硅片背面长多晶方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种硅片背面长多晶方法。
【背景技术】
[0002]半导体市场竞争的日趋激烈，降低能耗、节省成本、提升良率成为技术发展的核心。在现有技术中多晶硅薄膜生长装置，包括石英晶舟，石英晶舟总长度121.45mm，包含50个容置槽，相邻容置槽间距为2.38mm，表面性质光滑。这种晶舟的缺点之一是50个容置槽无法全部排片，会导致气流无法顺利从片与片之间的间隙通过；另一缺点是硅片与晶舟接触部位在工艺过程中会粘结在一起，导致卸片的时候崩边。因此需要针对以上2点问题进行针对性改善。
【发明内容】
[0003]本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供可提高良率的硅片背面长多晶方法。
[0004]为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现:
[0005]硅片背面长多晶方法，其特征在于，多片所述硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，每片硅片放置在一个容置槽内；所述容置槽内壁使用喷砂处理使其粗糙。
[0006]优选地是，所述容置槽内壁粗糙度为2-4 μ m。
[0007]优选地是，使用金刚砂粉体喷砂处理所述容置槽的内壁。
[0008]优选地是，所述金刚砂粉体的粒径为220-260目。
[0009]优选地是，所述容置槽的间距为2_4mm。
[0010]优选地是，所述容置槽的间距为2.5-4.5mm。
[0011]本发明中的硅片背面长多晶方法，提高了产品良率，崩边不良率由5%降至兰1%。晶舟单炉产出提升40%。
【附图说明】
[0012]图1为本发明中使用的晶舟结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本发明进行详细的描述:
[0014]硅片背面长多晶方法，多片所述硅片放置于晶舟1上，所述晶舟1上设置有多个容置槽2，每片硅片放置在一个容置槽2内；所述容置槽2内壁使用喷砂处理使其粗糙。
[0015]使用金刚砂粉体喷砂处理所述容置槽2的内壁，使所述容置槽2内壁粗糙度为2-4 μ m。所述金刚砂粉体的粒径为220-260目。所述容置槽2的间距为2_4mm，优选为3mm。所述容置槽的间距为2.5-4.5mm,优选为3.5_。
[0016]本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。
【主权项】
1.硅片背面长多晶方法，其特征在于，多片所述硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，每片硅片放置在一个容置槽内；所述容置槽内壁使用喷砂处理使其粗糙。2.根据权利要求1所述的硅片背面长多晶方法，其特征在于，所述容置槽内壁粗糙度为 2-4 μ m03.根据权利要求1所述的硅片背面长多晶方法，其特征在于，使用金刚砂粉体喷砂处理所述容置槽的内壁。4.根据权利要求3所述的硅片背面长多晶方法，其特征在于，所述金刚砂粉体的粒径为 220-260 目。5.根据权利要求1所述的硅片背面长多晶方法，其特征在于，所述容置槽的间距为.2_4mm.6.根据权利要求5所述的硅片背面长多晶方法，其特征在于，所述容置槽的间距为.2.5-4.5mm η
【专利摘要】本发明公开了一种硅片背面长多晶方法，其特征在于，多片所述硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽，每片硅片放置在一个容置槽内；所述容置槽内壁使用喷砂处理使其粗糙。本发明中的硅片背面长多晶方法，提高了产品良率，崩边不良率由5％降至≦1％。晶舟单炉产出提升40％。
【IPC分类】H01L21/02, C30B28/12
【公开号】CN105316760
【申请号】CN201410370757
【发明人】江笠, 谢江华
【申请人】上海合晶硅材料有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年7月30日