石墨烯处理装置以及处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及碳的制备设备，特别是涉及一种石墨烯处理装置以及处理方法。
【背景技术】
[0002]石墨烯是一种由碳原子构成的单层片状结构的材料。石墨烯是已知的世上最薄、最坚硬的纳米材料，它几乎是完全透明的，只吸收2.3%的光；导热系数高达5300W/m*K，高于碳纳米管和金刚石，常温下其电子迀移率超过15000cm2/V*s，而电阻率只约10_8 Ω.πι，比铜或银更低，为世上电阻率最小的材料。因其电阻率极低，电子迀移的速度极快，因此石墨烯被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件或晶体管。由于石墨烯实质上是一种透明、良好的导体，也适合用来制造透明触控屏幕、光板、甚至是太阳能电池。
[0003]为了将应用前景转化为现实成果，人们不断探索石墨烯的制备与加工方法。已发展的方法主要可分为物理法和化学法两大类，以微机械剥离法为代表的物理方法在制备完整晶格的石墨烯方面具有优势，却因效率低下无法实现工业化生产。化学方法制备石墨烯以氧化还原法为主，通过制备石墨烯氧化物可对其进行溶液加工，便于制备薄膜材料，再经还原得到石墨烯材料。而在器件的应用中，将石墨烯材料进行图案化加工是重要的步骤，已有的石墨烯的图案化方案成本较高，加工条件苛刻，难以实现图案的精细化。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种可以实现图案的精细化的石墨烯处理装置以及处理方法。
[0005]本发明的石墨烯处理方法，包括:
[0006]制备石墨烯膜；
[0007]将掩模覆盖于石墨稀膜的表面；
[0008]将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面图案与掩模的图案一致的石墨烯器件。
[0009]本发明的石墨烯处理方法，其中，所述将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除包括:利用激光对覆盖有所述掩模的所述石墨烯膜的表面进行扫描，以将石墨烯膜的表面暴露于外的部分烧掉。
[0010]本发明的石墨烯处理装置，包括:
[0011]掩模，用于覆盖于石墨烯膜的表面；
[0012]去除装置，用于将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面图案与掩模的图案一致的石墨烯器件。
[0013]本发明的石墨烯处理装置，其中，所述去除装置为激光器，用于发射激光并对覆盖有所述掩模的所述石墨烯膜的表面进行扫描，以将石墨烯膜的表面暴露于外的部分烧掉。
[0014]本发明的石墨烯处理装置，其中，还包括用于承托所述石墨烯膜的基板。
[0015]本发明的技术方案采用普通激光器即可实现石墨烯表面图案精细化的效果，同时可以避免普通刻蚀带来的石墨烯性能变差的缺陷，工艺简单、可操作性好。
【附图说明】
[0016]图1为本发明的石墨烯处理装置的结构示意图；
[0017]图2为本发明的石墨烯处理方法的步骤示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
[0019]石墨烯的应用潜力巨大，但是其精细图案化的相关工艺尚不成熟，本发明提供一种可以实现图案的精细化的石墨烯处理装置以及处理方法。
[0020]如图1和图2所示，本发明的石墨烯处理装置，包括:
[0021]掩模1，用于覆盖于石墨烯膜2的表面；
[0022]去除装置3，用于将石墨烯膜2的表面暴露于外的部分去除，形成表面图案与掩模I的图案一致的石墨烯器件。
[0023]本发明的石墨烯处理装置，其中，去除装置3为激光器，用于发射激光并对覆盖有掩模I的石墨烯膜2的表面进行扫描，以将石墨烯膜2的表面暴露于外的部分烧掉。
[0024]本发明的石墨烯处理装置工作时，去除装置3沿F方向移动，同时射出激光，激光对覆盖有掩模I的石墨烯膜2的表面进行扫描，以将石墨烯膜2的表面暴露于外的部分烧掉。
[0025]本发明的石墨烯处理装置，其中，还包括用于承托石墨烯膜2的基板5。
[0026]本发明的石墨烯处理装置采用普通激光器即实现石墨烯表面图案精细化的效果，同时可以避免普通刻蚀带来的石墨烯性能变差的缺陷，工艺简单、可操作性好。
[0027]本发明的石墨烯处理方法，包括:
[0028]制备石墨烯膜；
[0029]将掩模覆盖于石墨稀膜的表面；
[0030]将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面图案与掩模的图案一致的石墨烯器件。
[0031]本发明的石墨烯处理方法，其中，将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除包括:利用激光对覆盖有掩模的石墨烯膜的表面进行扫描，以将石墨烯膜的表面暴露于外的部分烧掉。
[0032]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种石墨烯处理方法，其特征在于，包括: 制备石墨烯膜； 将掩模覆盖于石墨烯膜的表面； 将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面图案与掩模的图案一致的石墨烯器件。
2.根据权利要求1所述的石墨烯处理方法，其特征在于，所述将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除包括:利用激光对覆盖有所述掩模的所述石墨烯膜的表面进行扫描，以将石墨烯膜的表面暴露于外的部分烧掉。
3.一种石墨烯处理装置，其特征在于，包括: 掩模，用于覆盖于石墨烯膜的表面； 去除装置，用于将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面图案与掩模的图案一致的石墨烯器件。
4.根据权利要求3所述的石墨烯处理装置，其特征在于，所述去除装置为激光器，用于发射激光并对覆盖有所述掩模的所述石墨烯膜的表面进行扫描，以将石墨烯膜的表面暴露于外的部分烧掉。
5.根据权利要求3或4所述的石墨烯处理装置，其特征在于，还包括用于承托所述石墨烯膜的基板。
【专利摘要】本发明公开了一种石墨烯处理装置以及处理方法，其中发明的石墨烯处理方法包括：制备石墨烯膜；将掩模覆盖于石墨烯膜的表面；将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面图案与掩模的图案一致的石墨烯器件。发明的石墨烯处理装置包括：掩模，用于覆盖于石墨烯膜的表面；去除装置，用于将石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面图案与掩模的图案一致的石墨烯器件。发明的技术方案采用普通激光器即实现石墨烯表面图案精细化的效果，同时可以避免普通刻蚀带来的石墨烯性能变差的缺陷，工艺简单、可操作性好。
【IPC分类】C01B31-04
【公开号】CN104556025
【申请号】CN201510072745
【发明人】秦广奎, 邸云萍, 石岳
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年2月11日