本发明涉及一种压电陶瓷介质片的制备方法，尤其涉及一种高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法。
背景技术：
压电陶瓷雾化介质片是加湿雾化器﹑医用雾化器等设备的关键元件，它是一个厚度为0.4～0.6毫米的圆环状陶瓷片。目前，压电陶瓷雾化介质片通常由原料球磨造粒，然后加入粘合剂干压成型制成生坯片，最后在空气中烧结成形，最后进行被电极、极化。该方法的不仅效率低、能耗高，而且生坯厚度的一致性难以保证；另外，由于干压成型的塑性较低，因此生坯的致密度较差、易分层，从而造成产品致密度较低、易破碎。
技术实现要素：
为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明旨在提供一种高致密度薄型压电陶瓷雾化介质片的制造方法，采用本发明制造的压电陶瓷雾化介质片具有致密度高、不易破碎、介质片厚度一致性好等特点。
为了实现上述目的，本发明采用技术方案如下：
1)将平均粒度为0.4～3毫米的混合原料投入超细搅拌球磨机中研磨4小时，然后转入超细砂磨机再研磨2±0.1小时，得平均粒度为0.4～1.5微米、且最大粒度≤3微米的生瓷料；
所述混合原料由下列重量份的原料混配而成：pb3o457.6～75、zro212.2～26、tio28.2～23.5、sb2o30～7、nb2o51～5、srco37～15、bi2o30～5、mno20.4～3、la2o30～2；
2)将所述生瓷料与聚乙烯醇按88.7:12.3的重量比混匀制成生瓷料面团；
3)将上述生瓷料面团用轧膜机辊轧1～15小时，得0.5～0.8毫米厚的膜片；
4)将上述膜片制成介质体，陈腐12小时；
5)将经过臣陈腐的介质体用轧膜机精轧至0.4～0.6毫米厚，然后冲压成环形圆片；
6)将上述环形圆片按20～30片叠合整齐放在纯度为99％的氧化铝承烧板上、送入1210～1250℃的烧结炉中烧制成陶瓷介质片，保温2～2.5小时。
在上述技术方案中，所述混合原料中各原料的配比优选为：pb3o466.3、zro219.1、tio215.8、sb2o33.5、nb2o53、srco311、bi2o32.5、mno21.7、la2o31。
与现有技术比较，本发明由于采用了上述技术方案，因此具有诸多优点，具体分析如下：
1)利用超细搅拌球磨机和超细砂磨机两次研磨，因此可保证生瓷料的粒度足够细腻(平均粒度为0.4～1.5微米、最大粒度不大于3微米)；
2)由于生瓷料的粒度足够细腻，因此介质片生坯致密度高、塑性好，适合于采用挤膜、轧膜工艺；
3)由于介质片生坯致密度高、塑性好，因此能够采用挤膜、轧膜工艺制成厚度为0.4～0.6毫米的介质片，且烧成后产品不会产生分层、易碎等缺陷。
4)采用挤膜、轧膜工艺不仅成形效率高、能耗低、厚度可调，而且产品厚度尺寸一致性好。
本发明彻底克服了传统方法制备的压电陶瓷介质片厚度一致性差、致密度低、容易分层和破碎等缺陷。
具体实施方式
下面结合和具体的实施例对本发明作进一步说明：
实施例1
1)将平均粒度为0.4～3毫米的混合原料投入超细搅拌球磨机研磨4小时，然后转入超细砂磨机再研磨2±0.1小时，得平均粒度为0.4～1.5微米、且最大粒度≤3微米的生瓷料；
所述混合原料由下列重量份的原料混配而成：pb3o457.6、zro226、tio28.2、sb2o37、nb2o51、srco315、bi2o30、mno23、la2o30；
2)将所述生瓷料与聚乙烯醇按88.7:12.3的重量比混匀制成生瓷料面团；
3)将上述生瓷料面团用轧膜机辊轧1～15小时，得0.5～0.8毫米厚的膜片；
4)将上述膜片制成介质体，陈腐12小时；
5)将经过臣陈腐的介质体用轧膜机精轧至0.4～0.6毫米厚，然后冲压成环形圆片；
6)将上述环形圆片按20～30片叠合整齐放在纯度为99％的氧化铝承烧板上、送入1210～1250℃的烧结炉中烧制成陶瓷介质片，保温2～2.5小时。
实施例2
各步骤同实施例1；其中，步骤1)中所述各原料的配比为：pb3o475、zro226、tio223.5、sb2o30、nb2o55、srco37、bi2o35、mno20.4、la2o32；
实施例3
各步骤同实施例1；其中，步骤1)中所述各原料的配比为：pb3o466.3、zro219.1、tio215.8、sb2o33.5、nb2o53、srco311、bi2o32.5、mno21.7、la2o31。