5的金属或该金属 的离子形成例如离子键或配位键。在本实施方式中，作为"可以与金属键合的基团"，可以使 用从氨(NH 3)去除1个氢原子而得到的基团（-NH2所表示的基团）、从伯胺(NH2R，R为取代基） 去除1个氢而得到的基团(-NHR所表示的基团）。
[0047] 此外，作为"可以与基板2键合的基团"，可以举出羟基、碳原子数为1至6的烷氧基。 [0048]作为可以用作这样的基底膜3的形成材料的化合物，具体地可以示例N-环己基氨 基丙基三甲氧基硅烷、双（3-(三甲氧基硅烷基）丙基）乙二胺、1-(3-(三甲氧基硅烷基丙 基））脲、双（3-(三甲氧基硅烷基丙基））脲、2,2_二甲氧基-1，6-二氮杂-2-硅杂环辛烷、双 (3_(三甲氧基硅烷基)丙基)硫脲、经三甲氧基硅烷基丙基修饰的聚乙亚胺等。
[0049] 在以下说明中，对于使用作为伯胺(具有-NH2所表示的基团）的硅烷偶联剂形成基 底膜3的方式进行说明。
[0050] 需要说明的是，图中为在基板2的整个上表面形成基底膜3的方式，但也可以仅在 设置有催化剂5的位置选择性形成基底膜3。该情况下，使用通常已知的方法，在基板2的上 表面选择性涂布作为基底膜3的形成材料的硅烷偶联剂，由此能够选择性形成基底膜3。此 外，也可以先在基板2的上表面上的比形成基底膜3的区域宽的区域涂布硅烷偶联剂，接着， 对在从形成基底膜3的区域延出的部分形成的膜照射紫外线，由此将硅烷偶联剂发生分解、 去除，从而选择性形成基底膜3。
[0051] 布线图案6为形成于催化剂5的表面上的金属电极，如后所述，该布线图案6是利用 无电解镀覆而析出于催化剂5的表面的金属形成的。作为布线图案6的材料，可以举出镍-磷 (NiP)、铜(Cu)〇
[0052]图2、3为示出使用本实施方式的布线图案的制造方法的上述层积体1的制造工序 的工序图。
[0053]首先，如图2的(a)所示，在基板2的表面涂布液态物，形成涂膜3A，所述液态物是将 作为基底膜3的形成材料的硅烷偶联剂根据需要溶解于水或有机溶剂中而得到的。作为涂 布的方法，可以示例旋涂、浸涂、喷涂、辊涂、刷涂、柔版印刷、丝网印刷之类的印刷法等通常 已知的方法。
[0054]此处，在本实施方式的布线图案的制造方法中，作为基底膜3的形成材料的硅烷偶 联剂使用具有由光反应性的保护基保护的氨基的形成材料。"具有由光反应性的保护基保 护的氨基的形成材料"与本发明中的"第1材料"对应。这样的材料可以仅使用1种，也可以合 用2种以上。
[0055] "将作为基底膜3的形成材料的硅烷偶联剂根据需要溶解于水或有机溶剂中而得 到的液态物"与本说明书中的"液体物"对应。
[0056]此外，"由光反应性的保护基保护的氨基"是指-NHRX或-NRRX(RX为光反应性的保护 基)所表示的基团。
[0057] 作为"光反应性的保护基"，可以使用公知的各种保护基，只要其对于氨基的N-H键 的氢原子进行取代而与氮原子键合，并且通过照射与保护基的吸收波长对应的特定波长的 光可进行脱保护。
[0058] 作为"光反应性的保护基"，可以使用邻硝基苄基或具有邻硝基苄基骨架的基团。 "具有邻硝基苄基骨架的基团"是指适当利用取代基对邻硝基苄基具有的氢原子进行取代 而得到的基团。
[0059] 作为这样的"具有由光反应性的保护基保护的氨基的形成材料"，可以举出例如下 述式(1)所示的化合物。
[0060] 【化1】
[0062](式中，1表示0~4的自然数，m表示1~20的自然数，η表示1~3的自然数）
[0063]式中Ra为取代邻硝基苄基的芳香环上键合的氢原子的取代基。通过利用Ra进行取 代来变更邻硝基苄基的电子密度，从而变更保护基的吸收波长。选择甲氧基、乙氧基等供电 子基团作为1^时，保护基的吸收波长偏移至长波长侧。此外，选择卤原子那样的吸电子基团 作为1^时，保护基的吸收波长偏移至短波长侧。
[0064]式中Rb为例如碳原子数为1~20的烷基或芳基。此外，式中X为例如卤原子或碳原 子数为1~20的烷氧基。η优选为2或3,更优选为3。
[0065]此处，对于使用作为伯胺的3-氨基丙基三乙氧基硅烷由光反应性的保护基保护而 得到的下述式(2)所示的化合物作为基底膜3的形成材料的方式进行说明。式(2)所示的化 合物是指:上述式（1)中Ra为甲氧基、X为甲氧基、1 = 2、111=3、11 = 3,2个1^键合在苯环的4、5 位。
[0066]【化2】
[0068] 上述式(2)所示的化合物的脱保护的反应式如以下的式(3)所示。上述式(2)所示 的化合物通过吸收365nm的紫外线而发生下述式(3)的脱保护反应。
[0069] 【化3】
[0071]这样的保护基为有机基团，利用这样的保护基保护氨基，氨基中N-H键的极化消 失。因此，与对应的未被保护的氨基相比，由保护基保护的氨基的亲水性相对降低、亲油性 相对增高。
[0072] 需要说明的是，由于有无保护基而导致的形成材料的可溶性差异可以利用预实验 或理论计算进行确认。例如作为亲水性或亲油性的指标，可以通过推算成为水溶性指标的 辛醇/水分配系数LogP，并对值进行比较来判断可溶性的大小。LogP越大，则可判断其脂溶 性越高，LogP越小，则可判断其水溶性越高。LogP可以采用例如使用化学结构绘制软件 (Chem Draw Pro V12、PerkinElmer社制）附带的功能计算而得到的值。
[0073] 作为有机溶剂，只要可以溶解基底膜3的形成材料，则可以使用各种有机溶剂，其 中，可以优选使用极性溶剂。作为可使用的溶剂，可以举出例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇 (异丙醇、IPA)等醇类;丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)那样的酯类；甲苯那样的芳香族烃；乙 腈那样的腈类;乙酸酯那样的酯类;丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类。
[0074] 需要说明的是，基底膜3的形成材料对选择的有机溶剂的溶解性低的情况下，可以 适当实施加热、超声波照射等通常已知的处理来促进溶解。进一步，在制备的液态物中溶解 残留有基底膜3的形成材料的情况下，可以实施过滤、离心分离等固液分离处理后将基底膜 3的形成材料的溶液用于涂膜3A的形成。
[0075] 接着，如图2的（b)所示，通过热处理使溶剂挥发而去除溶剂，形成基底膜3的前体 (前体膜3x)。如此形成的前体膜3x成为膜厚极其薄的硅烷偶联剂层，因此为透明的皮膜，不 易产生光散射。例如在具有透光性的基板上设置以本实施方式的制造方法制造的布线图案 的情况下，即使将前体膜3x成膜于基板2的整个表面上，作为组合有基板2与前体膜3x的整 体，也能够维持透光性，成膜容易。
[0076] 接着，如图3的（a)所示，在前体膜3x上涂布光致抗蚀剂材料（以下称为抗蚀剂材 料），并对其进行预烘烤，由此形成未经图案化的抗蚀剂层4A。此处，使用正型光致抗蚀剂作 为抗蚀剂材料。
[0077] 需要说明的是，作为抗蚀剂材料，至少可以使用通过对前体膜3x的形成材料曝光 产生脱保护反应的波长的光，而对显影液的溶解度发生变化的抗蚀剂材料。通过使用这样 的材料，可以通用后述曝光中使用的光源，从而能够一次性进行对前体膜3x的曝光与对抗 蚀剂层的曝光。
[0078] 若考虑通常使用的紫外线光源的峰值波长和半峰全宽，则例如使抗蚀剂材料的吸 收波长的峰值与光反应性保护基的吸收波长的峰值之差的绝对值为〇nm以上100nm以下，这 样能够一次性进行对前体膜3x的曝光与对抗蚀剂层的曝光，这是优选的。
[0079] 前体膜3x具有经光反应性的保护基保护的氨基，因此与具有未被保护的氨基的基 底膜3相比，其亲油性较高。因此，与抗蚀剂层的密合力相对增高。
[0080] 之后，隔着掩模Ml，对抗蚀剂层4A照射紫外线L，所述掩模Ml在与形成金属电极的 区域对应的位置具备开口部Ma，在未形成金属电极的区域具备遮光部Mb。此时，对于抗蚀剂 层4A，照射与掩模Ml的开口部Ma的图案对应的图案光，使抗蚀剂层4A曝光。
[0081] 此时，对抗蚀剂层4A照射的紫外线L中，未经抗蚀剂层4A吸收的余量透过抗蚀剂层 4A，到达前体膜3x。即，利用隔着掩模Ml照射紫外线，能够同时对抗蚀剂层4A与前体膜3x进 行曝光。
[0082] 于是，在前体膜3x中经曝光的部分，进行上述式(3)所示的基于光反应的脱保护。 即，在前体膜3x中经曝光的部分，由脱保护生成-NH 2所表示的基团，从而生成与使用3-氨基 丙基三乙氧基硅烷形成的情况同样的基底膜。即，能够明确形成经曝光而生成的基底膜3与 未经曝光而残留的前体膜3x的边界。
[0083] 接着，如图3的（b)所示，使其与溶解利用图案光曝光后的抗蚀剂层的显影液D接 触，去除抗蚀剂层直至基底膜3对应图案光露出而显影。作为显影液D，可以使用例如TMAH (Tetra-methy 1-ammonium-hydroxyde，四甲基氢氧化铵)水溶液那样的水溶液。由此，形成 设置有开口部4a的抗蚀剂层4。
[0084] 此时，也同时去除利用曝光从前体膜3x脱离的保护基。
[0085]此外，前体膜3x具有由光反应性的保护基保护的氨基，因此与基底膜3相比，与抗 蚀剂层的密合力相对较高。此外，亲水性低，因此对显影液D的溶解度低。因此，前体膜3x在 显影时不易溶解，能够防止由于在平面上与抗蚀剂层叠置的前体膜3x溶解而导致的抗蚀剂 层的鼓起。
[0086]接着，如图3的（c)所示，在形成于抗蚀剂层4的开口部4a处露出的基底膜3的表面， 使无电解镀覆中所用的催化剂5析出。具体而言，通过使其接触2价钯盐的胶体溶液，从而使 作为催化剂5的金属在基底膜3上析出。
[0087]通常树脂的无电解镀覆工序以"清洗-蚀刻-供给催化剂-无电解镀覆"表示。此 处，"供给催化剂"是将成为无电解镀覆的反应起始剂(催化剂)的钯(Pd)等金属附着于实施 镀覆的区域的表面的工序。通常包括下述工序:使2价钯盐与2价锡(Sn)盐的胶体溶液与基 板接触来附着钯，之后通过浸渍于被称作促进剂的酸或碱溶液中，使钯还原为〇价而活性 化。
[0088] 与此相对，如本实施方式，若作为基底膜的形成材料的硅烷偶联剂为伯胺或仲胺， 则无需使用上述促进剂的还原处理，这已得到本发明人的确认。因此，使用伯胺或仲胺作为 硅烷偶联剂时，无电解镀覆的操作简略化。在本实施方式中，在利用曝光形成基底膜3的部 分生成使用了作为伯胺的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的膜，因此无需还原处理，操作简略化。
[0089] 接着，如图3的（d)所示，通过使无电解镀覆液与催化剂5接触，使溶解于无电解镀 覆液中的金属离子还原而在催化剂5的表面析出，在开口部4a内选择性形成以镍-磷为形成 材料的布线图案6。硅烷偶联剂为伯胺或仲胺的情况下，不进行使用促进剂的活性化而浸渍 于无电解镀覆液中，由此催化剂5的表面得以镀覆。因此，能够间接地确认金属钯在基底膜3 表面的析出。
[0090] 接着，如图3的（e)所示，对残留的抗蚀剂层的整个面进行紫外线曝光。利用该曝 光，在与抗蚀剂层4在平面上叠置的部分的前体膜3x中进行脱保护反应，形成基底膜3。之 后，用通常已知的显影液D去除抗蚀剂层和脱离的保护基。如此，形成具有布线图案6的层积 体1〇
[0091] 根据以上那样的布线图案的制造方法，能够抑制显影时前体膜3x的溶解，从而能 够防止抗蚀剂层的鼓起。此外，能够明确形成经曝光而生成的基底膜3与未经曝光而残留的 前体膜3x的边界。因此，能够使基底膜3的宽度与对应图案光而形成的开口部4a的宽度为相 同的宽度，能够以高尺寸精度形成所需的布线图案。
[0092] 需要说明的是，在上述布线图案的制造方法中，在布线图案6的形成后，对抗蚀剂 层曝光紫外线，但不限于此。
[0093] 图4为示出本实施方式的布线图案的制造方法的变形例的工序图。在本变形例中， 至图3的（b)所示的抗蚀剂层的显影为止，与上述方法同样地进行，之后如图4的(a)所示，使 无电解镀覆中所用的催化剂5在抗蚀剂层4的开口部露出的基底膜3的表面析出前，对整个 面以紫外线L进行曝光。
[0094]由此，如图4的（b)所示，抗蚀剂层4成为对显影液可溶的层（图中以符号4b表示）。 此外，在与抗蚀剂层4在平面上叠置的部分的前体膜3x中进行脱保护反应，形成基底膜3。 [0095]进一步，即使在抗蚀剂层4b的开口部4a露出的基底膜3中脱保护反应不充分而残 留保护基，也能够利用图4的(a)所示的曝光在该位置的基底膜3中进行脱保护反应，生成氨 基。
[0096]需要说明的是，也可以在移动至下一工序之前，根据需要使用不溶解抗蚀剂层4b 的溶剂对开口部4a内的基底膜3的表面进行清洗。
[0097]接着，如图4的（c)所示，与图3的（c)同样地使无电解镀覆中所用的催化剂5析出在 抗蚀剂层4b的开口部4a露出的基底膜3上。在该位置的基底膜3中，利用图4的（a)所示的曝 光进行脱保护反应，生成氨基，因此与未曝光的情况相比，能够增加催化剂5的负载量。因 此，能够有效地进行后述的无电解镀覆。
[0098]接着，如图4的（d)所示，与图3的（d)同样地通过使无电解镀覆液与催化剂5接触， 在开口部4a内选择性形成以镍-磷为形成材料的布线图案6。
[0099]接着，如图4的（e)所示，利用显影液D去除抗蚀剂层4b。
[0100] 如此，也能够形成具有布线图案6的层积体1。
[0101] 此外，在上述布线图案的制造方法中，仅使用具有由光反应性的保护基保护的氨 基的形成材料(第1形成材料)形成前体膜3X，之后进行曝光来脱保护，由此形成基底膜3,但 不限于此。
[0102] 例如可以与第1形成材料一起合用下述形成材料(第2形成材料），所述第2形成材 料具备具有氮原子或硫原子中的至少之一的基团，且所述具有氮原子或硫原子中的至少之 一的基团未由所述保护基保护。作为这样的材料，可以举出具备具有氮原子或硫原子中的 至少之一的基团的硅烷偶联剂。
[0103] 作为具有氮原子的基团，可以示例氨基、脲基、含有氮原子的杂环化合物去除一个 以上其上键合的氢原子而得到的基团等。此外，作为具有硫原子的基团，可以示例硫醇基 (或巯基）、硫代羰基、硫脲基、含有硫原子的杂环化合物去除一个以上其上键合的氢原子而 得到的基团等。作为含有氮原子或硫原子的杂环化合物，可以举出吡咯、咪唑、吡啶、嘧啶、 噻吩那样的单环式的杂环芳香族化合物；吲哚、苯并噻吩那样的多环式的杂环芳香族化合 物;这些芳香族化合物具有的芳香环上的2个以上的碳原子被氢化而不具有芳香属性的杂 环化合物。
[0104] 通过合用这样的第2形成材料，例如即使脱保护反应不充分而在保持催化剂5的位 置的基底膜3中残留保护基，第2形成材料也可进行协作而保持催化剂5。因此，能够增加催 化剂5的负载量，能够有效地进行无电解镀覆。
[0105] 需要说明的是，第2形成材料为叔胺、或其他具有"可以与金属键合的基团"的硅化 合物的情况下，涂布2价钯盐的胶体溶液后，通过进行使用上述促进剂的常规处理(活性化 的工序），能够使无电解镀覆用的催化剂5在基底膜3上析出。
[0106] 此外，在上述的布线图案的制造方法中，同时进行抗蚀剂层的曝光与前体膜的曝 光，但不限于此。例如用于使抗蚀剂层对显影液的溶解度变化的光的波长与使保护基的脱 保护反应发生的光的波长不同，因此在使用同一光源的曝光中，其中一方的反应不充分，在 该情况下，可以分别进行抗蚀剂层的曝光与前体膜的曝光。
[0107] [晶体管的制造方法]
[0108] 以下，参照图5~9对本实施方式的晶体管的制造方法进行说明。
[0109] 图5为以本实施方式的晶体管的制造方法制造的晶体管的示意截面图。晶体管 100A为所谓的底部接触型的晶体管。在以下的说明中，对于使用有机半导体作为半导体层 的形成材料的有机晶体管进行说明，但本发明也可以应用于使用无机半导体作为半导体层 的形成材料的无机晶体管。
[0110] 晶体管100A具有基板2、基底膜3、13、无电解镀覆用的催化剂5、15、栅极(布线)6、 绝缘体层7、源极16、漏极17和有机半导体层(半导体层)20。
[0111] 需要说明的是，对于基板2、基底膜3和催化剂5,所使用的与上述层积体1中所用的 相同，对于栅极6,使用上述层积体1的布线图案6作为栅极。
[0112] 全面设置绝缘体层7,覆盖栅极6和基底膜3的表面。只要具有绝缘性，可以使栅极 6、设置于绝缘体层7的表面的源极16和漏极17电绝缘，绝缘体层7可以使用无机材料和有机 材料的任一种。其中，从制造、微细的加工容易的角度考虑，优选以光固化型树脂材料为形 成材料。例如作为绝缘体层7的形成材料，可以举出紫外线固化型的丙烯酸类树脂、环氧树 月旨、稀 -硫醇树脂、有机娃树脂等。
[0113] 基底膜13形成于绝缘体层7的整个上表面。基底膜13为本发明中的源极基底膜和 漏极基底膜，源极基底膜和漏极基底膜形成为连续的膜。所形成的基底膜13覆盖基板2的一 个主面的整个面，催化剂(无电解镀覆用催化剂）15选择性地设置在基底膜13的表面的一部 分。作为催化剂15的形成材料，可以使用与上述催化剂5同样的材料。
[0114] 作为基底膜13的形成材料，可以使用与上述基底膜3同样的材料，但也可以使基底 膜3与基底膜13的形成材料不同。在以下的说明中，对于与基底膜3同样使用作为伯胺的硅 烷偶联剂形成基底膜13的方式进行说明。
[0115] 需要说明的是，图中为基底膜13形成于绝缘体层7的整个上表面的方式，但也可以 仅选择性地在设置有催化剂15的位置形成基底膜13。该情况下，使用通常已知的方法，选择 性在绝缘体层7的上表面涂布作为基底膜13的形成材料的硅烷偶联剂，由此能够选择性形 成基底膜13。此外，也可以先在绝缘体层7的上表面上比形成基底膜13的区域宽的区域涂布 硅烷偶联剂，接着，对在从形成基底膜13的区域突出的部分形成的膜照射紫外线，由此将硅 烷偶联剂分解、去除，从而选择性形成基底膜13。
[0116] 源极16和漏极17为形成于催化剂15的表面的金属电极。源极16具有第1电极161、 覆盖第1电极161的表面的第2电极162。同样地，漏极17具有第3电极171、覆盖第3电极171的 表面的第4电极172。
[0117] 与上述栅极6同样，第1电极161和第3电极171利用无电解镀覆形成。作为第1电极 161和第3电极171的材料，可以举出镍-磷(NiP)、铜(Cu)。第1电极161和第3电极171可以分 别以相同的材料形成，也可以以相互不同的材料形成。在本实施方式中，对于使用镍-磷(功 函数:5.5eV)作为第1电极161和第3电极171的形成材料的方式进行说明。
[0118] 第2电极162和第4电极172为金属镀覆层，所形成的第2电极162和第4电极172分别 全面覆盖第1电极161和第3电极171的不与触催化剂15相接的表面。即，在源极16和漏极17 中，设置的第2电极162和第4电极172分别覆盖着相互对置的侧面16a、17a(对置的面）。
[0119] 使用金属材料作为第2电极162和第4电极172的形成材料，在与后述的半导体层20 的形成材料的H0M0/LUM0能级的关系上，所述金属材料具有电子迀移(或空穴迀移)容易的 功函数。第2电极162和第4电极172可以分别以相同的材料形成，也可以以相互不同的材料 形成。在本实施方式中，对于使用金(功函数:5.4eV)作为第2电极162和第4电极172的形成 材料的方式进行说明。
[0120] 在源极16和漏极17之间，半导体层20设置于基底膜13的表面，所形成的半导体层 20与源极16和漏极17相接触。详细地说，设置的半导体层20与源极16的侧面16a和漏极17的 侦腼17a相接触，且与第2电极162和第4电极172相接触。
[0121]作为半导体层20的形成材料，可以使用通常已知的有机半导体材料。可以使用例 如铜酞菁（〇11?(3)、并五苯、红焚稀、并四苯、？3!11'(。〇17(3-1161711:11；[(^116116-2,5-(1丨71)，聚 (3-己基噻吩-2,5-二基））那样的p型半导体、C 6Q那样的富勒烯类、PTCDI-C8H(N，N'_ dioctyl-3,4,9, l0-perylene tetracarboxylic diimide，N，N'_二辛基-3,4,9,10-花四駿 酸二酰亚胺）那样的茈衍生物等n型半导体。其中，TIPS并五苯（6，13-Bis (triisopropylsilylethynyl)pentacene，6，13-双（三异丙基娃烷基乙炔基）并五苯）那样 的可溶性并五苯、P3HT等有机半导体聚合物可溶于甲苯那样的有机溶剂，在湿式工序中可 以形成半导体层20,因此是优选的。在本实施方式中，对于使用作为p型半导体的TIPS并五 苯(HOMO能级:5.2eV)作为半导体层20的形成材料的方式进行说明。
[0122] 此外，作为半导体层20的形成材料，其不限于有机半导体材料，也可以使用通常已 知的无机半导体材料。
[0123] 如上所述，作为第1电极161和第3电极171的形成材料的镍-磷的功函数为5.5eV， 作为第2电极162和第4电极172的形成材料的金的功函数为5.4eV，作为半导体层20的形成 材料的TIPS并五苯的Η0Μ0能级为5.2eV。即，对于源极16和漏极17的表面，使用金属材料形 成第2电极162和第4电极172,与第1电极161和第3电极171相比，所述金属材料具有电子迀 移在与半导体层20的形成材料之间容易（与半导体层20的Η0Μ0的能级差小）的功函数。因 此，在半导体层20与源极16和漏极17之间，肖特基电阻降低，从而能够在驱动时良好地进行 电子迀移。
[0124] 在这样的晶体管100A中，利用无电解镀覆形成的栅极6、源极16、漏极17形成于以 硅烷偶联剂为形成材料的基底膜3、13 (栅极基底膜、源极基底膜、漏极基底膜)上。例如在具 有凹凸形状的区域形成这些电极时，各电极带有反映基底凹凸的凹凸形状。于是，夹着绝缘 体层层积的电极间的距离不恒定，在栅极与源极或栅极与漏极的距离近的位置，有可能不 能绝缘，从而产生漏电流。此外，若基底具有凹凸形状，则在平面上与栅极叠置的半导体层 的通道区域也带有凹凸形状，在通道区域中，载流子的移动距离变长，性能有可能下降。
[0125] 但是，在本实施方式的晶体管100A中，基底膜3、13以硅烷偶联剂为形成材料，未使 基板表面粗化、未使用含有填料成分的基底膜，因此膜平滑。因此，通过形成基底膜3、13,电 极上不会形成凹凸形状，不会产生由于凹凸形状引起的不良情况，因此晶体管的性能高。
[0126] 以下，使用图6~9,对上述晶体管100A的制造方法进行说明。
[0127] 首先，以与上述本实施方式的布线图案的制造方法同样的方法，在基板2的一个主 面形成栅极6。
[0128] 接着，如图6的(a)所示，在基底膜3的表面涂布涂布液覆盖栅极6,所述涂布液是将 具有绝缘性的树脂材料的前体溶解于有机溶剂中而得到的。作为涂布的方法，可以使用上 述的方法。
[0129] 作为树脂材料，可以使用例如紫外线固化型的丙烯酸类树脂、环氧树脂、烯-硫醇 树脂、有机硅树脂。此外，作为有机溶剂，可以适当使用与上述涂膜3A的涂布液同样的极性 溶剂。此外，在涂布液中，通过变更浓度、有机溶剂的种类，能够调整涂布液整体的粘度，控 制涂布液的涂膜7A的膜厚。
[0130] 在图中所示的工序中，为了抑制栅极6与形成于上层的源极和漏极之间的漏电，进 行厚涂布，以使涂膜7A的厚度达数百nm左右。
[0131 ]接着，如图6的（b)所示，隔着对应绝缘体层7的形成区域设置有开口部的掩模M2， 对涂膜7A照射紫外线L，使树脂材料固化，形成绝缘体层7。此时，为了促进树脂材料的固化 反应，优选进行紫外线照射的同时进行热处理，或紫外线照射之后进行热处理。
[0132] 接着，如图6的（c)所示，用溶解涂膜的溶剂S进行显影，从而去除未固化的涂膜，形 成经图案化的绝缘体层7。
[0133] 需要说明的是，此处的说明中，在基底膜3的表面涂布在有机溶剂中溶解有具有绝 缘性的树脂材料的前体的涂布液，覆盖栅极6,并照射紫外线，使该前体固化，形成绝缘体层 7。但为了提高绝缘体层7与栅极6的密合性，可以在涂布该涂布液之前，涂布硅烷偶联剂覆 盖包括栅极6在内的表面。
[0134] 接着，如图7的（a)所示，在绝缘体层7的整个上表面，涂布液态物并进行热处理使 有机溶剂挥发而去除有机溶剂，从而形成前体膜13x。所述液态物是将上述第1形成材料根 据需要溶解于有机溶剂中而得到的。
[0135] 作为第1形成材料和有机溶剂，使用的物质可以与上述前体膜3x的形成中所列举 的物质相同。
[0136] 接着，如图7的(b)所示，涂布抗蚀剂材料覆盖绝缘体层7和前体膜13x，并对其进行 预烘烤，由此形成未经图案化的抗蚀剂层14A。此处，使用正型光致抗蚀剂作为抗蚀剂材料。
[0137] 之后，隔着对应源极和漏极的形成区域设置有开口部的掩模M3,对抗蚀剂层14A照 射作为图案光的紫外线L，对抗蚀剂层14A进行曝光。同时，对前体膜13x进行曝光，进行脱保 护反应，生成基底膜13。
[0138] 接着，如图7的（c)所示，利用溶解经紫外线照射的抗蚀剂层的显影液D进行显影， 由此去除抗蚀剂层14A直至基底膜13对应图案光露出为止，形成设置有开口部14a的抗蚀剂 层14。
[0139] 接着，如图8的(a)所示，通过使2价钯盐的胶体溶液接触在开口部14a露出的基底 膜13，使无电解镀覆中所用的催化剂15在基底膜13的表面析出。之后，通过使无电解镀覆液 接触催化剂15,将溶解于无电解镀覆液中的金属离子还原而使其在催化剂15的表面析出， 在开口部14a内选择性形成以镍-磷为形成材料的第1电极161和第3电极171。
[0140] 接着，如图8的(b)所示，对残留的抗蚀剂层的整个面进行紫外线曝光。利用该曝光 在与抗蚀剂层在平面上叠置的前体膜13x中进行脱保护反应，形成基底膜13。之后，用通常 已知的显影液D去除抗蚀剂层。如此，形成第1电极161和第3电极171。
[0141] 接着，如图8的（c)所示，通过将整体浸渍于置换镀金浴中，使金在第1电极161和第 3电极171的表面置换析出，进而通过使其浸渍于还原镀金浴中，在第1电极161和第3电极 171的表面形成以金为形成材料的第2电极162和第4电极172。如此，形成源极16和漏极17。
[0142] 接着，如图8的（d)所示，通过将TIPS并五苯那样的溶液S1涂布于源极16和漏极17 之间，并使其干燥，形成半导体层20,所述溶液S1是可溶于有机溶剂的有机半导体材料溶解 于该有机溶剂中而得到的。需要说明的是，此处利用湿式法形成来半导体层20,但也可以使 用升华法、转印法等方法。
[0143] 如此，能够制造晶体管100A。
[0144] 根据以上那样构成的晶体管的制造方法，在栅极6、源极16和漏极17的形成时，使 用了上述布线图案的制造方法，因此可以以高尺寸精度形成所需的电极。因此，可以使用无 电解镀覆法制造高性能的晶体管。
[0145] 需要说明的是，在本实施方式中，对于栅极6、源极16和漏极17的全部是使用上述 布线图案的制造方法形成的情况进行了说明，但也可以在形成栅极6、源极16和漏极17的至 少任一个时，使用上述布线图案的制造方法。
[0146] (变形例1)
[0147] 需要说明的是，在本实施方式中，对制造底部接触型的晶体管100A的情形进行了 说明，但不限于此。
[0148] 图9为示出利用本实施方式的晶体管的制造方法制造的晶体管的变形例的示意截 面图。在变形例的说明中，对于与上述晶体管100A的构成通用的构成要素，标记相同的符 号，省略了详细的说明。
[0149] 图9的(a)中所示的晶体管100B为所谓的顶部接触型的晶体管。晶体管100B具有配 置于绝缘体层7上且在表面形成有源极16和漏极17的半导体层20。即，在绝缘体层7的整个 上表面形成有半导体层20,在半导体层20的整个上表面形成有基底膜13。
[0150] 在基底膜13的上表面选择性设置催化剂15,形成有具有第1电极161和第2电极162 的源极16与具有第3电极171和第4电极172的漏极17。
[0151] 对于这样的晶体管100B，通过在基板2上形成栅极6,并形成半导体层20和绝缘体 层7(包含绝缘体层的层)覆盖栅极6,在包含绝缘体层的层的表面形成源极16和漏极17,由 此能够制造晶体管100B。
[0152] 图9的(b)中所示的晶体管100C为所谓的顶部栅极/底部接触型的晶体管。晶体管 100C设置有基板2、在基板2的表面设置有基底膜(镀覆基底膜）13,在基底膜13的表面设置 有源极16、漏极17。
[0153] 在源极16与漏极17之间设置有与源极16和漏极17接触的半导体层20,并设置有绝 缘体层7覆盖源极16、漏极17和半导体层20。
[0154] 在绝缘体层7的表面设置有基底膜3和催化剂5，在催化剂5上设置有栅极6。
[0155] 对于这样的晶体管100C，通过在基板2上形成源极16和漏极17,并形成半导体层20 和绝缘体层7(包含绝缘体层的层)覆盖源极16和漏极17,在包含绝缘体层的层的表面形成 栅极6,由此能够制造晶体管100C。
[0156] 在这样的晶体管100B、100C中，在形成栅极6、源极16和漏极17的至少任一个时，也 使用上述布线图案的制造方法。即，通过使用上述第1形成材料形成前体膜3x或前体膜13x 的任一者或这两者，并对前体膜3x、13x进行曝光而形成基底膜3、13，从而可以以高尺寸精 度形成所需的电极。因此，可以使用无电解镀覆法，制造高性能的晶体管。
[0157] 以上，参照附图对本发明的优选实施方式进行了说明，当然本发明不限于该示例。 上述示例中所示的各构成部件的各形状、组合等为一例，在不脱离本发明主旨的范围内，可 以基于设计要求等进行各种变更。
[0158] 例如可以使用非金属材料作为基板，使用作为非金属材料的PET基板，准备两个以 上在该基板上形成有基底膜的镀覆用部件，一边搬送两个以上的镀覆用部件，一边在搬送 过程中使用上述制造方法制造晶体管，由此能够在PET基板上形成高性能的晶体管。
[0159]进而，可以使用具有可挠性的长条的PET膜作为基板，在所谓辊到辊工序中在PET 膜上形成晶体管。所述所谓辊到辊工序中，预先将在该膜上形成基底膜的镀覆用部件卷绕 成辊状，将该镀覆用部件拉出来进行搬送，并使用上述制造方法连续地形成晶体管之后，将 所制造的晶体管卷绕为辊状。
[0160]此外，在本实施方式中，形成以硅烷偶联剂为形成材料的基底膜后，使无电解镀覆 用的催化剂在该基底膜析出，进行无电解镀覆来形成栅极、源极和漏极，但也可以用上述方 法形成这些电极中的任一个或任两个电极，用其他方法形成剩余的电极。例如可以使用通 常已知的图案化方法形成栅极，使用上述制造方法形成在同一层中形成的源极和漏极。
[0161] 实施例
[0162] 以下利用实施例对本发明进行说明，但本发明并不限于这些实施例。
[0163] 在本实施例中，使用上述式(2)所示的化合物（（4,5_二甲氧基-2-硝基苄基(3_(三 甲氧基甲硅烷基)丙基)氨基甲酸酯;NBC-APTM0S)作为第1形成材料。
[0164] 对NBC-APTM0S添加氯仿使其成为1质量％，进行超声波处理，制备液态物，并进行 过滤去除尘埃、异物后，用于基底膜的形成。超声波处理使用台式超声波清洗器以5-100III、VELV0CLEANER社制)进行，频率45kHz、高频输出100W、处理时间30分钟。在以下的说 明中，将利用上述方法制备的液态物称为"液态物1"。
[0165] 此外，对NBC-APTM0S添加甲基异丁基酮（以下有时称为MIBK)使其成为0.2质量％， 进行超声波处理后进行过滤，制备液态物，用于基底膜的形成。在以下的说明中，将利用上 述方法制备的液态物称为"液态物2"。
[0166] 此外，将NBC-APTM0S添加至甲基异丁基酮（以下有时称为MIBK)中使其成为0.2质 量％，进行超声波处理后进行过滤。向所得到的滤液中添加3-氨基丙基三乙氧基硅烷 (KBE903、信越有机硅社制)使其成为0.2质量％，进行超声波处理，由此制备液态物，进行过 滤后，用于基底膜的形成。在以下的说明中，将利用上述方法制备的液态物称为"液态物3"。
[0167] 此外，将KBE903溶解于MIBK中使其成为0.2质量％，制备液态物，用于基底膜的形 成。在以下的说明中，将利用上述方式制备的液态物称为"液态物4"。
[0168] [布线图案的形成1]
[0169] (实施例1)
[0170] 利用大气压氧等离子体清洗PET基板(型号:A-4100(无涂层）、东洋纺织株式会社 制）的表面后，采用旋涂，将液态物1涂布于PET基板上。旋涂在转数3000rpm、10秒钟的条件 下进行。之后，以105°C加热15分钟，形成镀覆基底膜。
[0171] 接着，对于形成有镀覆基底膜的PET基板，旋涂抗蚀剂材料（SUMIRESIST PFI-34A6、住友化学株式会社制）的2-庚烷溶液(2倍稀释(质量比）），以105°C加热(预烘烤)5分 钟，由此形成抗蚀剂层。旋涂在转数3000rpm、30秒钟的条件下进行。所形成的抗蚀剂层的膜 厚约为300nm〇
[0172] 接着，隔着光掩模，以29mW/cm2强度的紫外线（i线、波长365nm)曝光50秒钟，以105 °C加热（后烘烤)5分钟后，于2.38%TMAH溶液中浸渍1.5分钟，由此在抗蚀剂层显影掩模图 案，形成开口部。
[0173] 接着，对于在抗蚀剂层形成有开口部的基板，在室温进行30秒钟的超声波水洗后， 在室温，于无电解镀覆用的催化剂胶体溶液(Melplate 4〇1:;^31：(^7331、]\^1丨6社制）中浸渍 60秒钟，在抗蚀剂层的开口部，使催化剂附着于露出的镀覆基底膜上。
[0174] 接着，对表面进行水洗后，于73°C，在无电解镀覆液(Melplate NI_867、Melte社 制）中浸渍60秒钟，使镍-磷(NiP)在附着于抗蚀剂层的开口部的催化剂上析出，进行镍-磷 镀覆。
[0175] 接着，对表面进行水洗后使其干燥，对含有残留的抗蚀剂层的整个面，以29mW/cm2 强度的紫外线（i线、波长365nm)曝光1分钟后，于乙醇中浸渍1分钟，由此去除抗蚀剂层，制 作布线图案。
[0176] (实施例2)
[0177] 利用大气压氧等离子体清洗PET基板的表面后，采用浸涂，将液态物2涂布于PET基 板上。浸涂的提拉速度为1_/秒。之后，以105 °C加热15分钟，形成镀覆基底膜。
[0178] 需要说明的是，在以下的工序中，浸涂的提拉速度也采用上述条件。
[0179] 接着，对于形成有基底膜的PET基板，浸涂抗蚀剂材料（SUMIRESIST PFI-34A6、住 友化学株式会社制），以l〇5°C加热(预烘烤)5分钟，由此形成抗蚀剂层。
[0180] 接着，隔着光掩模，以29mW/cm2强度的紫外线（i线、波长365nm)曝光2秒钟，以105 °C加热（后烘烤)5分钟后，于2.38%TMAH溶液中浸渍1.5分钟，由此在抗蚀剂层显影掩模图 案，形成开口部。
[0181] 接着，对于形成有抗蚀剂层的PET基板，在整个面上照射29mW/cm2强度的紫外线（i 线、波长365nm)60秒钟。
[0182] 接着，与实施例1同样地进行，对于在抗蚀剂层形成有开口部的基板进行超声波水 洗后，进行镍-磷镀覆。
[0183] 接着，于乙醇中浸渍1分钟，由此去除抗蚀剂层，制作布线图案。
[0184] (实施例3)
[0185] 使用液态物3形成基底膜，除此之外，与实施例2同样地进行，将形成有开口部的抗 蚀剂层形成于PET基板上。
[0186] 接着，与实施例1同样地进行，制作布线图案。
[0187] (比较例1)
[0188] 使用液态物4形成基底膜，除此之外，与实施例3同样地进行，制作布线图案。
[0189] 图10~13为制作的布线图案的光学显微镜照片。在照片中，看起来泛白的部分为 布线。图10示出实施例1中形成的布线图案，图11示出实施例2中形成的布线图案，图12示出 实施例3中形成的布线图案，图13示出比较例1中形成的布线图案。
[0190] 如图10所示，在实施例1中，无论是L/S= 10μπι/10μπι的条件（图10的(b))，还是更细 的L/S = 5μπι/5μπι的条件（图10的（a))，均以均匀的宽度形成布线图案。此外，如图11、12所 示，实施例2、3的布线图案也同样地以均匀的宽度形成。
[0191] 与此相对，如图13所示，比较例1的布线图案的宽度不均匀（图13的(a))，或表面粗 糙（图13的（b))，布线的尺寸精度低。需要说明的是，图13的(a)与图13的（b)是分别以相同 条件进行2次实验所得到的结果。
[0192] [布线图案的形成2]
[0193] (实施例4)
[0194] 采用与实施例3同样的方法，在PET基板上形成栅极。对于形成有栅极的PET基板， 浸涂环氧树脂基质的紫外线固化型树脂(SU-8、日本化药社制），以105°C加热(预烘烤)10分 钟，由此形成紫外线固化型树脂的涂膜。
[0195] 接着，隔着光掩模，以29mW/cm2强度的紫外线（i线、波长365nm)对涂膜曝光5秒钟， 以105 °C加热(后烘烤)60分钟。
[0196] 接着，使其浸渍于显影液(丙二醇-1-甲醚-2-乙酸酯、PEGMEA)，去除紫外线的非照 射部而图案化。之后，以l〇5°C进行30分热处理，进行栅极绝缘膜的成膜。
[0197] 接着，采用与实施例3同样的方法，在栅极绝缘膜的表面制作与源极和漏极对应的 作为镍-磷电极的第1电极和第3电极。
[0198] 接着，对表面进行水洗后，使其于置换镀金浴中浸渍1分钟，进一步使其于还原镀 覆浴中浸渍3分钟，由此进行无电解金镀覆，以金包覆镍-磷电极的表面，制作第2电极和第4 电极，从而制作源极和漏极。
[0199] 对于形成的布线图案，以连接源极和漏极的方式形成半导体层，由此作为晶体管 发挥功能。
[0200] (比较例2)
[0201 ]在栅极绝缘膜的表面制作源极和漏极时，与比较例1同样地进行，制作作为镍-磷 电极的第1电极和第3电极。除此之外，与实施例4同样地进行，制作布线图案。
[0202]图14、15为制作的布线图案的光学显微镜照片。图14示出实施例4中形成的布线图 案，图15示出比较例2中形成的布线图案。
[0203]如图14所示，实施例4的布线图案的源极和漏极以均匀的宽度形成，所形成的源极 和漏极之间的间隔为5μηι。
[0204] 与此相对，如图15所示，比较例2的布线图案的布线的尺寸精度低。
[0205] 图中，在以符号α的虚线包围的部分，确认到宽度不均匀的部分。
[0206] 此外，图中，在以符号邱勺虚线包围的部分，确认到栅极与漏极发生短路的部分。在 图15中，在栅极和漏极分离的部分，能够以黑色线条确认到与栅极和漏极的端部对应的阴 影，在符号β的部分，线条中断。在短路部分，未形成与电极的端部对应的阴影，因此能够判 断为栅极和漏极发生短路的部分。
[0207] 根据以上结果确认本发明的有用性。
[0208] 符号说明
[0209] 1…布线图案、2…基板、3…基底膜(栅极基底膜）、3χ…前体膜、6…栅极(布线）、 7…绝缘体层、13…基底膜(源极基底膜、漏极基底膜）、13χ…前体膜、14···抗蚀剂层、14a… 开口部、15···无电解镀覆用催化剂、16···源极、17···漏极、20···半导体层、100A，100B…晶体 管、D…显影液。
【主权项】
1. 一种布线图案的制造方法，其具有下述步骤： 在基板上形成含有第1形成材料的镀覆基底膜的前体膜，所述第1形成材料具有由光反 应性的保护基保护的氨基； 在所述前体膜的表面形成由光致抗蚀剂材料构成的光致抗蚀剂层； 以所需图案光对所述光致抗蚀剂层进行曝光； 以所需图案光对所述前体膜进行曝光，形成所述镀覆基底膜； 使经曝光的所述光致抗蚀剂层显影并且去除脱保护后的保护基;和 使无电解镀覆用催化剂在露出的所述镀覆基底膜的表面析出。2. 如权利要求1所述的布线图案的制造方法，其中，同时进行所述光致抗蚀剂层的曝光 和所述前体膜的曝光。3. 如权利要求1或2所述的布线图案的制造方法，其中，去除所述光致抗蚀剂层后，进一 步对露出的所述镀覆基底膜进行曝光。4. 如权利要求1至3中任一项所述的布线图案的制造方法，其中，所述保护基为邻硝基 苄基或具有邻硝基苄基骨架的基团。5. 如权利要求1至4中任一项所述的布线图案的制造方法，其中，所述氨基为-NH2所表示 的基团。6. 如权利要求1至5中任一项所述的布线图案的制造方法，其中，所述第1形成材料为具 有由所述保护基保护的氨基的硅烷偶联剂。7. 如权利要求1至6中任一项所述的布线图案的制造方法，其中，所述前体膜进一步含 有第2形成材料，所述第2形成材料具备具有氮原子或硫原子中的至少一者的基团，且具有 所述氮原子或硫原子中的至少一者的基团未由所述保护基保护。8. 如权利要求7所述的布线图案的制造方法，其中，所述第2形成材料为含有具有所述 氮原子或硫原子中的至少一者的基团的硅烷偶联剂。9. 如权利要求1至8中任一项所述的布线图案的制造方法，其中，所述基板由非金属材 料构成。10. 如权利要求9所述的布线图案的制造方法，其中，所述基板由树脂材料构成。11. 如权利要求10所述的布线图案的制造方法，其中，所述基板具有可挠性。12. -种晶体管的制造方法，其具有下述步骤:使用权利要求1至11中任一项所述的布 线图案的制造方法，在基板上形成栅极、源极和漏极中的至少1个。13. 如权利要求12所述的晶体管的制造方法，其具有下述步骤： 在所述基板上形成所述栅极； 形成包含绝缘体层的层，覆盖所述栅极;和 在包含所述绝缘体层的层的表面形成所述源极和所述漏极。14. 如权利要求12所述的晶体管的制造方法，其具有下述步骤： 在所述基板上形成所述源极和所述漏极； 形成包含绝缘体层的层，覆盖所述源极和所述漏极;和 在包含所述绝缘体层的层的表面形成所述栅极。
【文档编号】C23C18/18GK105980600SQ201580008353
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2015年2月26日
【发明人】小泉翔平, 杉崎敬, 川上雄介
【申请人】株式会社尼康