一种砷化镓晶体生长设备的制作方法

本实用新型涉及砷化镓技术领域，具体为一种砷化镓晶体生长设备。

背景技术：

砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器和γ光子探测器等，由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用，用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

现有的砷化镓晶体生长设备结构功能较为复杂，在使用和操作的过程中都较为麻烦，使得操作人员需要花费较多的时间用来学习设备的使用，故而提出一种砷化镓晶体生长设备来解决上述提出的问题。

技术实现要素：

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种砷化镓晶体生长设备，具备操作简单等优点，解决了现有的砷化镓晶体生长设备结构功能较为复杂，在使用和操作的过程中都较为麻烦，使得操作人员需要花费较多的时间用来学习设备的使用的问题。

(二)技术方案

为实现上述操作简单目的，本实用新型提供如下技术方案：一种砷化镓晶体生长设备，包括固定板，所述固定板的顶部固定安装有数量为两个的支撑臂，两个所述支撑臂的内侧固定安装有支撑架，所述支撑架的内侧固定安装有限位环，所述限位环的内部活动安装有滚珠，所述支撑架的内侧固定安装有坩埚，所述坩埚的下方且位于固定板的顶部固定安装有第一电机，所述坩埚的内部活动安装有籽晶夹持器，所述籽晶夹持器的顶部固定安装有延伸至坩埚顶部外侧的连接杆，所述连接杆的顶部固定安装有第二电机，所述第二电机的顶部固定安装有延伸至左侧支撑臂内部的升降板，所述升降板的底部且位于左侧支撑臂的内部固定安装有升降杆，所述升降杆远离升降板的一端固定安装有液压缸。

优选的，所述支撑架的底部固定安装有轴承，轴承的内侧半径与第一电机输出轴的半径相适配。

优选的，所述坩埚的外侧开设有与限位环相适配的夹持槽，坩埚的外侧且位于夹持槽的内侧开设有与滚珠相适配的滚槽。

优选的，所述坩埚的顶部开设有与籽晶夹持器相适配的通孔，坩埚的外侧半径与支撑架的内侧半径相适配。

优选的，左侧所述支撑臂的内部开设有与液压缸相适配的安装腔，左侧支撑臂的左侧开设有与升降板相适配的升降滑槽。

优选的，所述第一电机与第二电机均为三相电机，第一电机的输出轴与坩埚的底部固定连接，第二电机输出轴的底部与连接杆固定连接，所述第一电机的功率大于第二电机的功率。

(三)有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种砷化镓晶体生长设备，具备以下有益效果：

该砷化镓晶体生长设备，通过设置第一电机、支撑架、限位环和滚珠，使得坩埚可以旋转，设置连接杆和第二电机，使得籽晶夹持器可以旋转，设置升降板、升降杆和液压缸，使得籽晶夹持器可以在旋转的过程中进行升降操作，方便采用直拉法的方式进行晶体的生长使得操作更为的简单，减少操作人员学习机器的操作时间，通过设置第一电机与第二电机均为三相电机，可以实现转动籽晶时反转坩埚，方便晶体生长的引晶、放大、转肩、等径生长和收尾等过程，通过设置坩埚的外侧开设有与限位环相适配的夹持槽，坩埚的外侧且位于夹持槽的内侧开设有与滚珠相适配的滚槽，可以使得坩埚在旋转的过程中减少水平方向的晃动幅度，避免影响晶体的生长。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中：1固定板、2支撑臂、3第一电机、4支撑架、5限位环、6滚珠、7坩埚、8籽晶夹持器、9连接杆、10第二电机、11升降板、12升降杆、13液压缸。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，一种砷化镓晶体生长设备，包括固定板1，固定板1的顶部固定安装有数量为两个的支撑臂2，两个支撑臂2的内侧固定安装有支撑架4，支撑架4的底部固定安装有轴承，轴承的内侧半径与第一电机3输出轴的半径相适配，支撑架4的内侧固定安装有限位环5，限位环5的内部活动安装有滚珠6，支撑架4的内侧固定安装有坩埚7，坩埚7的外侧开设有与限位环5相适配的夹持槽，坩埚7的外侧且位于夹持槽的内侧开设有与滚珠6相适配的滚槽，坩埚7的下方且位于固定板1的顶部固定安装有第一电机3，坩埚7的内部活动安装有籽晶夹持器8，坩埚7的顶部开设有与籽晶夹持器8相适配的通孔，坩埚7的外侧半径与支撑架4的内侧半径相适配，籽晶夹持器8的顶部固定安装有延伸至坩埚7顶部外侧的连接杆9，连接杆9的顶部固定安装有第二电机10，第一电机3与第二电机10均为三相电机，第一电机3的输出轴与坩埚7的底部固定连接，第二电机10输出轴的底部与连接杆9固定连接，第一电机3的功率大于第二电机10的功率，第二电机10的顶部固定安装有延伸至左侧支撑臂2内部的升降板11，升降板11的底部且位于左侧支撑臂2的内部固定安装有升降杆12，升降杆12远离升降板11的一端固定安装有液压缸13，左侧支撑臂2的内部开设有与液压缸13相适配的安装腔，左侧支撑臂2的左侧开设有与升降板11相适配的升降滑槽。

综上所述，该砷化镓晶体生长设备，通过设置第一电机3、支撑架4、限位环5和滚珠6，使得坩埚7可以旋转，设置连接杆9和第二电机10，使得籽晶夹持器8可以旋转，设置升降板11、升降杆12和液压缸13，使得籽晶夹持器8可以在旋转的过程中进行升降操作，方便采用直拉法的方式进行晶体的生长使得操作更为的简单，减少操作人员学习机器的操作时间，通过设置第一电机3与第二电机10均为三相电机，可以实现转动籽晶时反转坩埚，方便晶体生长的引晶、放大、转肩、等径生长和收尾等过程，通过设置坩埚7的外侧开设有与限位环5相适配的夹持槽，坩埚7的外侧且位于夹持槽的内侧开设有与滚珠6相适配的滚槽，可以使得坩埚7在旋转的过程中减少水平方向的晃动幅度，避免影响晶体的生长。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

1.一种砷化镓晶体生长设备，包括固定板(1)，其特征在于：所述固定板(1)的顶部固定安装有数量为两个的支撑臂(2)，两个所述支撑臂(2)的内侧固定安装有支撑架(4)，所述支撑架(4)的内侧固定安装有限位环(5)，所述限位环(5)的内部活动安装有滚珠(6)，所述支撑架(4)的内侧固定安装有坩埚(7)，所述坩埚(7)的下方且位于固定板(1)的顶部固定安装有第一电机(3)，所述坩埚(7)的内部活动安装有籽晶夹持器(8)，所述籽晶夹持器(8)的顶部固定安装有延伸至坩埚(7)顶部外侧的连接杆(9)，所述连接杆(9)的顶部固定安装有第二电机(10)，所述第二电机(10)的顶部固定安装有延伸至左侧支撑臂(2)内部的升降板(11)，所述升降板(11)的底部且位于左侧支撑臂(2)的内部固定安装有升降杆(12)，所述升降杆(12)远离升降板(11)的一端固定安装有液压缸(13)。

2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长设备，其特征在于：所述支撑架(4)的底部固定安装有轴承，轴承的内侧半径与第一电机(3)输出轴的半径相适配。

3.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长设备，其特征在于：所述坩埚(7)的外侧开设有与限位环(5)相适配的夹持槽，坩埚(7)的外侧且位于夹持槽的内侧开设有与滚珠(6)相适配的滚槽。

4.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长设备，其特征在于：所述坩埚(7)的顶部开设有与籽晶夹持器(8)相适配的通孔，坩埚(7)的外侧半径与支撑架(4)的内侧半径相适配。

5.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长设备，其特征在于：左侧所述支撑臂(2)的内部开设有与液压缸(13)相适配的安装腔，左侧支撑臂(2)的左侧开设有与升降板(11)相适配的升降滑槽。

6.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长设备，其特征在于：所述第一电机(3)与第二电机(10)均为三相电机，第一电机(3)的输出轴与坩埚(7)的底部固定连接，第二电机(10)输出轴的底部与连接杆(9)固定连接，所述第一电机(3)的功率大于第二电机(10)的功率。

技术总结
本实用新型涉及砷化镓技术领域，且公开了一种砷化镓晶体生长设备，包括固定板，所述固定板的顶部固定安装有数量为两个的支撑臂，两个所述支撑臂的内侧固定安装有支撑架，所述支撑架的内侧固定安装有限位环，所述限位环的内部活动安装有滚珠，所述坩埚的下方且位于固定板的顶部固定安装有第一电机。该砷化镓晶体生长设备，通过设置第一电机、支撑架、限位环和滚珠，使得坩埚可以旋转，设置连接杆和第二电机，使得籽晶夹持器可以旋转，设置升降板、升降杆和液压缸，使得籽晶夹持器可以在旋转的过程中进行升降操作，方便采用直拉法的方式进行晶体的生长使得操作更为的简单，减少操作人员学习机器的操作时间。

技术研发人员：马争荣;王建玲
受保护的技术使用者：高密普特电子设备有限公司
技术研发日：2020.06.15
技术公布日：2021.05.11