利用废坯生产高导热性能地板砖的方法

文档序号:9802785阅读:457来源:国知局
利用废坯生产高导热性能地板砖的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及建筑陶瓷行业,特别涉及一种利用废坯生产高导热性能地板砖的方法。
【背景技术】
[0002]随着经济的高速发展,建筑陶瓷行业也随之迅速崛起,在国民经济中发挥着不可忽视的作用。但是建筑陶瓷行业作为高能耗污染行业,存在着发展与资源、能源的过度消耗等问题,严重制约了建筑陶瓷行业的快速可持续发展。因此,陶瓷薄型化、功能化、减量化生产是建筑陶瓷行业实现节约资源、节能减排的重要途径。
[0003]刘西民(《陶瓷》2009(9)20-21)从陶瓷薄板生产过程中节约能源、资源消耗,改善环境污染方面论述了陶瓷薄板的应用前景,该文没有谈及陶瓷薄板在使用过程中的能源节约及陶瓷薄板的高导热性。

【发明内容】

[0004]根据现有技术的不足,本发明要解决的技术问题是提供一种利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,能够使得地板砖薄型化,同时通过硅藻土层使得地板砖功能化。
[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,底胚层由以下质量分数的原料制备而成:
[0006]透辉石3%
[0007]莱阳土25%
[0008]蒙阴长石20%
[0009]莱芜长石15%
[0010]高岭土7%
[0011]高密瓷石8%
[0012]三氧化二铁7%
[0013]废坯15%。
[0014]所述的废砖还为烧成后的废品砖,破碎后再使用。
[0015]所述的制备方法是:
[0016]将上述原料混合,研磨,泥浆研磨细度为250目筛筛余<6 %,烧成温度为1000-1300 0C,烧成时间为20-60min。
[0017]所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法厚度为0.5?lcm,导热系数为7?
8ff/m.ko
[0018]所述的高导热性能地板砖包括底胚层和硅藻土层
[0019]所述的高导热性能地板砖包括底胚层,在底胚层和硅藻土层中间设置有图案层。
[0020]所述的硅藻土层为使用熔块、水和硅藻土混合均匀,然后喷淋到底胚层上所形成。
[0021]所述的硅藻土层中的硅藻土用量为硅藻土层总质量的10-30%。
[0022]所述的高导热性能地板砖经过2次烧成,首先底胚层先行进行加热烧结,加热温度为1000-1300 °C,然后经过喷淋娃藻土层后再次进行烧成,烧成温度为450-550 °C。
[0023]通过表面添加硅藻土会使得地板砖具备功能性,
[0024]首先,可以自动调节室内湿度。硅藻土的主要成分是硅酸质,用它生产的室内外涂料、壁材具有超纤维、多孔质等特性,其超微细孔比木炭还要多出5000到6000倍。在室内的湿度上升时,硅藻土壁材上的超微细孔能够自动吸收空气中的水份,将其储存起来。如果室内空气中的水份减少、湿度下降,硅藻土壁材就能够将储存在超微细孔中的水份释放出来。其次,硅藻土壁材还具有消除异味的功能,保持室内清洁。研究和实验结果表明,硅藻土能起到除臭剂的作用。如果在硅藻土中添加氧化钛制成复合材料,能够长时间消除异味和吸收、分解有害化学物质,并能够长期保持室内墙面清洁,即使家中有吸烟者,墙壁也不会发黄。硅藻土室内外涂料、装修材料还能够吸收和分解导致人过敏的物质,有医疗功能。硅藻土壁材对水份的吸收和释放能够产生瀑布效果,将水分子分解成正负离子。正负离子群在空气中四处浮游,有杀菌能力。
[0025]本发明的优点在于:
[0026]1、本发明提供的高导热性能地板砖的厚度减小,不仅原材料用量减少,烧成温度、烧成时间也随之缩短,节约资源、能源的同时也减少了污水、废弃物的排放,具有耐磨、重量低、强度高、美观大方等优点。
[0027]2、本发明申请提供的高导热性能地板砖,不仅降低了砖体厚度,同时还保证了砖体的韧性和强度,不像其他薄壁砖一样,非常脆,运输途中增加了砖体的破损率,也增大了砖体铺设的难度;
[0028]3、本发明申请大大提高了地暖热效率,减少了能源消耗。并且降低了砖体质量,不仅节约了物流运输成本,减轻建筑物的荷载,更是直接降低了物流、建筑施工的碳排放。
【附图说明】
[0029]图1为实施例1的结构示意图;
[0030]图2为实施例2的结构示意图;
【具体实施方式】
[0031 ]以下结合实施例对本发明做进一步说明。
[0032]实施例1:
[0033]利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,底胚层由以下质量分数的原料制备而成:
[0034]透辉石3%
[0035]莱阳土25%
[0036]蒙阴长石20%
[0037]莱芜长石15%
[0038]高岭土7%
[0039]高密瓷石8%
[0040]三氧化二铁7%
[0041]废坯 15%。
[0042 ]所述的废砖还为烧成后的废品砖,破碎后再使用。
[0043]所述的制备方法是:
[0044]将上述原料混合,研磨,泥浆研磨细度为250目筛筛余<6 %,烧成温度为1000-1300 0C,烧成时间为20min。
[0045]所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法厚度为0.5cm,导热系数为7?8W/m.ko
[0046]所述的高导热性能地板砖包括底胚层I和硅藻土层2。
[0047]所述的硅藻土层2为使用熔块、水和硅藻土混合均匀,然后喷淋到底胚层I上所形成。
[0048]所述的硅藻土层2中的硅藻土用量为硅藻土层2总质量的10%。
[0049]所述的高导热性能地板砖经过2次烧成,首先底胚层I先行进行加热烧结,加热温度为1000-1300°C,然后经过喷淋硅藻土层2后再次进行烧成,烧成温度为450-550°C。
[0050]实施例2
[0051]利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,底胚层由以下质量分数的原料制备而成:
[0052]透辉石3%
[0053]莱阳土25%
[0054]蒙阴长石20%
[0055]莱芜长石15%
[0056]高岭土7%
[0057]高密瓷石8%
[0058]三氧化二铁7%
[0059]废坯15%。
[0060]所述的废砖还为烧成后的废品砖,破碎后再使用。
[0061]所述的制备方法是:
[0062]将上述原料混合,研磨,泥浆研磨细度为250目筛筛余<6 %,烧成温度为1000-1300 0C,烧成时间为60min。
[0063]所述的利用废还生产高导热性能地板砖的方法厚度为lcm,导热系数为7?8W/m.ko
[0064]所述的高导热性能地板砖包括底胚层1、图案层3和硅藻土层2。
[0065]所述的硅藻土层2为使用熔块、水和硅藻土混合均匀,然后喷淋到底胚层I上所形成。
[0066]所述的硅藻土层2中的硅藻土用量为硅藻土层2总质量的30%。
[0067]所述的高导热性能地板砖经过2次烧成,首先底胚层I先行进行加热烧结,加热温度为1000-1300°C,然后经过喷淋硅藻土层2后再次进行烧成,烧成温度为450-550°C。
[0068]实施例3
[0069]其他条件等同实施例2,所述的硅藻土层2中的硅藻土用量为硅藻土层2总质量的25% ο
【主权项】
1.一种利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于底胚层由以下质量分数的原料制备而成: 透辉石3% 莱阳土 25% 蒙阴长石20% 莱芜长石15% 高岭土 7% 高密瓷石8% 三氧化二铁7% 废坯15%。2.根据权利要求1所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于所述的废砖还为烧成后的废品砖,破碎后再使用。3.根据权利要求1所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于所述的制备方法是: 将上述原料混合,研磨,泥浆研磨细度为250目筛筛余<6%,烧成温度为1000-1300°C烧成时间为20-60min。4.根据权利要求1所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于所述的利用废还生产高导热性能地板砖的方法厚度为0.5?lcm,导热系数为7?8W/m.k。5.根据权利要求1所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于所述的高导热性能地板砖包括底胚层(I)和硅藻土层(2)。6.根据权利要求5所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于所述的高导热性能地板砖包括底胚层(I),在底胚层(I)和硅藻土层(2)中间设置有图案层(3)。7.根据权利要求5或6所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于所述的硅藻土层(2)为使用熔块、水和硅藻土混合均匀,然后喷淋到底胚层(I)上所形成。8.根据权利要求7所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于所述的硅藻土层(2)中的硅藻土用量为硅藻土层(2)总质量的10-30%。9.根据权利要求1所述的利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,其特征在于所述的高导热性能地板砖经过2次烧成,首先底胚层(I)先行进行加热烧结,加热温度为1000-13000C,然后经过喷淋硅藻土层(2)后再次进行烧成,烧成温度为450-550 V。
【专利摘要】本发明涉及建筑陶瓷行业,特别涉及一种利用废坯生产高导热性能地板砖的方法,底胚层由以下质量分数的原料制备而成:透辉石3%;莱阳土25%;蒙阴长石20%;莱芜长石15%;高岭土7%;高密瓷石8%;三氧化二铁7%;废坯15%。本发明提供的高导热性能地板砖的厚度减小,不仅原材料用量减少,烧成温度、烧成时间也随之缩短,节约资源、能源的同时也减少了污水、废弃物的排放,具有耐磨、重量低、强度高、美观大方等优点,本发明申请提供的高导热性能地板砖,不仅降低了砖体厚度,同时还保证了砖体的韧性和强度不像其他薄壁砖一样,非常脆,运输途中增加了砖体的破损率,也增大了砖体铺设的难度。
【IPC分类】C04B41/89, C04B41/86, C04B33/132
【公开号】CN105565777
【申请号】CN201510564394
【发明人】盛业军
【申请人】盛业军
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年9月1日
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