一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开一种膜层纯度高，可精确控制膜层厚度的等离子法沉积膜层的装置，包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器，抽气设备和气体输送系统与反应室连通，抽气设备设于反应室的下方，气体输送系统设于反应室上方，脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波，在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头，采用本技术方案后，与现有技术相比，本低压等离子体化学气相沉积制得纳米薄膜的装置具有以下优点：1)膜层纯度高，不含多余无用的反应物(即污染物)，膜层粘附性得到提高；2)膜层厚度控制精确。
【专利说明】
一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置
技术领域
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[0001]本发明涉及一种在具有复杂曲面的基底外表面制备纳米多层膜的装置，特别是一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置。
【背景技术】
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[0002]目前，通用的具有复杂曲面的玻璃工件外表面制备薄膜方式是物理真空蒸镀(PVD)。将Si02，ZnS和T12或Nb2O5等固体颗粒物通过电子枪加热气化，真空腔体内放置有玻璃工件，气态化的低折射率Si02、ZnS和高折射率Nb2O5或T12交替附着在玻璃表面，通过蒸发量控制膜层厚度并最终生成超过30层的薄膜。
[0003]为了实现上述工艺，现有技术都是采用低压等离子化学气相沉积的方法，在复杂曲面的玻璃工件外表面制得纳米多层膜，对应工艺的装置包括有反应室01、抽气设备02、气体输送系统03、脉冲微波发生器04和辅助点火装置，抽气设备02和气体输送系统03与反应室01连通，脉冲微波发生器04向反应室01提供微波，辅助点火装置与脉冲微波结合使用，反应温度要求不需要太高，自由电子获得的能力不高，得到一层膜层后，不会被后续电子轰走，但目前装置配置的辅助点火装置中的等离子点火触头05是安装在反应室01上部的进气端部，在进气侧设置点火对于微波脉冲等离子体是有致命的缺点。由于反应气体在工件上方已混合在一起，在反应室01上方的区域触发点燃反应气体会导致气体之间反应。会有一部分反应气体在工件上方已经生产不必要反应物(例如灰尘)，该反应物也会混在膜层里，从而引起在工件上出现浑浊的膜层。另外触发点火过程会作用在工件上，反应气体部分分解，从而出现所构成的涂层粘性差而易剥落。另外缺点是因为触发点火时消耗不确定份量的反应气体，所以也不能确保膜层厚度与设计厚度一致。
【发明内容】
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[0004]为了解决现有技术存在的问题，本发明提出了一种膜层纯度高，可精确控制膜层厚度的等离子法沉积膜层的装置。
[0005]本发明的发明目的可以通过以下的技术方案来实现:一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置，包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器，抽气设备和气体输送系统与反应室连通，抽气设备设于反应室的下方，气体输送系统设于反应室上方，脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波，在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头。
[0006]等离子点火触头为圆形的点火线圈。
[0007]采用本技术方案后，与现有技术相比，本低压等离子体化学气相沉积制得纳米薄膜的装置具有以下优点:
[0008]I)膜层纯度高，不含多余无用的反应物(即污染物)，膜层粘附性得到提高；
[0009]2)膜层厚度控制精确。【附图说明】:
[0010]图1是本现有技术等离子法沉积膜层的装置的结构图；
[0011 ]图2是本发明等离子法沉积膜层的装置的结构图。
【具体实施方式】
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[0012]下面结合附图对本技术作进一步说明。
[0013]本实施例的可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置，包括有反应室1、抽气设备2、气体输送系统3和脉冲微波发生器4，抽气设备2和气体输送系统3与反应室I连通，抽气设备2设于反应室I的下方，气体输送系统3设于反应室I上方，气体输送系统3设有多路不同气体的气路，可以通过控制切换气路给反应室I提供不同的气体，从而产生不同的膜层，脉冲微波发生器4向反应室I供应产生的微波，在反应室I下方的出气口 11于抽气设备2的一侧设有等离子点火触头5，等离子点火触头5为圆形的点火线圈。
[0014]本等离子法沉积膜装置应用于灯泡玻璃表面生成本S12和T12的纳米多层膜，一般生产四十多层，每层厚度根据设计需要设定，可控制灯泡透射出来的光谱，可以根据客户对光谱的要求来调节控制每层的厚度以及层数，使灯泡透射出所需光谱的光线。
[0015]以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。故凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明之形状、构造及原理所作的等效变化，均应涵盖于本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置，包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器，抽气设备和气体输送系统与反应室连通，抽气设备设于反应室的下方，气体输送系统设于反应室上方，脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波，其特征在于:在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头。2.—种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置，其特征在于:等离子点火触头为圆形的点火线圈。
【文档编号】C23C16/513GK106086821SQ201610719680
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月24日
【发明人】梁磊
【申请人】佛山市思博睿科技有限公司