用于改善pecvd镀膜均匀性的挡气板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及一种挡气板，尤其是一种用于改善PECVD锻膜均匀性的挡气板。
【背景技术】
[0002] 太阳能电池是将太阳能直接转化成电能，并且在使用过程中不会产生任何有害物 质，是一种环保无污染产品，因此，太阳能电池用于解决能源与环境问题是一种很好的方 法，晶娃太阳能电池有着极好的市场前景。
[0003] 在太阳能电池生产工艺中管式阳CVD用于沉积Si化薄膜作为太阳能电池的前 表面纯化和减反射薄膜，从而提高电池的转换效率。SiNx薄膜纯化和减反射效果由SiNx 薄膜致密性和薄膜厚度决定。而管式PECVD沉积的薄膜具有良好的致密性。
[0004] 目前批量生产中通常采用管式PECVD用于沉积纯化和减反射薄膜。管式阳CVD的 反应气体从炉口进入炉管参与反应。而流动气体进入炉管后由于边界层因素，靠近管壁处 气体分子被管壁造成黏滞作用拖拽，气体流速降低，越靠近炉管中屯、处，气体流速越大。气 体的流速不均，产生对流使气体分布不均，沉积薄膜的速率不同，造成沉积薄膜的均匀性变 差，锻膜薄厚不均，影响薄膜的减反射效果和电池外观。
[0005] 因此，研究出一种可有效改善PECVD锻膜均匀性的方法是目前太阳能电池生产领 域需要解决的技术问题之一。 【实用新型内容】
[0006] 实用新型目的：针对上述问题，本实用新型的目的提供一种结构简单且能够有效 改善锻膜均匀性的用于改善PECVD锻膜均匀性的挡气板。
[0007] 技术方案:为了解决W上问题，本实用新型提供一种用于改善PECVD锻膜均匀性的 挡气板，在管式PECVD炉口外侧添加挡气板，使管内气体流速及分布均匀，所述的挡气板为 圆形或方形;本实用新型结构简单，通过在管式PECVD炉口处添加挡气板，可实现管内气体 流速及分布均匀，从而改善改善PECVD炉口锻膜均匀性，提高太阳能电池品质。
[0008] 所述的挡气板四周弯曲角度为0-60°。
[0009] 所述的挡气板四周弯曲长度为挡气板直径或边长0-1/2.
[0010] 所述的挡气板直径为50-200mm。
[0011] 所述的挡气板与管式PECVD炉口的距离为2-25cm。
[0012] 所述的挡气板与管式PECVD炉口的夹角为45°-135°。
[0013] 有益效果:与现有技术相比，本实用新型具有W下优点：
[0014] 1.锻膜均匀性好:本实用新型通过在管式阳CVD炉口外侧增设挡气板，可实现管内 气体流速及分布均匀，从而改善改善PECVD炉口锻膜均匀性，提高太阳能电池品质；
[0015] 2.结构简单:本实用新型通过在现有技术的基础上增加圆形或方形的挡气板便可 改善锻膜均匀性，无需对现有设备进行改变，结构简单，有益效果明显。
【附图说明】
[0016] 图1为用于改善PECVD锻膜均匀性的挡气板的机构示意图；
[0017] 图2为挡气板曲面或垂直面的结构示意图；
[0018] 图3为挡气板与炉口侧视图；
[0019] 其中：1.炉口、2.挡风板、3.炉管、4.进气管、5.石墨舟、6.挡气板。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。W下实施例用于 说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。"下"、"左"、"右内"、"外"、"前端"、"后端"、 "头部"、"尾部"等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便 于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、W 特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语"第一"、"第二"、"第 Ξ"等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0021] 在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语"安装"、"相 连"、"连接"应做广义理解，例如，可W是固定连接，也可W是可拆卸连接，或一体地连接;可 W是机械连接，也可W是电连接;可W是直接相连，也可W通过中间媒介间接相连。对于本 领域的普通技术人员而言，可W具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0022] 如图1、图2、图3所示的一种用于改善PECVD锻膜均匀性的挡气板，管式PECVD包括 石墨舟5,设于石墨舟5外周的炉管3,所述炉口 1设于炉管3的端部，炉口 1与石墨舟5之间设 有挡风板2,进气管4设于炉管3下，在管式PECVD炉口 1外侧添加挡气板6,使管内气体流速及 分布均匀，所述的挡气板6为圆形或方形;本实用新型结构简单，通过在管式PECVD炉口 1处 添加挡气板6，可实现管内气体流速及分布均匀，从而改善改善PECVD炉口锻膜均匀性，提高 太阳能电池品质;所述的挡气板6四周弯曲角度为0-60%所述的挡气板6四周弯曲长度为挡 气板6直径或边长0-1/2;所述的挡气板6直径为50-200mm;所述的挡气板6与管式阳CVD炉口 1的距离为2-25cm;。
[0023] 实施例1
[0024 ] 1.选择156* 156mm的多晶娃片，进行常规工艺的制绒、扩散、刻蚀；
[0025] 2.把同一批多晶娃片均匀分片为二组；
[0026] 3.用21片舟进行锻膜工艺运行同一个锻膜工艺锻膜:一批使用增加挡气板6前的 管式PECVD锻膜;另一批在管式PECVD炉口 1外侧增加一个挡气板6,挡气板6形状使用圆 形，直径用150mm，挡气板6距离炉口 1位置为10cm，挡气板6四周弯曲角度为0,所述的挡气板 6与管式PECVD炉口 1的夹角为45%
[0027] 4.实验数据如下：
[002引
[0029]本发明的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本发 明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选 择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员 能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
【主权项】
1. 一种用于改善PECVD镀膜均匀性的挡气板，其特征在于:在管式PECVD炉门（1)外侧添 加挡气板(6 )，使管内气体流速及分布均勾，所述的挡气板(6 )为圆形或方形。2. 根据权利要求1所述的用于改善PECVD镀膜均匀性的挡气板，其特征在于:所述的挡 气板(6)四周弯曲角度为0-60°。3. 根据权利要求2所述的用于改善PECVD镀膜均匀性的挡气板，其特征在于:所述的挡 气板(6)四周弯曲长度为挡气板(6)直径或边长0-1/2。4. 根据权利要求1所述的用于改善PECVD镀膜均匀性的挡气板，其特征在于:所述的挡 气板(6)直径为50-200mm。5. 根据权利要求1所述的用于改善PECVD镀膜均匀性的挡气板，其特征在于:所述的挡 气板(6)与管式PECVD炉门（1)的距离为2-25cm。6. 根据权利要求1所述的用于改善PECVD镀膜均匀性的挡气板，其特征在于:所述的挡 气板(6)与管式PECVD炉门（1)的夹角为45°-135°。
【专利摘要】本实用新型提供一种用于改善PECVD镀膜均匀性的挡气板，在管式PECVD炉口处添加挡气板，使管内气体流速及分布均匀，所述的挡气板为圆形或方形；本实用新型结构简单，通过在管式PECVD炉口处添加挡气板，可实现管内气体流速及分布均匀，从而改善改善PECVD炉口镀膜均匀性，提高太阳能电池品质。
【IPC分类】C23C16/455, H01L31/18
【公开号】CN205241785
【申请号】CN201521023373
【发明人】静福印, 陈文浩, 刘仁中, 张斌
【申请人】奥特斯维能源（太仓）有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年12月11日