专利名称：一种利用坩埚提纯碲的方法
技术领域：
本发明涉及一种碲的制备方法，具体的说是涉及一种利用坩埚提纯碲的方法。
背景技术：
高纯碲广泛用于半导体材料，如CdTe、HgCdTe, CdZnTe, PbTe, BiTe是制备太阳能 电池、红外测材料、电光调制器、射线探测材料和致冷材料等的主要材料。由于即使很微量 (10_5级)的杂质也会导致材料电性能变差，碲的纯度是直接影响材料性能的重要因素。目前，一般采用电解法得到含量99. 99 %的碲，采用多次真空蒸馏和区熔组成物理 提纯工艺来制备高纯碲。电解法工艺复杂、产品收率低；真空蒸馏对硒、砷、铅、钠等杂质分 离效果差，而且要求有良好的真空系统；区域熔炼能获得高纯碲，但操作要求严格，能耗大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用坩埚提纯碲的方法，以含量为99%的工业碲为原 料，将硒、钠等杂质与碲进行分离，获得经济价值更高的纯碲。本发明采用的技术方案的步骤如下1)电子级纯度的石英坩埚在使用前用体积分数为1 % HF酸和王水混合溶液清洗， 再用去离子水清洗，最后氮气吹干备用；2)将碲料放入所述的石英坩埚，石英坩埚放入加热炉加热到400-500°C ；3)加热炉预抽真空5Pa以下，在整个提纯过程中，以高纯氢气作为保护气氛；4)在整个提纯过程中，需均勻磁力搅拌熔体。5)去除铸造碲表层杂质，得到3N 4N的碲。2、如权利要求1所述的一种利用坩埚提纯碲的方法，其特征在于所述的石英坩 埚为扁平方形体结构，长宽高=2 1 0. 5 1 2 0. 3。本发明具有的有益效果是本发明采用电子级纯度的石英坩埚提纯99%的工业碲，制备出3N 4N的碲，石英 坩埚呈扁平长方体结构，有利于杂质的扩散挥发，整个过程中采用高纯氢气作为保护气氛， 兼除杂作用，提纯方法简单，这种碲再经提纯以后，可用于太阳能电池、LED、热电、红外等半 导体材料领域。
具体实施例方式实施例1 坩埚尺寸为825*825*250，将石英坩埚用体积比HF 王水=1 5混合溶液清 洗40分钟，再用去离子水清洗3次，最后氮气吹干，加入99%工业碲块，料厚高度为100mm， 以高纯氢气作为保护气氛，加热到400°C，待碲料全部熔化后，恒温保持60分钟，期间勻速 搅拌熔体，刮除熔体表面浮渣。待熔体冷却凝固后，取样分析，碲纯度达到99. 97%。实施例2:
坩埚尺寸为825*425*250，将石英坩埚用体积比HF 王水=1 5混合溶液清 洗60分钟，再用去离子水清洗5次，最后氮气吹干，加入99%工业碲块，料厚高度为100mm， 以高纯氢气作为保护气氛，加热到450°C，待碲料全部熔化后，恒温保持40分钟，期间勻速 搅拌熔体，刮除熔体表面浮渣。待熔体冷却凝固后，取样分析，碲纯度达到99. 991%。实施例3:坩埚尺寸为425*825*200，将石英坩埚用体积比HF 王水=1 5混合溶液清 洗30分钟，再用去离子水清洗2次，最后氮气吹干，加入99%工业碲块，料厚高度为80mm， 以高纯氢气作为保护气氛，加热到500°C，待碲料全部熔化后，恒温保持30分钟，期间勻速 搅拌熔体，刮除熔体表面浮渣。待熔体冷却凝固后，取样分析，碲纯度达到99. 98%。
权利要求
1.一种利用坩埚提纯碲的方法，其特征在于该方法的步骤如下1)电子级纯度的石英坩埚在使用前用体积分数为HF酸和王水混合溶液清洗，再用 去离子水清洗，最后氮气吹干备用；2)将碲料放入所述的石英坩埚，石英坩埚放入加热炉加热到400-500°C；3)加热炉预抽真空5Pa以下，在整个提纯过程中，以高纯氢气作为保护气氛；4)在整个提纯过程中，需均勻磁力搅拌熔体。5)去除铸造碲表层杂质，得到3N 4N的碲。
2.如权利要求1所述的一种利用坩埚提纯碲的方法，其特征在于所述的石英坩埚为 扁平方形体结构，长宽高=2 1 0. 5 1 2 0. 3。
全文摘要
本发明公开了一种利用坩埚提纯碲的方法。该方法的步骤如下电子级纯度的石英坩埚在使用前用清洗，最后氮气吹干；将碲料放入石英坩埚，石英坩埚放入加热炉加热到400-500℃；加热炉预抽真空5Pa以下，在整个提纯过程中，以高纯氢气作为保护气氛；在整个提纯过程中，需均匀磁力搅拌熔体。去除铸造碲表层杂质，得到3N～4N的碲。本发明采用电子级纯度的石英坩埚提纯99％的工业碲，石英坩埚呈扁平长方体结构，有利于杂质的扩散挥发，整个过程中采用高纯氢气作为保护气氛，兼除杂作用，提纯方法简单，这种碲再经提纯以后，可用于太阳能电池、LED、热电、红外等半导体材料领域。
文档编号C01B19/02GK102139863SQ20111011347
公开日2011年8月3日 申请日期2011年5月3日 优先权日2011年5月3日
发明者席珍强, 徐敏 申请人:嘉兴市达泽光电技术有限公司