铜钨碳化钨真空触头材料的制作方法
【专利摘要】本发明公开了铜钨碳化钨真空触头材料，包括碳化钨粉50～60份、纳米氧化锡21～31份、粘结剂5～16份、碳化钽6～16份、铝硅金属间化合物5～9份、锌6～11份、钴4～10份、钨粉4～11份、金属陶瓷2～11份、氧化镧2～9份、铌粉1～6份、铜钨合金粉1～9份、镍1～9份。本发明的铜钨碳化钨真空触头材料，通过添加元素和导电陶瓷，大大改善了材料的抗氧化性能，同时，综合提高了材料的耐电弧烧损能力、抗熔焊性和耐电磨损性能，制得的触头产品具体良好的抗氧化性能、超高且持久的导电性能。
【专利说明】
铜钨碳化钨真空触头材料
技术领域
[0001]本发明属于触头材料领域，尤其涉及铜妈碳化妈真空触头材料。
【背景技术】
[0002]真空开关的触头系统是封闭在真空管壳中，触头开断时产生的电弧不会影响环境，因而它可以工作在苛刻的不利的工作环境下。在低压电器领域中，尽管它的价格比一般空气中灭弧的开关电器的价格要高，但它的优良性能和环保作由电源接线端子、导电板、灭弧室、静触头、灭弧室瓷套，动触头及传动控制装置等组成，所述静、动触头设于由灭弧室瓷套及贴附于它内壁上的硅橡胶衬组成的真空内腔；并通过真空灭弧室下部动触头的伸出单极低压交流真空接触器具有分断能力强、触头不老化、电弧不外露、安全可靠、使用寿命长、免维护、底噪声等优点，其卓越的分断技术特性能在特别苛刻的条件下频繁操作使用，适用于需单相控制、保护的场合。
[0003]铜在干燥的空气中，常温时稳定。但当将铜暴露于常见的污染物质，如氧化硫、氧化氮、酸性物质，或者卤素物质时，将会在铜的表面生成一层具有高电阻性的氧化亚铜。当铜作为电触头材料使用时，在触头接触电阻及电弧的作用下，触头表面温度骤升，触头表面的氧化亚铜转化为氧化铜，形成不易导电的氧化膜，从而导致电触头失效。
【发明内容】
[0004]本发明提供了铜钨碳化钨真空触头材料，克服了现有技术中存在的缺陷，使得触头产品具体良好的抗氧化性能、超高且持久的导电性能。
[0005]本发明是通过下述技术方案来实现的:
[0006]铜钨碳化钨真空触头材料，包括碳化钨粉50?60份、纳米氧化锡21?31份、粘结剂5?16份、碳化钽6?16份、招娃金属间化合物5?9份、锌6?11份、钴4?10份、妈粉4?11份、金属陶瓷2?11份、氧化镧2?9份、银粉I?6份、铜妈合金粉I?9份、镍I?9份。
[0007]铜钨碳化钨真空触头材料，包括碳化钨粉50份、纳米氧化锡60份、粘结剂15份、碳化钽15份、铝硅金属间化合物7份、锌9份、钴7份、钨粉9份、金属陶瓷10份、氧化镧7份、铌粉3份、铜钨合金粉7份、镍3份。
[0008]铜钨碳化钨真空触头材料，包括碳化钨粉50?60份、纳米氧化锡24?27份、粘结剂6?11份、碳化钽7?14份、招娃金属间化合物4?8份、锌7?11份、钴I?9份、钨粉2?7份、金属陶瓷2?6份、氧化镧4?7份、铌粉2?6份、铜钨合金粉2?9份、镍3?7份。
[0009]所述钴为钴的粒度为300目。
[0010]所述金属陶瓷为钛铝碳陶瓷、钛硅碳陶瓷、Ti3AlC2, Ti2AlC, Ti3SiC2中的一种。
[0011]与现有技术相比，本发明的铜钨碳化钨真空触头材料，包括碳化钨粉、纳米氧化锡、碳化钽、铝硅金属间化合物、金属陶瓷、铜钨合金粉等，通过添加元素和导电陶瓷，大大改善了材料的抗氧化性能，同时，综合提高了材料的耐电弧烧损能力、抗恪焊性和耐电磨损性能，制得的触头产品具体良好的抗氧化性能、超高且持久的导电性能。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，详细说明如下。
【具体实施方式】
[0012]下面结合具体实施例进一步说明本发明的技术方案。
[0013]实施例1，铜钨碳化钨真空触头材料，称取材料碳化钨粉50份、纳米氧化锡21份、粘结剂5份、碳化钽6份、铝硅金属间化合物5份、锌6份、钴4份、钨粉4份、金属陶瓷2份、氧化镧2份、铌粉I份、铜钨合金粉I份、镍I份；然后充分混合加工后得到本发明的材料108 份。
[0014]实施例2，铜钨碳化钨真空触头材料，由以下重量的原材料制得，碳化钨粉60份、纳米氧化锡31份、粘结剂16份、碳化钽16份、铝硅金属间化合物9份、锌11份、钴10份、钨粉11份、金属陶瓷11份、氧化镧9份、铌粉6份、铜钨合金粉9份、镍9份；进行充分反应后得到本产品208份。
[0015]与现有技术相比，本发明的铜钨碳化钨真空触头材料，包括碳化钨粉、纳米氧化锡、碳化钽、铝硅金属间化合物、金属陶瓷、铜钨合金粉等，通过添加元素和导电陶瓷，大大改善了材料的抗氧化性能，同时，综合提高了材料的耐电弧烧损能力、抗恪焊性和耐电磨损性能，制得的触头产品具体良好的抗氧化性能、超高且持久的导电性能。
[0016]以上实施例仅为本发明的较佳实施例，在不脱离本发明构思的前提下，任何显而易见的替换均在本发明保护范围之内。
【主权项】
1.铜钨碳化钨真空触头材料，其特征在于，包括碳化钨粉50?60份、纳米氧化锡21?31份、粘结剂5?16份、碳化钽6?16份、招娃金属间化合物5?9份、锌6?11份、钴4?10份、妈粉4?11份、金属陶瓷2?11份、氧化镧2?9份、银粉I?6份、铜妈合金粉I?9份、银I?9份。2.根据权利要求1所述的铜钨碳化钨真空触头材料，其特征在于，包括碳化钨粉50份、纳米氧化锡60份、粘结剂15份、碳化钽15份、铝硅金属间化合物7份、锌9份、钴7份、钨粉9份、金属陶瓷10份、氧化镧7份、铌粉3份、铜钨合金粉7份、镍3份。3.根据权利要求1所述的铜钨碳化钨真空触头材料，其特征在于，包括碳化钨粉50?60份、纳米氧化锡24?27份、粘结剂6?11份、碳化钽7?14份、招娃金属间化合物4?8份、锌7?11份、钴I?9份、钨粉2?7份、金属陶瓷2?6份、氧化镧4?7份、铌粉2?6份、铜钨合金粉2?9份、镍3?7份。4.根据权利要求1所述的铜钨碳化钨真空触头材料，其特征在于，所述钴为钴的粒度为300目。5.根据权利要求1所述的铜钨碳化钨真空触头材料，其特征在于，所述金属陶瓷为钛铝碳陶瓷、钛硅碳陶瓷、Ti3AlC2, Ti2AlC, Ti3SiC2中的一种。
【文档编号】H01H1/025GK106064237SQ201410582116
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2014年10月26日 公开号201410582116.0, CN 106064237 A, CN 106064237A, CN 201410582116, CN-A-106064237, CN106064237 A, CN106064237A, CN201410582116, CN201410582116.0
【发明人】李超
【申请人】西安立伟电子科技有限责任公司