一种新型光学镀膜坩埚的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种真空热蒸发装置，具体为一种新型光学镀膜坩祸。
【背景技术】
[0002]蒸镀法是一种属于物理气相沉积的真空镀膜技术。它是将蒸镀的材料置于一个坩祸之中，通过对坩祸的加热，使坩祸内材料从固态转化为气态的原子、原子团或分子，然后凝聚到待镀膜的基板表面形成薄膜，该技术广泛应用于太阳能电池、半导体晶片、平板显示、光学镜片等领域。
[0003]目前，有机电致发光器件作为下一代平板显示的核心技术正受到越来越多的关注。而器件制备的主要方法就是采用蒸镀法。无论是有机功能层、有机发光层，还是金属电极，都是采用对坩祸加热的方法来蒸镀。
[0004]现有的真空镀膜机主要利用电子枪将蒸镀材料进行加热，并将蒸镀材料蒸发到光学元件表面形成光学薄膜，现有的蒸镀材料一般由坩祸装载，坩祸由坩祸及承载板组成，坩祸紧密装载于承载板槽内，而现有的蒸镀材料一般呈颗粒状，在加热蒸镀过程中材料从固态转变为液态和从液态转变为固态的相变过程中，镀膜材料与坩祸之间的表面性质发生变化，表现为少量的镀膜材料的溶液会沿着坩祸壁爬升，最终会有出现溢出坩祸的情况；或者是由于镀膜材料在加热过程中受热膨胀，体积变化明显的原因，当坩祸内镀膜材料添加过量时，会有大量的溶液溢出坩祸，可能会溅淌到加热灯丝上，在熔融状态下的镀膜材料与炽热的灯丝接触后可能会形成两者的合金，从而可能会导致灯丝的加热效能下降或者导致加热丝本身变得容易蒸发，从而在蒸镀的薄膜中加入灯丝成分的杂质。严重情况下，当溢出的镀膜材料较多的时候，灯丝的线圈可能完全被镀膜材料所短路，导致灯丝断裂。
[0005]由于现阶段的坩祸都属于一端封死，一端开口的状态，坩祸每次镀膜材料加满后，都需要给材料进行预熔，经过高温材料熔融，坩祸表面的材料会由颗粒结块成块状进行蒸镀，而坩祸底部的材料短时间无法充分接触导热得到有效的预熔，从而可能会导致增大镀膜过程中溅料的发生几率，影响镀膜的洁净与光谱特性。
【实用新型内容】
[0006]针对上述技术问题，本实用新型公开一种新型光学镀膜坩祸，包括:坩祸I以及设置在坩祸I内壁上的环状凹槽，所述环状凹槽包括第一环状凹槽2和第二环状凹槽3，第一环状凹槽2和第二环状凹槽3均与坩祸I呈同心圆，且均与坩祸I的平面平行。
[0007]优选地，所述i甘祸I的直径为40mm，高度为17mm。
[0008]优选地，所述第一环状凹槽2距离坩祸I的上沿的距离为8mm，且所述第一环状凹槽2及第二环状凹槽3的宽度均为2mm，高度均为1mm，第一环状凹槽2及第二环状凹槽3之间的距离为2mm。
[0009]本实用新型的有益效果是通过在坩祸内壁上设置环状凹槽，使得坩祸材料经高温融化后可进入凹槽内，从而使坩祸材料溶液整体高度下沉不易溢出，减少了材料轻易溅料和溢出的风险，从而保护了灯丝不与材料接触导致短路和断裂；且由于氧化物材料与坩祸壁的直接接触而导热，接触面积增大后，减少了在镀膜过程中溅料，蒸发不均匀等问题的发生几率。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型所述新型光学镀膜坩祸的结构剖视图；
[0011]图2是本实用新型所述新型光学镀膜坩祸的环状凹槽局部放大结构剖视图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0013]如图所示，本实用新型公开一种新型光学镀膜坩祸，包括:坩祸I以及设置在坩祸I内壁上的环状凹槽，所述环状凹槽包括第一环状凹槽2和第二环状凹槽3，第一环状凹槽2和第二环状凹槽3均与坩祸I呈同心圆，且均与坩祸I的平面平行。
[0014]优选地，所述i甘祸I的直径为40mm，高度为17mm。
[0015]优选地，所述第一环状凹槽2距离坩祸I的上沿的距离为8mm，且所述第一环状凹槽2及第二环状凹槽3的宽度均为2mm，高度均为1mm，第一环状凹槽2及第二环状凹槽3之间的距离为2mm。
[0016]通过在坩祸内壁上设置环状凹槽，使得坩祸材料经高温融化后可进入凹槽内，从而使坩祸材料溶液整体高度下沉不易溢出，减少了材料轻易溅料和溢出的风险，从而保护了灯丝不与材料接触导致短路和断裂；且由于氧化物材料与坩祸壁的直接接触而导热，接触面积增大后，减少了在镀膜过程中溅料，蒸发不均匀等问题的发生几率。
[0017]尽管本实用新型的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本实用新型的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本实用新型并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
【主权项】
1.一种新型光学镀膜坩祸，其特征在于，包括:坩祸(I)以及设置在坩祸(I)内壁上的环状凹槽，所述环状凹槽包括第一环状凹槽(2)和第二环状凹槽(3)，第一环状凹槽(2)和第二环状凹槽(3)均与坩祸(I)呈同心圆，且均与坩祸(I)的平面平行。
2.根据权利要求1所述的新型光学镀膜坩祸，其特征在于:所述坩祸(I)的直径为40mm，高度为17_。
3.根据权利要求1所述的新型光学镀膜坩祸，其特征在于:所述第一环状凹槽(2)距离坩祸(I)的上沿的距离为8mm，且所述第一环状凹槽(2 )及第二环状凹槽(3 )的宽度均为2mm，高度均为1mm，第一环状凹槽(2)及第二环状凹槽(3)之间的距离为2mm。
【专利摘要】本实用新型公开一种新型光学镀膜坩埚，包括：坩埚（1）以及设置在坩埚（1）内壁上的环状凹槽，所述环状凹槽包括第一环状凹槽（2）和第二环状凹槽（3），第一环状凹槽（2）和第二环状凹槽（3）均与坩埚（1）呈同心圆，且均与坩埚（1）的平面平行。通过在坩埚内壁上设置环状凹槽，使得坩埚材料经高温融化后可进入凹槽内，材料液面高度下沉不易溢出，保护了灯丝不与材料接触导致短路和断裂；且由于氧化物材料与坩埚壁的直接接触而导热，接触面积增大后，减少了在镀膜过程中溅料，蒸发不均匀等问题的发生几率。
【IPC分类】C23C14-24
【公开号】CN204356396
【申请号】CN201420605734
【发明人】王明利, 冯宇
【申请人】苏州奥科辉光电科技有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年10月21日