一种氧化铝陶瓷片处理工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及氧化铝陶瓷片处理技术领域，尤其是涉及一种氧化铝陶瓷片处理工
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【背景技术】
[0002]氧化铝陶瓷:氧化铝含量高，结构比较致密，具有特殊的性能，故称为特种陶瓷。A1203.陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构，而铝离子填充于三分之二的八面体间隙中，这是与天然刚玉相同稳定的α- Α1203结构，因此陶瓷具有高熔点、高硬度，具有优良的耐磨性能。陶瓷贴片硬度2 HRA85，仅次于金刚石的硬度，而且表面光滑摩擦系数小，耐磨性能十分理想，尤其是在高温氧化性介质或腐蚀介质中，陶瓷贴片的材料较之其它金属材料性能优越得多，普通的陶瓷片与橡胶无法粘结在一起，使用胶水后粘结不牢固，需要将陶瓷片处理。
【发明内容】
[0003]为克服上述技术问题，本发明采用的技术方案如下:
一种氧化铝陶瓷片处理工艺，步骤如下:
(I)蒸馏水清洗:将陶瓷片放置在100%纯水中清洗，烘干；
⑵酮洗:将清洗过的陶瓷片放置在10-20%丙酮中浸泡，烘干；
(3)碱洗:将酮洗过陶瓷片置于40-50%碳酸钠溶液中浸泡，烘干。
[0004]所述步骤(I)中的陶瓷片完全浸没在纯水中。
[0005]所述步骤(2)中丙酮的含量为15%。
[0006]所述步骤(2)中陶瓷片在丙酮中浸泡的时间为半小时。
[0007]所述步骤(3)碳酸钠溶液优选含量为45%碳酸钠溶液。
[0008]所述步骤(3)浸泡时间为半小时。
[0009]本发明的有益效果是:1.硬度大，其洛氏硬度为HRA80-90，硬度仅次于金刚石，远远超过耐磨钢和不锈钢的耐磨性能；
2.耐磨性能极好，其耐磨性相当于锰钢的266倍，高铬铸铁的171.5倍。根据我们十几年来的客户跟踪调查，在同等工况下，可至少延长设备使用寿命十倍以上；
3.重量轻，其密度为3.5g/cm3，仅为钢铁的一半，可大大减轻设备负荷；
4.表面吸附力强，是未经处理的陶瓷片的表面吸附力的10-20，通过胶水与橡胶结合后非常牢固、耐用。
【具体实施方式】
[0010]一种氧化铝陶瓷片处理工艺，步骤如下:
(1)蒸馏水清洗:将陶瓷片完全放置在100%纯水中清洗，烘干；
(2)酮洗:将清洗过的陶瓷片放置在10-20%丙酮中浸泡半小时，烘干；(3)碱洗:将酮洗过陶瓷片置于40-50%碳酸钠溶液中浸泡半小时，烘干。
[0011]实施例1
一种氧化铝陶瓷片处理工艺，步骤如下:
(1)蒸馏水清洗:将陶瓷片完全放置在100%纯水中清洗，烘干；
(2)酮洗:将清洗过的陶瓷片放置在10%丙酮中浸泡半小时，烘干；
(3)碱洗:将酮洗过陶瓷片置于40%碳酸钠溶液中浸泡半小时，烘干。
[0012]实施例2
一种氧化铝陶瓷片处理工艺，步骤如下:
(1)蒸馏水清洗:将陶瓷片完全放置在100%纯水中清洗，烘干；
(2)酮洗:将清洗过的陶瓷片放置在15%丙酮中浸泡半小时，烘干；
(3)碱洗:将酮洗过陶瓷片置于45%碳酸钠溶液中浸泡半小时，烘干。
[0013]实施例3
一种氧化铝陶瓷片处理工艺，步骤如下:
(1)蒸馏水清洗:将陶瓷片完全放置在100%纯水中清洗，烘干；
(2)酮洗:将清洗过的陶瓷片放置在20%丙酮中浸泡半小时，烘干；
(3)碱洗:将酮洗过陶瓷片置于50%碳酸钠溶液中浸泡半小时，烘干。
【主权项】
1.一种氧化铝陶瓷片处理工艺，其特征在于步骤如下: (I)蒸馏水清洗:将陶瓷片放置在100%纯水中清洗，烘干； ⑵酮洗:将清洗过的陶瓷片放置在10-20%丙酮中浸泡，烘干； (3 )碱洗:将酮洗过陶瓷片置于40-50%碳酸钠溶液中浸泡，烘干。2.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷片处理工艺，其特征在于:所述步骤(I)中的陶瓷片完全浸没在纯水中。3.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷片处理工艺，其特征在于:所述步骤(2)中丙酮的含量为15%。4.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷片处理工艺，其特征在于:所述步骤(2)中陶瓷片在丙酮中浸泡的时间为半小时。5.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷片处理工艺，其特征在于:所述步骤(3)碳酸钠溶液优选含量为35%碳酸钠溶液。6.根据权利要求1所述的一种氧化铝陶瓷片处理工艺，其特征在于:所述步骤(3)浸泡时间为半小时。
【专利摘要】一种氧化铝陶瓷片处理工艺，步骤如下：（1）蒸馏水清洗：将陶瓷片放置在100%纯水中清洗，烘干；（2）酮洗：将清洗过的陶瓷片放置在10-20%丙酮中浸泡，烘干；（3）碱洗：将酮洗过陶瓷片置于40-50%碳酸钠溶液中浸泡，烘干；本发明的有益效果是：硬度大，耐磨性能极好，重量轻，表面吸附力强，是未经处理的陶瓷片的表面吸附力的10-20，通过胶水与橡胶结合后非常牢固、耐用。
【IPC分类】C04B41/80, B08B3/04, B08B3/08
【公开号】CN105541400
【申请号】CN201610062420
【发明人】孙英
【申请人】孙英
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年1月29日