专利名称：一种填料沸腾床法发生aicl的制作方法
技术领域：
本实用新型属于卤化物气相氧化法生产金红石型钛白粉的装置，特别涉及产生AICL3作晶型转化剂的装置。
背景技术：
AICL3是气相氧化法制取高性能金红石型钛白粉的一种添加剂。其作用是加速TIO2粒子由锐钛型向金红石型转化；并且有利于提高产品的消色力，在高温下TIO2粒子的表面形成一种AI2O3膜，防止粒度长大，失去光学性能，通常称AICL3为晶型转化剂。原有的AICL3发生器呈筒状容器，其侧壁由外壳和内衬构成，在容器的下部一侧安有TICL4的入口，另一侧安有TICL4和AICL3的出口，在容器的顶部安有铝粉和氯气的入口，在容器的侧壁上还有测温孔和测压孔。这种AICL3发生器的缺点是尽管工艺规程中规定加入的定量铝粉和过量氯气，企图实现铝粉完全反应。但是由于铝粉和氯气顺流而下，实际上铝粉并不能完全反应。致使未反应的铝粉与氯气在高温≥450℃之下，对下游的氧化炉部件严重腐蚀，影响装置的运转率，增加氧化炉等设备的维修费用。
实用新型的内容本实用新型的目的是克服已有AICL3发生器的不足，设计一种新型的发生器。其结构如下一种填料沸腾床法发生AICL3的装置，它由圆筒形外壳和内衬组成，其上部安有铝粒入口和测压孔，下部安有TICL4和CL2的入口，侧壁安有测温孔，其特征是在该装置的顶部安有填料入口，在顶部或侧壁的上端安有TICL4和AICL3混合气体出口，在该装置内的下部安装其上有若干通气孔的倒锥形气体分布板，倒锥形气体分布板的上方形成流化床，倒锥形气体分布板的中心(最低点)安有排渣管，该排渣管穿过外壳底部与外界相通，在倒锥形气体分布板与该装置底部之间形成TICL4和CL2混合缓冲室。
为了使铝粒与氯气充分反应，在该装置内部、气体分布板的上方预置填料。
所谓填料可以是石英砂或其它惰性填料。
该装置操作时，TICL4和CL2从下部入口进入缓冲室，再经气体分布板的通气孔进入流化床，铝粒和填料从上部进入流化床。控制操作速度，使填料和铝粒悬浮起来，铝粒与氯气充分接触反应生成AICL3，并与TICL4充分混合，传热经出口进入氧化炉。按正常配比，反应放热可使混合气体温度升高60-68℃。由于在该装置中加入填料(石英砂)，使定量的铝粒与过量氯气在填料流化床中充分接触，保证铝粒完全反应，避免铝粒和氯气对下游的氧化炉等造成腐蚀。另外由于在该装置中加入惰性石英砂，强化了系统的传热，并且，石英砂把铝粒隔开防止其在流化床中熔结在一块，保证反应顺利进行。由于气体分布板呈倒锥形，这样在停炉后惰性填料易于从排渣孔1排出。
附图为实施例的全剖视图。
具体实施方式
一种填料沸腾床法发生AICL3的装置，它由圆筒形外壳6和内衬5组成，其底面呈半球形。在上部有铝粒入口8、填料入口7和测压孔9，在该装置的下部安装有TICL4和CL2的入口13。在该装置的侧壁安有测温孔11。在侧壁的上端安有TICL4和AICL3混合气体的出口10，该装置内的下部安装倒锥形气体分布板3，气体分布板3上面有若干个通气孔4。该装置的内腔下部(气体分布板以上)较细，构成流化床反应，其中有填料12。气体分布板3的中心(最低点)安有排渣(砂)管1，该排渣管1穿过外壳底部与外界相通。在倒锥形气体分布板3与该装置底部之间形成TICL4和CL2混合缓冲室2。在该装置的下端安装有支腿14。
上述填料为石英砂，气体分布板3的材料为高铝陶瓷，内衬为高铝耐火材料，最好是莫来石。外壳为Incon600，是镍基耐高温氯气腐蚀的高温合金钢。
操作时，铝粒和石英砂从7、8孔加入，待该装置预热到230℃以上时开始加料反应；经预热到330-440℃的TICL4及氯气从下部孔13进入缓冲室2，经气体分布板3进入流化床。控制操作速度，使砂与铝粒悬浮起来，铝粒与氯气反应生成AICL3，并与TICL4充分混合，传热经出口10进入氧化炉。
权利要求1.一种填料沸腾床法发生AICL3的装置，它由圆筒形外壳和内衬组成，其上部安有铝粒入口和测压孔，下部安有TICL4和CL2的入口，侧壁安有测温孔，其特征是在该装置的顶部安有填料入口，在顶部或侧壁的上端安有TICL4和AICL3混合气体出口，在该装置内的下部安装其上有若干通气孔的倒锥形气体分布板，倒锥形气体分布板的上方形成流化床，倒锥形气体分布板的中心即最低点，安有排渣管，该排渣管穿过外壳底部与外界相通，在倒锥形气体分布板与该装置底部之间形成TICL4和CL2混合缓冲室。
2.根据权利要求1所说的填料沸腾床法发生AICL3的装置，其特征是在该装置内部、气体分布板的上方预置填料。
专利摘要一种填料沸腾床法发生AICL
文档编号C01F7/00GK2743324SQ20042008676
公开日2005年11月30日 申请日期2004年7月23日 优先权日2004年7月23日
发明者刘长河 申请人:刘长河