一种单晶体生产用烧结炉的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶体烧结技术领域，具体是一种单晶体生产用烧结炉。
【背景技术】
[0002]目前，单晶体的生产制备是通过单晶炉来实现，单晶炉内部原料在坩祸内熔融，再通过结晶柱拉出单晶，但是目前在结晶过程，坩祸内的原料容易被氧化，导致晶体生长成功率低，且单晶炉内壁及坩祸在长时间高温环境下容易老化，进而影响设备性能。另外，为了获得更大尺寸的晶体窗口片或晶体衬底片，需要在三维空间上同时加大晶体的尺寸，这不但导致设备成本的增加，而且在晶体生长过程中需要消耗更多的电能来完成晶体的生长，同时在晶体加工过程中还会产生很大的材料损耗，所以损失浪费大。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种有效防止晶体氧化、使用方便，提高设备使用寿命，减少切片时晶体的浪费，提高晶体利用率的单晶体生产用烧结炉，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]—种单晶体生产用烧结炉，包括设有真空接口的炉体、坩祸、单晶提拉杆、支架、旋转电机和升降电机，所述支架上设置炉体和固定架，炉体上有大炉盖，电极安装在大炉盖上，大炉盖上装有小炉盖，小炉盖正上方设置有托板，托板上设有旋转电机，旋转电机输出端穿过托板与单晶提拉杆转动连接，所述固定架上设置有导轨，托板侧部与固定架通过导轨滑动连接，所述炉体内设有坩祸，坩祸置于坩祸托盘上，坩祸的上方有坩祸盖，坩祸盖上面有上隔热层，坩祸的外层设置有发热体，发热体两侧顶部与大炉盖上的电极连接，发热体底部和四周分别设置有下隔热层和侧隔热层，所述的坩祸、发热体和侧隔热层的横截面均为椭圆形偏平状。
[0006]进一步的，所述炉体的真空接口通过抽空管与抽真空装置连接。
[0007]进一步的，所述坩祸为钼金成型。
[0008]进一步的，所述发热体由硅碳棒组成，发热体表面设置有石英材料。
[0009]进一步的，所述固定架顶部设有升降电机，升降电机下端连接丝杠，丝杠通过螺纹与托板配合传动连接。
[0010]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:设置的抽真空装置，可有效抽取炉体内的空气，防止晶体氧化；通过在固定架上设置导轨，托板与固定架通过导轨滑动连接，可使得单晶提拉杆上下移动，方便操作；通过单晶提拉杆上方托板上设置的旋转电机，可更好地搅拌晶体，使得晶体更好的吸附在单晶提拉杆上；坩祸为钼金成型，使得坩祸具有高熔点，高强度及耐腐蚀性，大大提高了坩祸的使用寿命；坩祸、发热体和侧隔热层的横截面均为椭圆形偏平状，从而生产出的单晶体呈椭圆形扁平状，相对于目前的圆柱状或梨形晶体，椭圆状的晶体在生成过程中消耗的电能大大降低了，且如此形状的晶体在切割同样大小的窗口片时，损耗的晶体更少，大大降低了单晶体的浪费。综上，本实用新型有效防止了晶体氧化、使用方便，提高了设备使用寿命，减少切片时晶体的浪费，提高了晶体的利用率。
【附图说明】
[0011]图1为一种单晶体生产用烧结炉的结构示意图。
[0012]图中:1-支架，2-坩祸，3-坩祸盖，4-上隔热层，5-固定架，6-导轨，7-丝杠，8-升降电机，9_托板，10-1甘祸托盘，11-旋转电机，12-单晶提拉杆，13-小炉盖，14-电极，15-大炉盖，16-侧隔热层，17-发热体，18-炉体，19-抽空管，20-抽真空装置，21-下隔热层。
【具体实施方式】
[0013]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0014]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种单晶体生产用烧结炉，包括设有真空接口的炉体18、坩祸2、单晶提拉杆12、支架1、旋转电机11和升降电机8，其特征在于，所述支架I上设置炉体18和固定架5，炉体18上有大炉盖15，电极14安装在大炉盖15上，大炉盖15上装有小炉盖13，小炉盖13正上方设置有托板9，托板9上设有旋转电机11，旋转电机11输出端穿过托板9与单晶提拉杆12转动连接，所述固定架5上设置有导轨6，托板9侧部与固定架5通过导轨6滑动连接，所述炉体18内设有坩祸2，坩祸2置于坩祸托盘10上，坩祸2的上方有坩祸盖3，坩祸盖3上面有上隔热层4，坩祸2的外层设置有发热体17，发热体17两侧顶部与大炉盖15上的电极14连接，发热体17底部和四周分别设置有下隔热层21和侧隔热层16，所述的坩祸2、发热体17和侧隔热层16的横截面均为椭圆形偏平状。
[0015]实施例中，所述炉体18的真空接口通过抽空管19与抽真空装置20连接。
[0016]实施例中，所述坩祸2为钼金成型。
[0017]实施例中，所述发热体17由硅碳棒组成，发热体17表面设置有石英材料。
[0018]实施例中，所述固定架5顶部设有升降电机8，升降电机8下端连接丝杠7，丝杠7通过螺纹与托板9配合传动连接。
[0019]本实用新型的工作原理是:设置的抽真空装置20，可有效抽取炉体18内的空气，防止晶体氧化；通过在固定架5上设置导轨6，托板9与固定架5通过导轨6滑动连接，可使得单晶提拉杆12上下移动，方便操作；通过单晶提拉杆12上方托板9上设置的旋转电机11，可更好地搅拌晶体，使得晶体更好的吸附在单晶提拉杆12上祸2为钼金成型，使得坩祸2具有高熔点，高强度及耐腐蚀性，大大提高了坩祸2的使用寿命；坩祸2、发热体17和侧隔热层16的横截面均为椭圆形偏平状，从而生产出的单晶体呈椭圆形扁平状，相对于目前的圆柱状或梨形晶体，椭圆状的晶体在生成过程中消耗的电能大大降低了，且如此形状的晶体在切割同样大小的窗口片时，损耗的晶体更少，大大降低了单晶体的浪费。
[0020]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0021]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种单晶体生产用烧结炉，包括设有真空接口的炉体、坩祸、单晶提拉杆、支架、旋转电机和升降电机，其特征在于，所述支架上设置炉体和固定架，炉体上有大炉盖，电极安装在大炉盖上，大炉盖上装有小炉盖，小炉盖正上方设置有托板，托板上设有旋转电机，旋转电机输出端穿过托板与单晶提拉杆转动连接，所述固定架上设置有导轨，托板侧部与固定架通过导轨滑动连接，所述炉体内设有坩祸，坩祸置于坩祸托盘上，坩祸的上方有坩祸盖，坩祸盖上面有上隔热层，坩祸的外层设置有发热体，发热体两侧顶部与大炉盖上的电极连接，发热体底部和四周分别设置有下隔热层和侧隔热层，所述的坩祸、发热体和侧隔热层的横截面均为椭圆形偏平状。2.根据权利要求1所述的一种单晶体生产用烧结炉，其特征在于，所述炉体的真空接口通过抽空管与抽真空装置连接。3.根据权利要求1所述的一种单晶体生产用烧结炉，其特征在于，所述坩祸为钼金成型。4.根据权利要求1所述的一种单晶体生产用烧结炉，其特征在于，所述发热体由硅碳棒组成，发热体表面设置有石英材料。5.根据权利要求1所述的一种单晶体生产用烧结炉，其特征在于，所述固定架顶部设有升降电机，升降电机下端连接丝杠，丝杠通过螺纹与托板配合传动连接。
【专利摘要】一种单晶体生产用烧结炉，包括设有真空接口的炉体、坩埚、单晶提拉杆、支架、旋转电机和升降电机，所述支架上设置炉体和固定架，炉体上有大炉盖，电极安装在大炉盖上，大炉盖上装有小炉盖，小炉盖正上方设置有托板，托板上设有旋转电机，旋转电机输出端穿过托板与单晶提拉杆转动连接，所述固定架上设置有导轨，托板侧部与固定架通过导轨滑动连接，所述炉体内设有坩埚，坩埚置于坩埚托盘上，坩埚的上方有坩埚盖，坩埚盖上面有上隔热层，坩埚的外层设置有发热体，发热体两侧顶部与大炉盖上的电极连接，本实用新型有效防止了晶体氧化、使用方便，提高了设备使用寿命，减少切片时晶体的浪费，提高了晶体的利用率。
【IPC分类】C30B15/00, C30B15/10, C30B15/30
【公开号】CN204825116
【申请号】CN201520569600
【发明人】林志高
【申请人】福建鑫磊晶体有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年8月2日