一种半导体晶棒的拉晶方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体生产技术领域，具体地说是涉及半导体晶棒的拉晶方法。
【背景技术】
[0002]晶棒的主要原料是三碲化二铋，这些原料在拉晶管中经过高温形成分子排列整齐的晶棒，在高温下原料的分子重新排列的过程就是拉晶，拉晶后的晶棒进行线切割生成半导体晶粒，然后将晶粒焊接在瓷板上就制造成半导体致冷件。
[0003]晶粒排列的整齐程度决定了半导体致冷件的效率，原料分子排列越整齐，半导体致冷件的致冷效率越高，反之，原料分子排列越杂乱，半导体致冷件的致冷效率越低，所以拉晶的效果决定了半导体致冷件的品质。
[0004]现有技术中，晶棒是在拉晶炉上进行的，拉晶炉具有加热环，拉晶的温度是280—320°C，并且是一次完成，这样生产出的晶棒具有品质较差的缺点，进一步的影响着半导体致冷件的致冷效率。
【发明内容】
[0005]本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种品质更好、生产半导体致冷件致冷效率更高的半导体晶棒的拉晶方法。
[0006]本发明的技术方案是这样实现的:一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤:
a、将晶棒在280—320°C时进彳丁第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到30—40°C后，进彳丁第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340°C。
[0007]进一步地讲，它还包括步骤b之后的下列c步骤:
c、将晶棒冷却到30—40 °C后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280— 320 °C。
[0008]进一步地讲，上述的拉晶步骤是在振幅I毫米、频率30赫兹情况下进行的。
[0009]本发明的有益效果是:这样的半导体晶棒的拉晶方法具有生产出的晶棒品质更好的优点，进一步生产的半导体致冷件致冷效率更高的优点；
将晶棒冷却到30— 40°C后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280— 320°C ;以及上述的拉晶步骤是在振幅I毫米、频率30赫兹在情况下进行的，具有更好的效果。
【具体实施方式】
[0010]下面结合实施例对本发明作进一步说明。
[0011]半导体致冷件是根据泊尔贴原理制成的，在一定温度下，通过直流电，半导体致冷件一侧致冷(吸热)、一侧致热(放热)，在一定的时间内、同一规格的半导体致冷件两侧的温差越多，证明半导体致冷件的效率越高。
[0012]实施例1
a、将原晶棒(没有拉过晶的晶棒，下同)在280°C时进行第一次拉晶，制成拉晶棒。
[0013]将此晶棒制成6cmX 6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是5.1 °C ο
[0014]实施例2
a、将原晶棒在320°C时进行第一次拉晶，制成拉晶棒。
[0015]将此晶棒制成6cmX6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是5.2 °C ο
[0016]实施例3
a、将原晶棒在280°C时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到30°C后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300°C时进行第二次拉晶。
[0017]将此晶棒制成6cmX 6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是6.5 0C ο
[0018]实施例4
a、将原晶棒在320°C时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到40°C后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是320°C。
[0019]将此晶棒制成6cmX6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是7.0 °C ο
[0020]实施例5
a、将原晶棒在300°C时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到35°C后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300°C。
[0021 ] 将此晶棒制成6cmX 6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是6.9 °C ο
[0022]实施例6
a、将原晶棒在280°C时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到30°C后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300°C;
c、将晶棒冷却到30°C后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280 0C。
[0023]将此晶棒制成6cmX 6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是7.7°C。
[0024]实施例7
a、将原晶棒在320°C时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到40°C后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是320°C;
c、将晶棒冷却到40°C后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是320 °C。
[0025]将此晶棒制成6cmX 6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是7.9 °C ο
[0026]实施例8
a、将原晶棒在300°C时进行第一次拉晶；
b、将晶棒冷却到35°C后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300°C;
c、将晶棒冷却到35°C后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是300 0C。
[0027]将此晶棒制成6cmX 6cm的致冷件，此致冷件通过12V直流电2分钟，其两侧的温差是8.1 °C^
[0028]重复上述实施例3 —8，拉晶步骤是在振幅I毫米、频率30赫兹在情况下进彳丁的，生产出的晶粒，制成的半导体致冷件在同样型号、电压、时间的情况下，其温差更大，证明在拉晶步骤中，在振动环境中效果更好。
【主权项】
1.一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤: a、将晶棒在280—320°C时进彳丁第一次拉晶； b、将晶棒冷却到30—40°C后，进彳丁第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340°C。
2.根据权利要求1所述的半导体晶棒的拉晶方法，其特征是:它还包括步骤b之后的下列c步骤: c、将晶棒冷却到30—40 °C后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280— 320 °C时进行第三次拉晶。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶棒的拉晶方法，其特征是:上述的拉晶步骤是在振幅I毫米、频率30赫兹情况下进行的。
【专利摘要】本发明涉及半导体生产技术领域，名称是一种半导体晶棒的拉晶方法，晶棒是在拉晶炉中进行的，包括以下步骤：a、将晶棒在280—320℃时进行第一次拉晶；b、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第二次拉晶，第二次拉晶的温度是300—340℃；c、将晶棒冷却到30—40℃后，进行第三次拉晶，第三次拉晶的温度是280—320℃，上述的拉晶步骤是在振幅1毫米、频率30赫兹情况下进行的，这样的半导体晶棒的拉晶方法具有生产出的晶棒品质更好，进一步生产的半导体致冷件致冷效率更高的优点。
【IPC分类】C30B15-00
【公开号】CN104831344
【申请号】CN201510211339
【发明人】陈磊, 刘栓红, 赵丽萍, 张文涛, 蔡水占, 郭晶晶, 张会超, 陈永平, 王东胜, 惠小青, 辛世明, 田红丽
【申请人】河南鸿昌电子有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年4月29日