一种能够快速成膜的溅射镀膜装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于溅射镀膜技术领域，具体涉及一种能够快速成膜的溅射镀膜装置。
【背景技术】
[0002]溅射镀膜最基本的方法是两电极溅射法。镀膜是在真空溅射槽内进行的，真空度要达10 X 10 3以上，充入一定量惰性气体，以材料靶作为阴极，工件作为阳极，在两电极间加上高压使惰性气体电离，Ar+离子被阴极的负高压(_500v)加速，以高速轰击材料革E1，从靶面飞溅出来的粒子以足够的速度飞向阳极工件并沉积在其表面上，形成镀层。
[0003]但是这种方法，会使工件的升温过高，有时高达500°C，这样对于塑料工件或不允许有热变形的精密零件均不能进行镀膜，另外，这种方法的成膜速度慢，膜中也易混入不纯的气体，影响成膜的质量，因此，虽然两电极溅射镀膜的历史悠久，但应用范围受到了限制。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种能够快速成膜的溅射镀膜装置，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种能够快速成膜的溅射镀膜装置，包括腔体、镀膜腔室、传递辊、挡板组件、高压电流控制盒、磁场用线圈组件、进口、出口、控制器，所述镀膜腔室设置在腔体的内部，所述传递辊设置在镀膜腔室的底部，所述挡板组件设置为两组，且每组两个，所述一组挡板组件间隔设置在传递辊之间，另一种设置在镀膜腔室的顶部，所述高压电流控制盒一端通过导线与磁场用线圈组件电性连接，另一端通过导线与控制器电性连接，所述高压电流控制盒设置在腔体的左侧，所述磁场用线圈组件设置在镀膜腔室的内部，所述磁场用线圈组件上设有铁柱，所述进口设置在腔体左侧的下部上，所述出口设置在腔体右侧的下部，所述控制器安装在腔体左侧的上部。
[0006]优选的，所述挡板组件由固定板、绝缘件和挡板组成，所述固定板与腔体的底部固定连接，所述绝缘件设置在固定板与挡板之间。
[0007]优选的，所述控制器由控制器本体、控制按钮、控制开关和LED显示屏和中央处理器组成。
[0008]优选的，所述进口和出口上均设有密封固定件。
[0009]本实用新型的技术效果和优点:该能够快速成膜的溅射镀膜装置，由于在腔体的左侧设有高压电流控制盒能，因此其够对真空溅射镀膜装置中的电流大小控制，从而控制粒子的运动速度、轨迹和密度，可以根据实际需要来调节电场强度的大小，因此能够满足实际工业发展的需要；通过对挡板组件作模组化设计，并借助绝缘件的设置，不但可保证挡板与腔体的绝缘性能，还能优化挡板组件的组装效率，使挡板组件拆装更为便利；由于对于氧化铁、铍莫合金等磁性记录材料的低温、高速成膜要求，本实用新型把两块挡板组件相对布置，工件位于革E的一侧，由磁场用线圈组件产生的外加磁场垂直地加在磁性材料革E的表面，在这里磁场Η和电场平行，这样就可以把Y电子封闭在两个靶之间的空间里，并可促进气氛气体的离子化；因为工件设在挡板组件的侧面，就可完全不受高速电子的轰击，保证了它的低温；本实用新型的设计成功使超高密度磁记录有了可能；同时，利用该能够快速成膜的溅射镀膜装置可以溅射Fe、N1、NIFe203等磁性材料层，并且溅射速度比两电极方式快10-50倍，如果把装置进一步大型化，还会进一步提高成膜速度；该能够快速成膜的溅射镀膜装置具有实际应用价值和市场推广价值。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的结构示意图。
[0011]图中:1腔体、2镀膜腔室、3传递辊、4挡板组件、5高压电流控制盒、6磁场用线圈组件、7铁柱、8进口、9出口、10控制器。
【具体实施方式】
[0012]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0013]本实用新型提供了如图1所示的一种能够快速成膜的溅射镀膜装置，包括腔体1、镀膜腔室2、传递辊3、挡板组件4、高压电流控制盒5、磁场用线圈组件6、进口 8、出口 9、控制器10，所述镀膜腔室2设置在腔体1的内部，所述传递辊3设置在镀膜腔室2的底部，所述挡板组件4设置为两组，且每组两个，所述一组挡板组件4间隔设置在传递辊3之间，另一种设置在镀膜腔室2的顶部，所述挡板组件4由固定板、绝缘件和挡板组成，所述固定板与腔体1的底部固定连接，所述绝缘件设置在固定板与挡板之间。所述高压电流控制盒5一端通过导线与磁场用线圈组件6电性连接，另一端通过导线与控制器10电性连接，所述高压电流控制盒5设置在腔体1的左侧，所述磁场用线圈组件6设置在镀膜腔室2的内部，所述磁场用线圈组件6上设有铁柱7，所述进口 8设置在腔体1左侧的下部上，所述出口 9设置在腔体1右侧的下部，所述进口 8和出口 9上均设有密封固定件，所述控制器10安装在腔体1左侧的上部，所述控制器10由控制器本体、控制按钮、控制开关和LED显示屏和中央处理器组成。
[0014]工作原理:镀膜是在真空溅射槽内进行的，真空度要达10 X 10 3以上，充入一定量惰性气体，以材料靶作为阴极，工件作为阳极，在两电极间加上高压使惰性气体电离，Ar+离子被阴极的负高压(-500V)加速，以高速轰击材料靶，从靶面飞溅出来的粒子以足够的速度飞向阳极工件并沉积在其表面上，形成镀层；由于对于氧化铁、铍莫合金等磁性记录材料的低温、高速成膜要求，本实用新型把两块挡板组件4相对布置，工件位于靶的一侧，由磁场用线圈组件6产生的外加磁场垂直地加在磁性材料靶的表面，在这里磁场Η和电场平行，这样就可以把Υ电子封闭在两个靶之间的空间里，并可促进气氛气体的离子化；因为工件设在挡板组件4的上面，就可完全不受高速电子的轰击，保证了它的低温；本实用新型的设计成功使超高密度磁记录有了可能；同时，利用该能够快速成膜的溅射镀膜装置可以溅射Fe、N1、NIFe203等磁性材料层，并且溅射速度比两电极方式快10-50倍，如果把装置进一步大型化，还会进一步提高成膜速度；该能够快速成膜的溅射镀膜装置具有实际应用价值和市场推广价值。
[0015]最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种能够快速成膜的溅射镀膜装置，包括腔体(1)、镀膜腔室(2)、传递辊(3)、挡板组件(4)、高压电流控制盒(5)、磁场用线圈组件(6)、进口(8)、出口(9)、控制器(10)，其特征在于:所述镀膜腔室(2)设置在腔体(1)的内部，所述传递辊(3)设置在镀膜腔室(2)的底部，所述挡板组件(4)设置为两组，且每组两个，所述挡板组件(4)间隔设置在传递辊(3)之间，另一种设置在镀膜腔室(2)的顶部，所述高压电流控制盒(5) —端通过导线与磁场用线圈组件(6)电性连接，另一端通过导线与控制器(10)电性连接，所述高压电流控制盒(5)设置在腔体(1)的左侧，所述磁场用线圈组件(6)设置在镀膜腔室(2)的内部，所述磁场用线圈组件(6)上设有铁柱(7)，所述进口(8)设置在腔体(1)左侧的下部上，所述出口(9)设置在腔体(1)右侧的下部，所述控制器(10)安装在腔体(1)左侧的上部。2.根据权利要求1所述的一种能够快速成膜的溅射镀膜装置，其特征在于:所述挡板组件(4)由固定板、绝缘件和挡板组成，所述固定板与腔体(1)的底部固定连接，所述绝缘件设置在固定板与挡板之间。3.根据权利要求1所述的一种能够快速成膜的溅射镀膜装置，其特征在于:所述控制器(10)由控制器本体、控制按钮、控制开关和LED显示屏和中央处理器组成。4.根据权利要求1所述的一种能够快速成膜的溅射镀膜装置，其特征在于:所述进口(8)和出口(9)上均设有密封固定件。
【专利摘要】本实用新型公开了一种能够快速成膜的溅射镀膜装置，所述镀膜腔室设置在腔体的内部，所述高压电流控制盒设置在腔体的左侧，所述磁场用线圈组件设置在镀膜腔室的内部，所述磁场用线圈组件上设有铁柱，所述进口设置在腔体左侧的下部上，所述出口设置在腔体右侧的下部，所述控制器安装在腔体左侧的上部。该能够快速成膜的溅射镀膜装置，由于在腔体的左侧设有高压电流控制盒能，因此其够对真空溅射镀膜装置中的电流大小控制，从而控制粒子的运动速度、轨迹和密度，可以根据实际需要来调节电场强度的大小，因此能够满足实际工业发展的需要；该能够快速成膜的溅射镀膜装置具有实际应用价值和市场推广价值。
【IPC分类】C23C14/35
【公开号】CN205088297
【申请号】CN201520515098
【发明人】徐玉仙
【申请人】徐玉仙
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年7月15日