本发明涉及本发明涉及碳化硅系耐火材料，尤其涉及一种轻量低损耗碳化硅系耐火材料及其制备方法。
背景技术：
sic系耐火材料是人们早已知晓的一种优质耐火材料。具有强度高、导热系数大、抗震性好、耐磨损、抗侵蚀等优良高温性能，在冶金等工业部门有许多用途。尤其碳化硅还是极好的脱氧剂，用它可以加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。但是碳化硅的主要晶相是sic，易氧化，为解决这个问题，人们采用了各种手段使碳化硅系耐火材料更加致密，减少材料内部与氧气接触的面积。
为了消除以上问题，人们还使用高强度且耐热性、耐氧化性及热传导性优良的含有si作为金属si相的含si材料，如渗硅碳化硅耐火材料。即在重结晶碳化硅r-sic的基础上进行液相或气相渗硅，r-sic的气孔由游离硅填充，生成更加致密的渗硅碳化硅材料，不利于氧化发生，性能更加优良。但是降低气孔率，提高致密度会降低材料的抗热震系数，为保证优良的抗热震系数，传统的耐火材料一般都会保持20%左右的气孔率。
申请号为93112548.0的中国专利公开了一种高致密、低气孔率氮化硅-碳化硅－氧化物系统耐火材料，他通过添加氧化铝和氧化钇来结合sic耐火材料，在致密度不降低的情况下提高了材料的抗热震系数，但是材料中氧化物的添加量在3-25wt%，而超过3%的氧化物添加量会使材料存在结合部的玻璃相增加，作为耐火材料必要的抗蠕变性降低，寿命缩短等一系列问题。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种轻量低损耗碳化硅系耐火材料及其制备方法。
本发明的具体技术方案为：一种轻量低损耗碳化硅系耐火材料，以95-99wt%份碳化硅粉和1-5wt%造孔剂为原料成型生坯，高温生成碳化硅烧结体，在碳化硅烧结体表面包裹了一层致密硅膜层。
作为优选，所述的氮化硅系耐火材料由80-95wt%碳化硅、0.5-10wt%游离硅、0-5wt%游离碳、气孔和少量杂质组成。
作为优选，所述的硅膜层厚度在2-20μm。
作为优选，所述的造孔剂为生物质基造孔剂。
作为优选，所述的造孔剂为稻壳粉末。
作为优选，所述的烧结温度为2000-2050℃。
与现有技术对比，本发明的有益效果是：利用造孔剂保证了碳化硅系耐火材料的较高的气孔率，增加了材料的抗热震性，减轻了材料重量，节省了原料成本。材料不含氧化铝等氧化物，有好的抗蠕变性。造孔剂使用的是生物质造孔剂，尤其是稻壳作为碾米厂的加工副产品,约占稻谷总产量的20%,资源分布广泛且产量丰富，将稻壳作为烧结制品的造孔剂不仅有效的利用了粮食行业的副产品,而且提高了烧结制品的新能和产品附加值。同时，由于材料表面存在一层致密的硅膜层，防止碳化硅材料内部氧化，同时，硅膜层的表面在高温下也会氧化成sio2，会使材料的抗氧化性能更加优异，这个过程还会促进炼钢过程中的脱氧，加快炼钢速度，提高钢的质量，因此材料是否致密并不影响材料的稳定性和使用寿命。
上述轻量低损耗碳化硅系耐火材料的制备方法是，以碳化硅粉和造孔剂为原料成型生坯，高温生成碳化硅烧结体，采用物理气相沉积法，在镀膜机中沉积硅膜层。
作为优选，所述的物理气相沉积法包括真空蒸镀、溅射镀膜、等离子体镀膜和离子镀。
作为优选，所述的镀膜机为真空离子镀膜机，利用电子束蒸发磁控溅射，或多弧蒸发离化技术沉积硅膜层。
与现有技术对比，本发明的有益效果是：这种镀膜方法已经是工艺非常成熟的常用镀膜技术，工艺稳定，控制简单，调控镀膜的厚度、密度或者镀膜材料都非常方便，有利于工业生产应用。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1
按照配方称取95wt%碳化硅粉和5wt%稻谷粉末，在2000℃高温烧结，生成碳化硅烧结体，冷却后破碎成颗粒，将颗粒放入真空离子镀膜机的真空腔体，沉积硅膜层，厚度为6μm。
实施例2
按照配方称取原99wt%碳化硅粉和1wt%稻谷粉末，在2050℃高温烧结，生成碳化硅烧结体，冷却后破碎成颗粒，将颗粒放入真空离子镀膜机的真空腔体，沉积硅膜层，厚度为16μm。
实施例3
按照配方称取98wt%碳化硅粉和2wt%稻谷粉末，在2000℃高温烧结，生成碳化硅烧结体，冷却后破碎成颗粒，将颗粒放入真空离子镀膜机的真空腔体，沉积硅膜层，厚度为20μm。
实施例4
按照配方称取96wt%碳化硅粉和4wt%稻谷粉末，在2050℃高温烧结，生成碳化硅烧结体，冷却后破碎成颗粒，将颗粒放入真空离子镀膜机的真空腔体，沉积硅膜层，厚度为2μm。
本发明中所用原料、设备，若无特别说明，均为本领域的常用原料、设备；本发明中所用方法，若无特别说明，均为本领域的常规方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围。