掩膜组件及其制造方法、显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开一种掩膜组件及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。掩膜组件包括：框架、第一掩膜板和第二掩膜板，第一掩膜板和第二掩膜板层叠设置在框架上；其中，第一掩膜板包括开口区域，第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在蒸镀区域周围的缓冲区域，蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔，缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内。本发明解决了掩膜组件的对位精度较低的问题，达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。本发明用于蒸镀。
【专利说明】
掩膜组件及其制造方法、显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜组件及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(英文:0rganic Light-Emitting D1de;简称:0LED)显示器具有自主发光、厚度薄、重量轻、响应速度快、视角广、色彩丰富以及高亮度、低功耗、耐高低温等优点，广泛应用于手机、手表、电脑、电视机等产品中。在OLED显示器的制造过程中，可以采用蒸镀机配合掩膜组件形成电极图形、有机发光图形等。
[0003]相关技术中，掩膜组件包括:金属框架、OpenMASK(中文:开放掩膜板)和精细金属掩膜板(英文:Fine Metal Mask;简称:FMM)，Open MASK包括开口区域，FMM包括精密排布在整个FMM上的蒸镀孔，Open MASK和FMM的四周分别焊接在金属框架上，且FMM层叠设置在Open MASK上，FMM上的蒸镀孔中，在Open MASK上的正投影位于开口区域内的蒸镀孔所在的区域，为该掩膜组件的蒸镀区域(也即是，掩膜组件的蒸镀区域由Open MASK的开口区域来限定，该蒸镀区域的边界为Open MASK的开口区域的边界)。在基板上形成图形时，将掩膜组件设置在蒸镀机与基板之间，使掩膜组件与基板的位置相对固定，掩膜组件的蒸镀区域与基板上的待形成patten (图形)区域对准，蒸镀机中的蒸镀材料通过蒸镀区域蒸镀到基板上，在待形成图形区域形成相应的图形。
[0004]但是，由于相关技术中的掩膜组件的蒸镀区域由OpenMASK的开口区域来限定，而在Open MASK上焊接FMM的过程中，容易导致Open MASK受力变形，使Open MASK的开口区域与金属框架的相对位置发生改变，进而导致掩膜组件的蒸镀区域发生改变，掩膜组件的蒸镀区域与基板上的待形成图形区域无法有效对准，因此，掩膜组件的对位精度较低。
【发明内容】
[0005]为了解决掩膜组件的对位精度较低的问题，本发明提供一种掩膜组件及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下:
[0006]第一方面，提供一种掩膜组件，所述掩膜组件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板，
[0007]所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上；
[0008]其中，所述第一掩膜板包括开口区域，所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域周围的缓冲区域，所述蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔，所述缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，所述开口区域的边界在所述第二掩膜板的正投影位于所述缓冲区域内。
[0009]可选地，所述缓冲区域内设置有第一凹槽。
[0010]可选地，所述第一凹槽的开口面位于所述第二掩膜板远离所述第一掩膜板的一面上。
[0011]可选地，所述缓冲区域的形状为环形。
[0012]可选地，所述第一掩膜板还包括:围绕在所述开口区域周围的第一外围区域，所述第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡；
[0013]所述第二掩膜板还包括:围绕在所述缓冲区域周围的第二外围区域，所述第二外围区域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外围区域内。
[0014]可选地，所述第二外围区域内设置有所述蒸镀孔;或者，
[0015]所述第二外围区域内设置有第二凹槽。
[0016]可选地，所述缓冲区域内设置有第一凹槽，所有所述蒸镀孔的开口面的面积相等，所有凹槽的开口面的面积相等，任一所述蒸镀孔的开口面的面积等于任一所述凹槽的开口面的面积，任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。
[0017]可选地，所述开口区域和所述蒸镀区域的形状都为圆形，所述缓冲区域的形状为圆环形，所述缓冲区域的内环的半径与所述蒸镀区域的半径相等，所述开口区域的半径大于所述缓冲区域的内环的半径，且小于所述缓冲区域的外环的半径。
[0018]可选地，所述框架为金属框架，所述第二掩膜板为精细金属掩膜板，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别焊接在所述框架上。
[0019]第二方面，提供一种掩膜组件的制造方法，所述方法包括:
[0020]提供框架；
[0021]形成第一掩膜板，所述第一掩膜板包括开口区域；
[0022]形成第二掩膜板，所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域周围的缓冲区域，所述蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔，所述缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡；
[0023]将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上，使所述开口区域的边界在所述第二掩膜板的正投影位于所述缓冲区域内。
[0024]可选地，所述缓冲区域内设置有第一凹槽。
[0025]可选地，所述第一凹槽的开口面位于所述第二掩膜板远离所述第一掩膜板的一面上。
[0026]可选地，所述缓冲区域的形状为环形。
[0027]可选地，所述第一掩膜板还包括:围绕在所述开口区域周围的第一外围区域，所述第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡；
[0028]所述第二掩膜板还包括:围绕在所述缓冲区域周围的第二外围区域，
[0029]所述将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上，还包括:
[0030]将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上，使所述第二外围区域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外围区域内。
[0031]可选地，所述第二外围区域内设置有所述蒸镀孔;或者，
[0032]所述第二外围区域内设置有第二凹槽。
[0033]可选地，所述缓冲区域内设置有第一凹槽，所有所述蒸镀孔的开口面的面积相等，所有凹槽的开口面的面积相等，任一所述蒸镀孔的开口面的面积等于任一所述凹槽的开口面的面积，任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。
[0034]可选地，所述开口区域和所述蒸镀区域的形状都为圆形，所述缓冲区域的形状为圆环形，所述缓冲区域的内环的半径与所述蒸镀区域的半径相等，所述开口区域的半径大于所述缓冲区域的内环的半径，且小于所述缓冲区域的外环的半径。
[0035]可选地，所述框架为金属框架，所述第二掩膜板为精细金属掩膜板，
[0036]所述将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上，包括:
[0037]将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别焊接在所述框架上，使所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠。
[0038]第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括:采用第一方面所述的掩膜组件形成的图形。
[0039]本发明提供的技术方案带来的有益效果是:
[0040]本发明提供一种掩膜组件及其制造方法、显示装置，掩膜组件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板，第一掩膜板和第二掩膜板层叠设置在框架上，第一掩膜板包括开口区域，第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在蒸镀区域周围的缓冲区域，蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔，缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内。由于掩膜组件的蒸镀区域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内，而缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，这样，由于缓冲区域的存在，在固定第二掩膜板时，开口区域位置的改变不会对蒸镀区域产生影响，因此，掩膜组件的对位精度较高，解决了掩膜组件的对位精度较低的问题，达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。
[0041]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。
【附图说明】
[0042]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1-1是相关技术提供的一种掩膜组件的结构示意图；
[0044]图1-2是相关技术提供的另一种掩膜组件的结构示意图；
[0045]图2-1是本发明实施例提供的一种掩膜组件的结构示意图；
[0046]图2-2是本发明实施例提供的一种第一掩膜板的结构示意图；
[0047]图2-3是本发明实施例提供的一种第二掩膜板的结构示意图；
[0048]图2-4是本发明实施例提供的一种开口区域与蒸镀区域、缓冲区域的位置关系图；
[0049]图2-5是本发明实施例提供的另一种掩膜组件的结构示意图；
[0050]图2-6是相关技术提供的一种基板的结构示意图；
[0051 ]图2-7是本发明实施例提供的一种基板的结构示意图；
[0052]图3是本发明实施例提供的一种掩膜组件的制造方法的方法流程图；
[0053]图4是本发明实施例提供的另一种掩膜组件的制造方法的方法流程图。
[0054]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
【具体实施方式】
[0055]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0056]请参考图1-1，其示出了相关技术提供的一种掩膜组件00的结构示意图，参见图1-1，该掩膜组件00包括:金属框架(图1-1中未示出),Open MASK(图1_1中未标出)和FMM-OOI，Open MASK包括开口区域，FMM-001包括精密排布在整个FMM上的蒸镀孔0011，Open MASK和FMM的四周分别焊接在金属框架上，且FMM-001层叠设置在Open MASK上，FMM上的蒸镀孔0011中，在Open MASK上的正投影位于开口区域内的蒸镀孔0011所在的区域，为该掩膜组件00的蒸镀区域002。在基板(图1-1中未示出)上形成图形时，将掩膜组件00设置在蒸镀机(图1-1中未示出)与基板之间，使掩膜组件00与基板的位置相对固定，掩膜组件00的蒸镀区域002与基板上的待形成图形区域对准，蒸镀机中的蒸镀材料通过蒸镀区域002蒸镀到基板上，在待形成图形区域形成相应的图形。
[0057]但是，由于该掩膜组件00的蒸镀区域002由Open MASK的开口区域来限定，而在Open MASK上焊接FMM-001的过程中，容易导致Open MASK受力变形，使Open MASK的开口区域与金属框架的相对位置发生改变，进而导致掩膜组件00的蒸镀区域002发生改变，比如，在Open MASK上焊接FMM-OOI的过程中，由于Open MASK受力变形，导致Open MASK的开口区域与金属框架的相对位置发生改变，使得掩膜组件00的蒸镀区域002由如图1-1所示的位置改变至如图1-2所示的位置(图1-2中虚线所示区域为Open MASK与金属框架的相对位置改变之前，Open MASK的开口区域)，那么，由于掩膜组件00与基板的位置相对固定，因此，蒸镀区域002位置的改变会导致掩膜组件00的蒸镀区域002与基板上的待形成图形区域无法有效对准，掩膜组件00的对位精度较低。
[0058]请参考图2-1，其示出了本发明实施例提供的一种掩膜组件01的结构示意图，参见图2-1，该掩膜组件OI包括:框架(图2-1中未示出)、第一掩膜板(图2-1中未标出)和第二掩膜板011，第一掩膜板和第二掩膜板011层叠设置在框架上。
[0059 ]其中，第一掩膜板包括开口区域0121，第二掩膜板011包括蒸镀区域0111和围绕在蒸镀区域0111周围的缓冲(英文:Dummy)区域0112，蒸镀区域0111内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔K，缓冲区域0112用于对蒸镀材料进行阻挡，开口区域0121的边界在第二掩膜板011的正投影位于缓冲区域0112内。
[0060]综上所述，本发明实施例提供的掩膜组件，由于掩膜组件的蒸镀区域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内，而缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，这样，由于缓冲区域的存在，在固定第二掩膜板时，开口区域位置的改变不会对蒸镀区域产生影响，因此，掩膜组件的对位精度较高，解决了掩膜组件的对位精度较低的问题，达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。
[0061]可选地，如图2-1所示，缓冲区域0112的形状为环形。框架的具体结构可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。
[0062]可选地，请参考图2-2，其示出了本发明实施例提供的一种第一掩膜板012的结构示意图，参见图2-2，第一掩膜板012包括开口区域0121和围绕在该开口区域0121周围的第一外围区域0122，具体地，第一掩膜板012上的区域由该开口区域0121和第一外围区域0122组成，该第一外围区域0122用于对蒸镀材料进行阻挡。示例地，如图2-2所示，第一掩膜板012的板面为矩形，开口区域0121的形状可以为圆形，第一外围区域0122为该第一掩膜板012上除该开口区域0121之外的区域。实际应用中，该开口区域0121还可以为矩形或者其他形状，本发明实施例对此不作限定。
[0063]可选地，请参考图2-3，其示出了本发明实施例提供的一种第二掩膜板011的结构示意图，参见图2-3，第二掩膜板011包括蒸镀区域0111、围绕在蒸镀区域0111周围的缓冲区域0112和围绕在缓冲区域0112周围的第二外围区域0113，具体地，第二掩膜板011上的区域由蒸镀区域0111、缓冲区域0112和第二外围区域0113组成。示例地，第二掩膜板011的板面为矩形，蒸镀区域0111的形状可以为圆形，缓冲区域0112的形状可以为圆环形，第二外围区域0113为该第二掩膜板011上除该蒸镀区域0111和缓冲区域0112之外的区域。需要说明的是，实际应用中，第二掩膜板011的板面、蒸镀区域0111和缓冲区域0112还可以为其他形状，其具体形状可以根据实际需要设置，本发明实施例对此不作限定。
[0064]进一步地，如图2-3所示，蒸镀区域0111内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔K，缓冲区域0112用于对蒸镀材料进行阻挡，示例地，缓冲区域0112内设置有第一凹槽C，这样可以减小缓冲区域0112与蒸镀区域0111之间的应力差，避免将第二掩膜板011设置在框架上的过程中，由于拉伸导致第二掩膜板011出现皱纹。可选地，在将第二掩膜板011设置在框架上时，可以使第一凹槽C的开口面位于第二掩膜板011远离第一掩膜板的一面上，本发明实施例对此不作限定。
[0065]可选地，第二掩膜板011的第二外围区域内设置有蒸镀孔;或者，第二掩膜板011的第二外围区域内设置有第二凹槽。示例地，如图2-3所示，第二掩膜板011的第二外围区域0113上设置有蒸镀孔K。其中，在第二外围区域0113上设置蒸镀孔或者第二凹槽可以减小第二外围区域0113与蒸镀区域0111之间的应力差，避免将第二掩膜板011设置在框架上的过程中，由于拉伸导致第二掩膜板011出现皱纹。其中，在如图2-1所示的掩膜组件01中，第二外围区域在第一掩膜板上的正投影位于第一外围区域内。需要说明的是，实际应用中，第二凹槽的结构与第一凹槽C的结构可以相同，也可以不同，本发明实施例对此不作限定。
[0066]可选地，在本发明实施例中，蒸镀孔K可以为圆形孔、矩形孔、方形孔或者其他形状的孔，所有蒸镀孔K的开口面的形状相同且面积相等，所有凹槽(包括第一凹槽C和第二凹槽)的开口面的形状相同且面积相等，任一蒸镀孔K的开口面的面积等于任一凹槽的开口面的面积，任一凹槽的深度大于或者等于第二掩膜板011的厚度的一半且小于第二掩膜板的厚度，这样可以尽可能的减小第二掩膜板011上不同位置的应力差。其中，蒸镀孔K可以通过全刻蚀工艺形成，全刻蚀工艺可以将第二掩膜板011刻透从而形成蒸镀孔K，第一凹槽C和第二凹槽都可以采用半刻蚀工艺形成，半刻蚀工艺不会将第二掩膜板011刻透从而形成凹槽。
[0067]进一步地，请参考图2-4，其示出了本发明实施例提供的一种开口区域0121、蒸镀区域0111和缓冲区域0112的位置关系图，参见图2-4，开口区域0121和蒸镀区域0111的形状都为圆形，缓冲区域0112的形状为圆环形，缓冲区域0112的内环的半径与蒸镀区域0111的半径相等，开口区域0121的半径大于缓冲区域0112的内环的半径，且小于缓冲区域0112的外环的半径。
[0068]可选地，第一掩膜板可以为Open MASK，第二掩膜板011可以为FMM，第一掩膜板和第二掩膜板011的形状相同，大小相等。示例地，框架的形状可以为矩形且框架可以为金属框架，第一掩膜板和第二掩膜板011的形状都为矩形，第一掩膜板和第二掩膜板011分别焊接在框架上，本发明实施例对此不作限定。
[0069]在如图2-1所示的掩膜组件01中，在第一掩膜板上焊接第二掩膜板的过程中，由于第一掩膜板受力变形，可能导致第一掩膜板的开口区域0121与框架的相对位置发生改变，但是由于掩膜组件01的蒸镀区域0111是由第二掩膜板011限定的，且第二掩膜板011上还包括缓冲区域0112，这样，即使第一掩膜板的开口区域0121与框架的相对位置发生改变，只要改变后第一掩膜板的开口区域0121的边界在第二掩膜板011上的正投影位于缓冲区域0112内，就不会改变掩膜组件01的蒸镀区域。比如，在第一掩膜板上焊接第二掩膜板011的过程中，第一掩膜板受力变形，导致第一掩膜板的开口区域0121与框架的相对位置发生改变，使得第一掩膜板的开口区域0121由如图2-1所示的位置改变至如图2-5所示的位置，那么，参见图2-5可知，改变后第一掩膜板的开口区域0121的边界在第二掩膜板011上的正投影位于缓冲区域0112内，因此，掩膜组件01的蒸镀区域0111未发生改变，第一掩膜板的开口区域0121的位置的改变不会对掩膜组件01的蒸镀区域0111的位置产生影响，所以，本发明实施例提供的掩膜组件01的对位精度较高。
[°07°]相关技术中的掩膜组件的蒸镀区域由Open MASK的开口区域来限定，而Open MASK的精度比FMM的精度低，形成的图形的质量较差，这样在形成图形(比如有机发光图形、电极图形)时，为了避免基板的显示区域的周边的像素出现故障，通常需要在基板的显示区域的周边设置留白区，并在留白区形成缓冲像素(英文:Du_y Pixel)来对显示区域中的像素进行缓冲保护，该缓冲像素不用于图像显示。示例地，如图2-6所示，可以在基板02的显示区域021的周边设置留白区0211，在留白区0211中形成缓冲像素，这样当基板02的像素出现故障时，首先出现故障的像素为留白区0211中的缓冲像素，因此，该缓冲像素可以对显示区域021中用于显示图像的像素进行保护。但是，设置留白区0211之后，如图2-6所示，基板的边缘的宽度为a，该基板O2的边缘较宽，难以实现窄边框显示。
[0071]本发明实施例提供的掩膜组件的蒸镀区域由FMM来限定，而FMM的精度较高，形成的图形的质量较好，这样在形成图形时，可以不在基板上形成缓冲像素，因此，也不需要在基板的显示区域的周边设置留白区。示例地，如图2-7所示，可以不在基板03的显示区域031的周边设置留白区，此时，基板03的边缘的宽度为b，该基板03的边缘较窄，可以实现窄边框显不O
[0072]相关技术中，为了提高掩膜组件的对位精度，需要不断提高OpenMASK的开口精度，而Open MASK是精度较低的掩膜板，提高Open MASK的开口精度的过程复杂，导致OpenMASK的制作工艺难度较高，本发明实施例通过采用FMM限定掩膜组件的蒸镀区域，可以不再要求Open MASK具有较高的开口精度就可以提高掩膜组件的对位精度，因此，可以降低OpenMASK的开口精度要求，降低Open MASK的制作工艺难度。
[0073]显示器通常包括液晶显示器(英文:Liquid Crystal Display;简称:1XD)、0LED显示器、等离子显示屏(英文:Plasma Display Panel;简称:PDP)显示器和电子墨水显示器，OLED显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是LCD显示器之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。近期随着苹果手表的热卖，将OLED显示器运用在手表中迅速引领了潮流，本发明实施例提供的掩膜组件可以用于手表的显示器的制作，具有广泛的应用前景和市场需求。
[0074]综上所述，本发明实施例提供的掩膜组件，由于掩膜组件的蒸镀区域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内，而缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，这样，由于缓冲区域的存在，在固定第二掩膜板时，开口区域位置的改变不会对蒸镀区域产生影响，因此，掩膜组件的对位精度较高，解决了掩膜组件的对位精度较低的问题，达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。
[0075]本发明实施例提供的掩膜组件可以应用于下文的方法，本发明实施例中掩膜组件的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
[0076]请参考图3，其示出了本发明实施例提供的一种掩膜组件的制造方法的方法流程图，该掩膜组件的制造方法可以用于制造图2-1所示的掩膜组件01，参见图3，该掩膜组件的制造方法可以包括:
[0077]步骤301、提供框架。
[0078]步骤302、形成第一掩膜板，第一掩膜板包括开口区域。
[0079]步骤303、形成第二掩膜板，第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在蒸镀区域周围的缓冲区域，蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔，缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡。
[0080]步骤304、将第一掩膜板和第二掩膜板层叠设置在框架上，使开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内。
[0081]综上所述，本发明实施例提供的掩膜组件的制造方法，由于掩膜组件的蒸镀区域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内，而缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，这样，由于缓冲区域的存在，在固定第二掩膜板时，开口区域位置的改变不会对蒸镀区域产生影响，因此，掩膜组件的对位精度较高，解决了掩膜组件的对位精度较低的问题，达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。
[0082]可选地，缓冲区域内设置有第一凹槽。
[0083]可选地，第一凹槽的开口面位于第二掩膜板远离第一掩膜板的一面上。
[0084]可选地，缓冲区域的形状为环形。
[0085]可选地，第一掩膜板还包括:围绕在开口区域周围的第一外围区域，第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡；
[0086]第二掩膜板还包括:围绕在缓冲区域周围的第二外围区域，
[0087]将第一掩膜板和第二掩膜板层叠设置在框架上，还包括:
[0088]将第一掩膜板和第二掩膜板层叠设置在框架上，使第二外围区域在第一掩膜板上的正投影位于第一外围区域内。
[0089]可选地，第二外围区域上设置有蒸镀孔;或者，
[0090]第二外围区域上设置有第二凹槽。
[0091]可选地，缓冲区域内设置有第一凹槽，所有蒸镀孔的开口面的面积相等，所有凹槽的开口面的面积相等，任一蒸镀孔的开口面的面积等于任一凹槽的开口面的面积，任一凹槽的深度大于或者等于第二掩膜板的厚度的一半且小于第二掩膜板的厚度。
[0092]可选地，开口区域和蒸镀区域的形状都为圆形，缓冲区域的形状为圆环形，缓冲区域的内环的半径与蒸镀区域的半径相等，开口区域的半径大于缓冲区域的内环的半径，且小于缓冲区域的外环的半径。
[0093]可选地，框架为金属框架，第二掩膜板为精细金属掩膜板，步骤304包括:
[0094]将第一掩膜板和第二掩膜板分别焊接在框架上，使第一掩膜板和第二掩膜板层置。
[0095]上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再
--赘述。
[0096]综上所述，本发明实施例提供的掩膜组件的制造方法，由于掩膜组件的蒸镀区域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内，而缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，这样，由于缓冲区域的存在，在固定第二掩膜板时，开口区域位置的改变不会对蒸镀区域产生影响，因此，掩膜组件的对位精度较高，解决了掩膜组件的对位精度较低的问题，达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。
[0097]请参考4-1，其示出了本发明实施例提供的另一种掩膜组件的制造方法的方法流程图，该掩膜组件的制造方法可以用于制造图2-1所示的掩膜组件01，参见图4，该掩膜组件的制造方法可以包括:
[0098]步骤401、提供框架。
[0099]在本发明实施例中，框架的具体结构以及形成方法均可以参考相关技术，本发明实施例在此不再赘述。
[0100]步骤402、形成第一掩膜板，第一掩膜板包括开口区域和围绕在开口区域周围的第一外围区域，第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡。
[0101]其中，第一掩膜板012可以为Open MASK，如图2_2所示，第一掩膜板012包括开口区域0121和围绕在开口区域0121周围的第一外围区域0122，第一外围区域0122用于对蒸镀材料进行阻挡。示例地，第一掩膜板012的板面为矩形，开口区域0121可以为圆形，第一外围区域0122为该第一掩膜板012上除该开口区域0121之外的区域。
[0102]在本发明实施例中，第一掩膜板012可以包括第一掩膜板本体，第一掩膜板本体为不包括任何图形的矩形板，可以通过一次构图工艺对第一掩膜板本体进行处理得到第一掩膜板012。其中，一次构图工艺可以包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，因此，通过一次构图工艺对第一掩膜板本体进行处理得到第一掩膜板012可以包括:在第一掩膜板本体上涂覆一层具有一定厚度的光刻胶得到光刻胶层，采用具有相应图形的掩膜板对光刻胶层进行曝光，使光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，完全曝光区对应待形成的第一掩膜板的开口区域，非曝光区对应待形成的第一掩膜板的第一外围区域，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对第一掩膜板本体上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，得到第一掩膜板的开口区域0121，之后剥离非曝光区的光刻胶得到第一掩膜板的第一外围区域0122，得到第一掩膜板的开口区域0121和第一外围区域0122之后，就得到了第一掩膜板012。
[0103]需要说明的是，本发明实施例是以采用正性光刻胶形成第一掩膜板012为例进行说明的，实际应用中，还可以采用负性光刻胶形成第一掩膜板012，本发明实施例对此不做限定。
[0104]还需要说明的是，该步骤402中形成第一掩膜板012时采用的具有相应图形的掩膜板与该第一掩膜板012不同，该具有相应图形的掩膜板可以是包括透光区域和遮光区域的掩膜板，本发明实施例在此不再赘述。
[0105]步骤403、形成第二掩膜板，第二掩膜板包括蒸镀区域、围绕在蒸镀区域周围的缓冲区域和围绕在缓冲区域周围的第二外围区域，蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔，缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡。
[0106]其中，第二掩膜板011可以为FMM，如图2-3所示，第二掩膜板011包括蒸镀区域0111、围绕在蒸镀区域0111周围的缓冲区域0112和围绕在缓冲区域0112周围的第二外围区域0113，第二掩膜板011的板面为矩形，蒸镀区域0111的形状可以为圆形，缓冲区域0112的形状为圆环形，第二外围区域0113为该第二掩膜板011上除该蒸镀区域0111和缓冲区域0112之外的区域。蒸镀区域0111内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔K，缓冲区域0112内设置有第一凹槽C，第二外围区域0113上设置有蒸镀孔K，在本发明实施例中，蒸镀孔K可以为圆形孔、矩形孔、方形孔或者其他形状的孔，所有蒸镀孔K的开口面的形状相同且面积相等，所有凹槽的开口面的形状相同且面积相等，任一蒸镀孔K的开口面的面积等于任一凹槽的开口面的面积，任一凹槽的深度大于或者等于第二掩膜板011的厚度的一半且小于第二掩膜板的厚度。
[0107]在本发明实施例中，第二掩膜板011可以包括第二掩膜板本体，第二掩膜板本体为不包括任何图形的矩形板，可以通过一次构图工艺对第二掩膜板本体进行处理得到第二掩膜板011。其中，一次构图工艺可以包括:光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，因此，通过一次构图工艺对第二掩膜板本体进行处理得到第二掩膜板011可以包括:在第二掩膜板本体上涂覆一层具有一定厚度的光刻胶得到光刻胶层，采用具有相应图形的灰色掩膜板或者半色调掩膜板对光刻胶层进行曝光，使光刻胶层形成完全曝光区、部分曝光区和非曝光区，完全曝光区对应待形成的第二掩膜板上的蒸镀孔，部分曝光区对应待形成的第二掩膜板上的凹槽，非曝光区对应其他区域，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，部分曝光区的光刻胶被部分去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对第二掩膜板本体上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，得到第二掩膜板的蒸镀孔K，之后可以采用显影、灰化或剥离等工艺去除部分曝光区的光刻胶，采用刻蚀工艺对第二掩膜板本体上部分曝光区对应的区域进行刻蚀，得到第二掩膜板的凹槽，之后剥离非曝光区的光刻胶得到第二掩膜板011。
[0108]需要说明的是，本发明实施例是以采用正性光刻胶形成第二掩膜板011为例进行说明的，实际应用中，还可以采用负性光刻胶形成第二掩膜板011，本发明实施例对此不做限定。
[0109]还需要说明的是，该步骤403是以通过一次构图工艺，采用灰色掩膜板或者半色调掩膜板形成第二掩膜板011为例进行说明的，实际应用中，还可以通过两次构图工艺形成第二掩膜板011，本发明实施例在此不再赘述。
[0110]步骤404、将第一掩膜板和第二掩膜板层叠设置在框架上，使开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内，第二外围区域在第一掩膜板上的正投影位于第一外围区域内。
[0111]其中，将第一掩膜板012和第二掩膜板011层叠设置在框架上后可以形成掩膜组件Ol，掩膜组件Ol的具体结构可以参考图2-1，本发明实施例在此不再赘述。
[0112]在本发明实施例中，框架的形状可以为矩形，第一掩膜板012和第二掩膜板011的形状都可以为矩形，且框架可以为金属框架，第一掩膜板012和第二掩膜板011的材质均可以为金属，因此，可以将第一掩膜板012和第二掩膜板011分别焊接在框架上，使第一掩膜板012和第二掩膜板011层叠。具体地，可以先将第一掩膜板012焊接在框架上，然后将第二掩膜板011焊接在框架上，使第二掩膜板011的缓冲区域的第一凹槽C的开口面位于第二掩膜板011远离第一掩膜板012的一面上，并使第二掩膜板011的第二外围区域0113在第一掩膜板012上的正投影位于第一掩膜板012的第一外围区域0122内。
[0113]可选地，在本发明实施例中，第一掩膜板012的开口区域0121的形状为圆形，第二掩膜板011的蒸镀区域0111的形状为圆形，缓冲区域0112的形状为圆环形，缓冲区域0112的内环的半径与蒸镀区域0111的半径相等，开口区域0121的半径大于缓冲区域0112的内环的半径，且小于缓冲区域0112的外环的半径，本发明实施例在此不再赘述。
[0114]综上所述，本发明实施例提供的掩膜组件的制造方法，由于掩膜组件的蒸镀区域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内，而缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，这样，由于缓冲区域的存在，在固定第二掩膜板时，开口区域位置的改变不会对蒸镀区域产生影响，因此，掩膜组件的对位精度较高，解决了掩膜组件的对位精度较低的问题，达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。
[0115]本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括采用图2-1所示的掩膜组件形成的图形，显示装置可以为:watch(中文:手表)、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0116]综上所述，本发明实施例提供的显示装置包括采用掩膜组件形成的图形，由于掩膜组件的蒸镀区域由第二掩膜板限定，第一掩膜板的开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内，而缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，这样，由于缓冲区域的存在，在固定第二掩膜板时，开口区域位置的改变不会对蒸镀区域产生影响，因此，掩膜组件的对位精度较高，形成的图形的质量较好，显示装置的显示质量较好。
[0117]本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
[0118]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种掩膜组件，其特征在于，所述掩膜组件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板， 所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上； 其中，所述第一掩膜板包括开口区域，所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域周围的缓冲区域，所述蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔，所述缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡，所述开口区域的边界在所述第二掩膜板的正投影位于所述缓冲区域内。2.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于， 所述缓冲区域内设置有第一凹槽。3.根据权利要求2所述的掩膜组件，其特征在于， 所述第一凹槽的开口面位于所述第二掩膜板远离所述第一掩膜板的一面上。4.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于， 所述缓冲区域的形状为环形。5.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于， 所述第一掩膜板还包括:围绕在所述开口区域周围的第一外围区域，所述第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡； 所述第二掩膜板还包括:围绕在所述缓冲区域周围的第二外围区域，所述第二外围区域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外围区域内。6.根据权利要求5所述的掩膜组件，其特征在于， 所述第二外围区域内设置有所述蒸镀孔;或者， 所述第二外围区域内设置有第二凹槽。7.根据权利要求6所述的掩膜组件，其特征在于， 所述缓冲区域内设置有第一凹槽，所有所述蒸镀孔的开口面的面积相等，所有凹槽的开口面的面积相等，任一所述蒸镀孔的开口面的面积等于任一所述凹槽的开口面的面积，任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。8.根据权利要求1至7任一所述的掩膜组件，其特征在于， 所述开口区域和所述蒸镀区域的形状都为圆形，所述缓冲区域的形状为圆环形，所述缓冲区域的内环的半径与所述蒸镀区域的半径相等，所述开口区域的半径大于所述缓冲区域的内环的半径，且小于所述缓冲区域的外环的半径。9.根据权利要求1至7任一所述的掩膜组件，其特征在于， 所述框架为金属框架，所述第二掩膜板为精细金属掩膜板，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别焊接在所述框架上。10.一种掩膜组件的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 提供框架； 形成第一掩膜板，所述第一掩膜板包括开口区域； 形成第二掩膜板，所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域周围的缓冲区域，所述蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔，所述缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡； 将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上，使所述开口区域的边界在所述第二掩膜板的正投影位于所述缓冲区域内。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于， 所述缓冲区域内设置有第一凹槽。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于， 所述第一凹槽的开口面位于所述第二掩膜板远离所述第一掩膜板的一面上。13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于， 所述缓冲区域的形状为环形。14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于， 所述第一掩膜板还包括:围绕在所述开口区域周围的第一外围区域，所述第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡； 所述第二掩膜板还包括:围绕在所述缓冲区域周围的第二外围区域， 所述将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上，还包括: 将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上，使所述第二外围区域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外围区域内。15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于， 所述第二外围区域内设置有所述蒸镀孔;或者， 所述第二外围区域内设置有第二凹槽。16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于， 所述缓冲区域内设置有第一凹槽，所有所述蒸镀孔的开口面的面积相等，所有凹槽的开口面的面积相等，任一所述蒸镀孔的开口面的面积等于任一所述凹槽的开口面的面积，任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。17.根据权利要求10至16任一所述的方法，其特征在于， 所述开口区域和所述蒸镀区域的形状都为圆形，所述缓冲区域的形状为圆环形，所述缓冲区域的内环的半径与所述蒸镀区域的半径相等，所述开口区域的半径大于所述缓冲区域的内环的半径，且小于所述缓冲区域的外环的半径。18.根据权利要求10至16任一所述的方法，其特征在于， 所述框架为金属框架，所述第二掩膜板为精细金属掩膜板， 所述将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上，包括: 将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别焊接在所述框架上，使所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠。19.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括:采用权利要求1至9任一所述的掩膜组件形成的图形。
【文档编号】C23C14/24GK106086781SQ201610423043
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月15日 公开号201610423043.X, CN 106086781 A, CN 106086781A, CN 201610423043, CN-A-106086781, CN106086781 A, CN106086781A, CN201610423043, CN201610423043.X
【发明人】李冬伟, 李宝军, 黄俊杰
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司