真空喷雾装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及物理气相沉积技术领域，尤其涉及一种用于物理气相沉积的真空喷雾装置。
【背景技术】
[0002]传统的真空炉配合物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，在最近30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景的新技术，并向着环保型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是高档手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用，进而衍生到3C及电子产品。
[0003]物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n, PVD)技术是在真空条件下，采用物理方法将材料源一一固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
[0004]目前，物理气相沉积大都只在真空炉内进行，材料源在真空炉内气化形成喷雾效果在基体表面沉积。而真空炉内空间有限，材料源在其中无充分时间混合以及进行化学反应，达到的物理气相沉积效果不佳。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种提高物理气相沉积效果的真空喷雾
目.ο
[0006]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种真空喷雾装置，用于物理气相沉积，其包括真空炉、以及将材料源气化形成气雾并输送至所述真空炉的喷雾气化炉，所述喷雾气化炉与所述真空炉相连接；所述喷雾气化炉内部设有供所述气雾收容并混合的气雾室。
[0007]优选地，所述喷雾气化炉包括炉体、以及将所述材料源喷进所述炉体内以形成气雾的气雾发生器；所述气雾室位于所述炉体内部，所述气雾发生器设置在所述气雾室内。
[0008]优选地，所述气雾发生器设置在所述气雾室的底部。
[0009]优选地，所述气雾发生器包括气雾喷枪。
[0010]优选地，所述喷雾气化炉还包括竖直设置在所述气雾室内的螺旋混合器，所述螺旋混合器和气雾室之间形成有供所述气雾通过的螺旋通道。
[0011]优选地，所述喷雾气化炉还包括用于将载流气体输送至所述气雾室内的进气孔，所述进气孔设置在所述炉体上并与所述气雾室连通。
[0012]优选地，所述喷雾气化炉还包括用于过滤以净化所述载流气体的空气过滤机构，所述空气过滤机构设置在所述炉体内并位于所述进气孔和气雾室之间。
[0013]优选地，所述进气孔设置在所述炉体底部。
[0014]优选地，该真空喷雾装置还包括将所述气雾从所述喷雾气化炉输送至所述真空炉的气雾管道；所述气雾管道连接在所述真空炉和喷雾气化炉之间。
[0015]优选地，所述气雾管道的两端分别连接在所述真空炉和喷雾气化炉的顶部。
[0016]实施本实用新型的有益效果:材料源先在喷雾气化炉内气化形成气雾后再输送至真空炉以完成物理气相沉积，其中气雾在喷雾气化炉内及输送至真空炉的过程中有充分的空间和时间进行混合，从而提高物理气相沉积效果。
【附图说明】
[0017]下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中:
[0018]图1是本实用新型一实施例的真空喷雾装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的【具体实施方式】。
[0020]如图1所示，本实用新型一实施例的真空喷雾装置，用于物理气相沉积，以在基体表面沉积形成薄膜。该真空喷雾装置包括真空炉10以及与真空炉10相连接的喷雾气化炉20，喷雾气化炉20用于将材料源气化形成气雾并输送至真空炉10，喷雾气化炉20内部设有供气雾收容并混合的气雾室201，气雾从气雾室201输送到真空炉10内并在基体上沉积形成薄膜。
[0021]该喷雾气化炉20的设置，使得材料源不需在真空炉10内气化，有利于真空炉10的简化设置。材料源先在喷雾气化炉20内气化形成气雾后再输送至真空炉10以完成物理气相沉积，可达到单纯给料、材料多样配比的效果。并且，气雾在喷雾气化炉20内及输送至真空炉10的过程中有充分的空间和时间进行混合，从而提高物理气相沉积效果。
[0022]其中，真空炉10为进行物理气相沉积的真空炉10。材料源为对应基体选用的进行物理气相沉积的材料。
[0023]喷雾气化炉20包括炉体21以及将材料源喷进炉体21内以形成气雾的气雾发生器22。气雾室201位于炉体21内部，气雾发生器22设置在气雾室201内。
[0024]在本实施例中，气雾发生器22设置在气雾室201的底部，从而材料源在气雾室201底部气化后向上行进至顶部，并从炉体21的顶部输送至真空炉10。气雾发生器22包括气雾喷枪，可设有一个或多个。
[0025]进一步地，为增加气雾的行进路径，喷雾气化炉20还包括竖直设置在气雾室201内的螺旋混合器23。螺旋混合器23和气雾室201之间形成有供气雾通过的螺旋通道，在气雾室201底部形成的气雾沿着螺旋通道向上行进，在行进过程中有充分的空间和时间混合。该螺旋混合器23的设置，还有利于炉体21体积缩小设置，且同时保证炉体21内有足够的路径供气雾通过，保证气雾的充分混合空间和时间。在本实施例中，该螺旋混合器23包括螺杆。
[0026]喷雾气化炉20还包括设置在炉体21上并与气雾室201连通的进气孔24，该进气孔24用于将载流气体输送至气雾室201内。载流气体在气雾室201内与气雾混合并一同输送至真空炉10。载流气体通常为氩气。
[0027]进气孔24设置在炉体21底部，载流气体在材料源喷进气雾室201内气化形成气雾的同时与气雾混合。
[0028]另外，喷雾气化炉20还包括空气过滤机构25，其设置在炉体21内并位于进气孔24和气雾室201之间，用于过滤以净化载流气体，避免有杂质进入气雾室201内污染气雾。该空气过滤机构25可选用空气过滤网等。
[0029]进一步地，该真空喷雾装置还包括气雾管道30，连接在真空炉10和喷雾气化炉20之间，将气雾从喷雾气化炉20输送至真空炉10。如图1所示，本实施例中，气雾管道30的两端分别连接在真空炉10和喷雾气化炉20的顶部，气雾管道30的两端分别与真空炉10内部和喷雾气化炉20的气雾室201相连通。
[0030]进行物理气相沉积时，将基体放置在真空炉10内，将材料源从气雾发生器22喷进喷雾气化炉20的气雾室201内，同时导进载流气体。载流气体和气雾混合并沿着螺旋通道向上流动至顶部，如图1中箭头所示，然后沿着气雾管道30流动至真空炉10内，在真空环境下沉积到基体表面形成薄膜。
[0031]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种真空喷雾装置，用于物理气相沉积，其特征在于，包括真空炉(10)、以及将材料源气化形成气雾并输送至所述真空炉(10)的喷雾气化炉(20)，所述喷雾气化炉(20)与所述真空炉(10)相连接；所述喷雾气化炉(20)内部设有供所述气雾收容并混合的气雾室(201)。2.根据权利要求1所述的真空喷雾装置，其特征在于，所述喷雾气化炉(20)包括炉体(21)、以及将所述材料源喷进所述炉体(21)内以形成气雾的气雾发生器(22);所述气雾室(201)位于所述炉体(21)内部，所述气雾发生器(22)设置在所述气雾室(201)内。3.根据权利要求2所述的真空喷雾装置，其特征在于，所述气雾发生器(22)设置在所述气雾室(201)的底部。4.根据权利要求2所述的真空喷雾装置，其特征在于，所述气雾发生器(22)包括气雾喷枪。5.根据权利要求2所述的真空喷雾装置，其特征在于，所述喷雾气化炉(20)还包括竖直设置在所述气雾室(201)内的螺旋混合器(23)，所述螺旋混合器(23)和气雾室(201)之间形成有供所述气雾通过的螺旋通道。6.根据权利要求2所述的真空喷雾装置，其特征在于，所述喷雾气化炉(20)还包括用于将载流气体输送至所述气雾室(201)内的进气孔(24 )，所述进气孔(24 )设置在所述炉体(21)上并与所述气雾室(201)连通。7.根据权利要求6所述的真空喷雾装置，其特征在于，所述喷雾气化炉(20)还包括用于过滤以净化所述载流气体的空气过滤机构(25)，所述空气过滤机构(25)设置在所述炉体(21)内并位于所述进气孔(24)和气雾室(201)之间。8.根据权利要求7所述的真空喷雾装置，其特征在于，所述进气孔(24)设置在所述炉体(21)底部。9.根据权利要求1-8任一项所述的真空喷雾装置，其特征在于，该真空喷雾装置还包括将所述气雾从所述喷雾气化炉(20)输送至所述真空炉(10)的气雾管道(30);所述气雾管道(30)连接在所述真空炉(10)和喷雾气化炉(20)之间。10.根据权利要求9所述的真空喷雾装置，其特征在于，所述气雾管道(30)的两端分别连接在所述真空炉(10)和喷雾气化炉(20)的顶部。
【专利摘要】本实用新型公开了一种真空喷雾装置，用于物理气相沉积，其包括真空炉、以及将材料源气化形成气雾并输送至所述真空炉的喷雾气化炉，所述喷雾气化炉与所述真空炉相连接；所述喷雾气化炉内部设有供所述气雾收容并混合的气雾室。通过本实用新型，材料源先在喷雾气化炉内气化形成气雾后再输送至真空炉以完成物理气相沉积，其中气雾在喷雾气化炉内及输送至真空炉的过程中有充分的空间和时间进行混合，从而提高物理气相沉积效果。
【IPC分类】C23C14/24
【公开号】CN204898053
【申请号】CN201520459503
【发明人】廖骁飞
【申请人】崴鸿科技有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年6月30日