本发明涉及激光晶体技术领域，具体为一种激光晶体单晶炉提拉生长工艺。
背景技术：
激光晶体(lasercrystal)，可将外界提供的能量通过光学谐振腔转化为在空间和时间上相干的具有高度平行性和单色性激光的晶体材料，是晶体激光器的工作物质，目前的激光晶体上称重提拉生长设备：设备设计不合理，控制点位不合理，机械设计不专业，自动化部分缺失，控制延迟，检测功能缺失。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种激光晶体单晶炉提拉生长工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
1、将原料投入反应坩埚，通过加热线圈加热融化原料；
2、在温度适合时通过提拉机构带动籽晶杆提拉原料，实现激光晶体的生长；
3、产品长度达到预定长度时，通过提拉机构按照一定程序提拉籽晶杆实现取料。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1.实现低速低颤高平稳性运行。
2.实现单机部分自动化。
3.实现多机联网控制，实时检测在产设备参数。
4.实现设备故障报警。
5.提高生长过程反馈精度。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供的一种实施例：其步骤如下：
1、将原料投入反应坩埚，通过加热线圈加热融化原料；
2、在温度适合时通过提拉机构带动籽晶杆提拉原料，实现激光晶体的生长；
3、产品长度达到预定长度时，通过提拉机构按照一定程序提拉籽晶杆实现取料。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。