一种改进的蓝宝石单晶炉的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种单晶炉组件，特别涉及一种改进的蓝宝石单晶炉，属于单晶炉技术领域。
【背景技术】
[0002]单晶炉是一种在真空环境中，用钨制加热器将多晶氧化铝等多晶材料熔化，用泡生法生长无错位单晶的设备；而加热器是蓝宝石KY法单晶炉中的主要加热组件；加热器主要由钨棒制作组成，现有的蓝宝石KY单晶生长炉在生长制程中，会使用机械真空栗抽取低真空，用以驱动高真空扩散栗浦；而晶体生长是在高真空环境中，除了因为高真空造成炉内保温材料严重挥发之外，也因为高真空环境散热不易，造成晶体生长难度增加，对成品率与生产成本都造成很大的负担。
【实用新型内容】
[0003](一 )要解决的技术问题
[0004]为解决上述问题，本实用新型提出了一种改进的蓝宝石单晶炉，只使用机械真空栗形成保护钨钼材料的低真空环境。
[0005]( 二)技术方案
[0006]本实用新型的改进的蓝宝石单晶炉，包括机体，及设置于机体上的控制系统；及设置于机体上的晶体生长炉和机械真空栗；所述机械真空栗直接与晶体生长炉安装。
[0007]进一步地，所述晶体生长炉内设置有内保温层。
[0008]进一步地，所述控制系统为低真空生产控制系统。
[0009]有益效果
[0010]与现有技术相比，本实用新型的改进的蓝宝石单晶炉，简化晶体生长制程中的真空系统，取消高真空扩散栗浦，只使用机械真空栗形成保护钨钼材料的低真空环境；通过实验将控制系统调整为符合低真空的生产数据，缩短生产周期，减少保温材料损耗。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]如图1所示的改进的蓝宝石单晶炉，包括机体1，及设置于机体上的控制系统2 ;及设置于机体上的晶体生长炉3和机械真空栗4 ;所述机械真空栗4直接与晶体生长炉3安装。
[0013]其中，所述晶体生长炉3内设置有内保温层。所述控制系统2为低真空生产控制系统；其可以通过实验得到符合低真空的生产数据。
[0014]本实用新型的改进的蓝宝石单晶炉，简化晶体生长制程中的真空系统，取消高真空扩散栗浦，只使用机械真空栗形成保护钨钼材料的低真空环境；通过实验将控制系统调整为符合低真空的生产数据，缩短生产周期，减少保温材料损耗。
[0015]上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下，本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进，均应落入到本实用新型的保护范围，本实用新型请
[0016]求保护的技术内容，已经全部记载在权利要求书中。
【主权项】
1.一种改进的蓝宝石单晶炉，包括机体，及设置于机体上的控制系统；及设置于机体上的晶体生长炉和机械真空栗；其特征在于，所述机械真空栗直接与晶体生长炉安装。2.根据权利要求1所示的改进的蓝宝石单晶炉，其特征在于:所述晶体生长炉内设置有内保温层。3.根据权利要求1所示的改进的蓝宝石单晶炉，其特征在于:所述控制系统为低真空生产控制系统。
【专利摘要】本实用新型公开了一种改进的蓝宝石单晶炉；包括机体，及设置于机体上的控制系统；及设置于机体上的晶体生长炉和机械真空泵；所述机械真空泵直接与晶体生长炉安装。本实用新型的改进的蓝宝石单晶炉，简化晶体生长制程中的真空系统，取消高真空扩散泵浦，只使用机械真空泵形成保护钨钼材料的低真空环境；通过实验将控制系统调整为符合低真空的生产数据，缩短生产周期，减少保温材料损耗。
【IPC分类】C30B29/20, C30B17/00
【公开号】CN204727992
【申请号】CN201520448155
【发明人】胡明理, 何永慎, 李业林, 林政育, 李宗谚, 詹经略
【申请人】宁夏佳晶科技有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年6月26日