一种除杂装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅领域，尤其涉及一种除杂装置。
【背景技术】
[0002]半导体和太阳能电池行业的发展，使得原料多晶硅的生产成为热点行业，同时对多晶硅的纯度要求也越来越高，如何有效地去除多晶硅中的杂质成为我国多晶硅行业的难题，目前的除杂装置往往很难将杂质的含量降到符合要求的范围，从而使得多晶硅的品质降低，影响发电效率。
【实用新型内容】
[0003]有鉴于此，本实用新型提出一种除杂装置，该除杂装置能够有效除去杂质，提高金属硅的纯度。
[0004]本实用新型的技术方案是这样实现的：
[0005]—种除杂装置，包括加热分离装置、吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔；
[0006]所述加热分离装置、所述吸附塔、所述造渣剂塔和所述树脂填料塔通过管道串联连接。
[0007]优选地，所述加热分离装置为密闭的真空环境。
[0008]优选地，所述加热分离装置内设置有水平交错的折流板，底部设有出料孔。
[0009]优选地，所述吸附塔内的吸附物质为离子交换树脂。
[0010]优选地，所述造渣剂塔内的造渣剂为偏硅酸钠。
[0011 ] 优选地，所述树脂填料塔内的树脂填料为螯合树脂。
[0012]本实用新型的有益效果为：
[0013]本实用新型中通过同时设置加热分离装置、吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔，能够有效除去氯硅烷中的杂质，从而提高多晶硅的纯度。另外，本实用新型通过采用串联连接的方式将加热分离装置、吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔连接，提高了多晶硅的纯度，使得多晶娃中硼杂质在O. 3ppm以下，磷杂质在O. 5ppm以下。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图I为本实用新型除杂装置的结构示意图。
[0016]图中：
[0017]1、加热分离装置；2、吸附塔；3、造渣剂塔；4、树脂填料塔；5、管道。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0019]如图I所示，本实用新型提供的除杂装置，包括加热分离装置1、吸附塔2、造渣剂塔3和树脂填料塔4。
[0020]加热分离装置I通过加热蒸发除去氯硅烷中的磷、硼等杂质，具体实施时，还包括抽真空装置，所述抽真空装置与所述加热分离装置I连接，使得加热分离装置I内为真空环境，当磷、硼等杂质在加热蒸发时，能够被真空装置抽走；为了更有效地除去氯硅烷中的磷、硼等杂质，加热分离装置I内还设有若干水平折流板，该水平折流板的设置提高了除杂效率；加热分离装置I底部设有出料孔，利于将提纯后的硅液引入吸附塔内。
[0021]吸附塔2用于吸附氯硅烷中的磷、硼等杂质，具体实施时，吸附塔2内填装有离子交换树脂，离子交换树脂通过静电作用将磷、硼等杂质吸附，从而降低氯硅烷中的杂质。
[0022]造渣剂塔3通过将杂质氧化成渣的方式除去杂质，具体实施时，造渣剂塔3内的造渣剂为偏硅酸钠，偏硅酸钠在氧化、除去杂质的同时，没有其他杂质形成。
[0023]树脂填料塔4用于进一步吸附杂质，提高多晶硅的纯度，具体实施时，所述树脂填料塔4内的树脂填料为螯合树脂，该树脂通过与杂质形成螯合物，将硼杂质从氯硅烷中去除。
[0024]本实用新型通过采用串联连接的方式将加热分离装置1、吸附塔2、造渣剂塔3和树脂填料塔4连接，提高了多晶硅的纯度，使得多晶硅中硼杂质在O. 3ppm以下，磷杂质在O. 5ppm 以下。
[0025]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种除杂装置，其特征在于:包括加热分离装置、吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔； 所述加热分离装置、所述吸附塔、所述造渣剂塔和所述树脂填料塔通过管道串联连接。2.如权利要求1所述的除杂装置，其特征在于:还包括抽真空装置，所述抽真空装置与所述加热分离装置连接。3.如权利要求2所述的除杂装置，其特征在于:所述加热分离装置内设置有水平交错的折流板。4.如权利要求1所述的除杂装置，其特征在于:所述吸附塔内的吸附物质为离子交换树脂。5.如权利要求1所述的除杂装置，其特征在于:所述造渣剂塔内的造渣剂为偏硅酸钠。6.如权利要求1所述的除杂装置，其特征在于:所述树脂填料塔内的树脂填料为螯合树脂。
【专利摘要】本实用新型公开了一种除杂装置，包括加热分离装置、吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔；所述加热分离装置、所述吸附塔、所述造渣剂塔和所述树脂填料塔通过管道串联连接。本实用新型中通过同时设置加热分离装置、吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔，能够有效除去氯硅烷中的杂质，从而提高多晶硅的纯度。另外，本实用新型通过采用串联连接的方式将加热分离装置、吸附塔、造渣剂塔和树脂填料塔连接，提高了多晶硅的纯度，使得多晶硅中硼杂质在0.3ppm以下，磷杂质在0.5ppm以下。
【IPC分类】C01B33/107
【公开号】CN204917994
【申请号】CN201520654374
【发明人】王增林
【申请人】宁夏金海金晶光电产业有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月27日