一种热敏电阻器的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电子元件的制备领域，尤其涉及一种热敏电阻器的制备方法。
【背景技术】
[0002]随着科技的不断进步，对于电子产品的质量要求也在不断提升，与此同时对于电子元器件的制备工艺也有了更高的要求，各种新的技术、材料的运用频率也在大幅提升。NTC热敏电阻的应用便是如此，NTC热敏电阻器有各种封装形式，薄膜封装是其中的一种。新型薄膜封装型NTC热敏电阻器的研制对推动整机向轻、薄方向发展起到了作用。而利用固相反应法和薄膜封装，制作此类NTC热敏电阻器的整体工艺技术方法还未见具体工法出现。
【发明内容】
[0003]本发明旨在提供一种采用固相反应法指的新型NTC热敏电阻器的制备方法。
[0004]—种热敏电阻器的制备方法，其特征在于包括如下步骤:(I)将Mn304、Co3O4, N1、Fe2O3,按r (Mn:Co:Ni:Fe)=3.24:1.0:1.16:0.6混合成粉料；(2)将锆球、粉料和去离子水按照4:1:2进行混料和行星球磨，在1000°C的箱式炉中预烧，经过175 μπι的筛网过筛，制得所需粉体；(3)将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体；采用Al2O3粉埋烧，在箱式炉中烧结成瓷，通过内圆切割机切割成厚度为0.3mm的薄片，涂覆银电极浆料，在850°C的马弗炉中烧渗15min、再经过划片机划片，制成芯片；(4)在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。
[0005]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的球磨时间为为8ho
[0006]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的预烧时间为2ho
[0007]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中坯体的规格为直径50 mm,高度40mm的圆柱体。
[0008]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述坯体的压制密度在
2.8-3.5g/cm3。
[0009]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中烧结温度为1250°C，烧结时间为6 ho
[0010]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述芯片的长度为0.85mm、宽度为0.3mm、厚度为0.3 mm。
[0011]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于步骤(4)中所述引脚上进行镀镍，之后再进行镀锡。
[0012]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于镀镍层的最小厚度为20 μ m，镀锡层的最小厚度为100 μ m。
[0013]本发明所述热敏电阻器的制备方法，通过采用固相反应法，冷等静压技术制作NTC热敏电阻器芯片，通过浸锡焊接及薄膜封装等方法技术实现了产品的超薄设计，研制出一种新型薄膜封装型NTC热敏电阻器。该方法流程实现了薄膜封装型NTC热敏电阻器的批量化生产。产品性能经可靠性实验，性能稳定可靠，易于推广。
【具体实施方式】
[0014]—种热敏电阻器的制备方法，包括如下步骤:(I)将Mn304、Co3O4, N1, Fe2O3,按r(Mn:Co:Ni:Fe)=3.24:1.0:1.16:0.6混合成粉料；(2)将锆球、粉料和去离子水按照4:1:2进行混料和行星球磨，在100tC的箱式炉中预烧，经过175 μπι的筛网过筛，制得所需粉体；(3)将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体；采用Al2O3粉埋烧，在箱式炉中烧结成瓷，通过内圆切割机切割成厚度为0.3mm的薄片，涂覆银电极浆料，在850 °C的马弗炉中烧渗15min、再经过划片机划片，制成芯片；(4)在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。
[0015]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，所述步骤(2)中的球磨时间为为8h。所述步骤(2)中的预烧时间为2h。所述步骤(3)中还体的规格为直径50 mm，高度40mm的圆柱体。所述坯体的压制密度在2.8-3.5g/cm3。所述步骤(3)中烧结温度为1250°C，烧结时间为6 ho步骤(3)中所述芯片的长度为0.85mm、宽度为0.3mm、厚度为0.3 mm。步骤(4)中所述引脚上进行镀镍，之后再进行镀锡。
[0016]本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于镀镍层的最小厚度为20 μm，镀锡层的最小厚度为100 μπι。引脚采用合金材质，表层镀镍以增加弹性，在镀镍层表面再镀一层锡，表面着锡可焊性须大于95%，以增加其良好的焊接效果。各个引脚均匀一致，无变形、变色、水纹、气泡等不良外观。芯片与引线的焊接，采用模具整条上片及浸焊，将用引线夹好的小方片浸于助焊剂槽，浸满芯片即可，
然后放于锡炉上方进行预热，预热时间为(60±5)s，采用质量比为Sn96.5Ag3Cu0.5的焊料，于(265±5)°C条件下焊接，时间为1-3 S，实现产品的引线焊接。
【主权项】
1.一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于包括如下步骤:(1)将Mn 304、Co3O4, N1、Fe2O3,按r (Mn:Co:Ni:Fe)=3.24:1.0:1.16:0.6混合成粉料；(2)将锆球、粉料和去离子水按照4:1:2进行混料和行星球磨，在1000°C的箱式炉中预烧，经过175 μπι的筛网过筛，制得所需粉体；(3)将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体；采用Al2O3粉埋烧，在箱式炉中烧结成瓷，通过内圆切割机切割成厚度为0.3mm的薄片，涂覆银电极浆料，在850°C的马弗炉中烧渗15min、再经过划片机划片，制成芯片；(4)在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。2.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的球磨时间为为Sh。3.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的预烧时间为2h。4.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中坯体的规格为直径50 mm,高度40mm的圆柱体。5.如权利要求1或4所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述坯体的压制密度在 1.8-3.5g/cm3。6.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中烧结温度为1250°C，烧结时间为6 ho7.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述芯片的长度为0.85mm、宽度为0.3mm、厚度为0.3 mm。8.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于步骤(4)中所述引脚上进行镀镍，之后再进行镀锡。9.如权利要求8所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于镀镍层的最小厚度为20 μ m，镀锡层的最小厚度为100 μ m。
【专利摘要】一种热敏电阻器的制备方法，属于电子元件的制备领域。将Mn3O4、Co3O4、NiO、Fe2O3混合成粉料；将锆球、粉料和去离子水进行混料和行星球磨，在1000℃的箱式炉中预烧，经过筛网过筛制得所需粉体；将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体；采用Al2O3粉埋烧，在箱式炉中烧结成瓷，通过切割机切割成厚度为0.3mm的薄片，涂覆银电极浆料，在850℃的炉中烧渗、再经过划片机划片，制成芯片；在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。通过采用固相反应法制作NTC热敏电阻器芯片，制出一种新型薄膜封装型NTC热敏电阻器。该方法流程实现了薄膜封装型NTC热敏电阻器的批量化生产。产品性能经可靠性实验，性能稳定可靠，易于推广。
【IPC分类】C04B35/622, C04B35/36
【公开号】CN105622083
【申请号】CN201410598275
【发明人】刘秋丽
【申请人】陕西高华知本化工科技有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月31日