一种晶体生长的坩埚盖的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉晶体生长用的坩祸，尤其涉及的是一种晶体生长的坩祸盖。
【背景技术】
[0002]随着人工晶体科学技术的发展，对晶体材料的要求越来越高，这也意味着对晶体材料的生长工艺和生长设备的要求越来越高。晶体生长工艺的关键在于高温设备下对晶体温场的控制。
[0003]大尺寸和优质晶体的生长，要解决温度控制和温度在熔体和固相中的梯度问题，所以最重要的是冷坩祸中温度场的分布。但在冷坩祸内生长晶体时，熔体的高温度导致从其表面发生很大的热损失，使晶体系统的平衡变得不稳定，因此，对晶体生长有不利的影响。传统设备的坩祸盖多采用多层叠加保温结构，此结构由于热辐射时会带走不同程度的热量，从而使晶体在坩祸中生长时的纵横向温场温差过大，不能实现对温度梯度的精确控制。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种结构简单，均衡保温性能，提高晶体生长质量的晶体生长的坩祸盖。
[0005]为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是:一种晶体生长的坩祸盖，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。
[0006]优选的，所述顶层高于底层40_。
[0007]优选的，所述过渡段的内直径为230mm，所述顶层的外直径380mm，所述通孔的直径为10mmο
[0008]优选的，所述顶层的厚度为4mm，所述底层的厚度为6mm。
[0009]通过采用上述的技术方案，本实用新型的有益效果是:本结构采用单层圆形钼板压制而成，均衡冷坩祸内的保温性;钼板具有韧性强、成本低、热传导性能好等特点，有效保证晶体生长的高温环境；同时，单层钼板结构，还能使冷坩祸内晶体生长热辐射时产生纵向与横向的温度梯度差，以更准确的把握晶体在控径时的精确度，从而解决了晶体生长过程中温度偏差过大而产生的长角问题。本结构采用由钼板制成帽子状的双层结构，顶层与底层的间距确保晶体生长引晶及放肩过程有足够的提拉空间，确保了晶体生长放肩角度而保证晶体生长的品质。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的结构示意图；
[0011]图2为本实用新型的剖视图；
[0012](1、盖体;2、顶层;3、底层;4、过渡段;5、通孔)。
【具体实施方式】
[0013]以下结合附图和具体实施例来进一步说明本实用新型。
[0014]本实用新型中所提到的方向用语，例如:上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本创作。
[0015]如图1-2所示，一种晶体生长的坩祸盖，是由一厚度为6mm的圆形钼板压制而成的帽子状盖体I。所述盖体I分为两层，包括顶层2、底层3以及圆筒状的过渡段4。顶层2中间开有一通孔5，该通孔5的直径为100mm，顶层2的外直径长为238mm。所述过渡段4的高度为40mm,内直径为230mm，外直径为238mm。所述底层3的内直径为230mm，外直径长为380mm。在压制成上述帽子状的盖体I后，还通过打磨或其他加工方式，使得顶层2和过渡段4的厚度变为4mm，所述底层6仍然保持6mm的厚度。
[0016]以上所述的，仅为本实用新型的较佳实施例而已，不能限定本实用新型实施的范围，凡是依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与装饰，皆应仍属于本实用新型涵盖的范围内。
【主权项】
1.一种晶体生长的坩祸盖，其特征在于，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。2.根据权利要求1所述晶体生长的坩祸盖，其特征在于，所述顶层高于底层40mm。3.根据权利要求1所述晶体生长的坩祸盖，其特征在于，所述过渡段的内直径为230mm，所述顶层的外直径380mm，所述通孔的直径为100mm。4.根据权利要求3所述晶体生长的坩祸盖，其特征在于，所述顶层的厚度为4mm，所述底层的厚度为6mm。
【专利摘要】本实用新型涉及的是晶体生长的坩埚盖，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。本结构采用单层圆形钼板压制而成，均衡冷坩埚内的保温性；钼板具有韧性强、成本低、热传导性能好等特点，有效保证晶体生长的高温环境；同时，单层钼板结构，还能使冷坩埚内晶体生长热辐射时产生纵向与横向的温度梯度差，以更准确的把握晶体在控径时的精确度，从而解决了晶体生长过程中温度偏差过大而产生的长角问题。本结构采用由钼板制成帽子状的双层结构，顶层与底层的间距确保晶体生长引晶及放肩过程有足够的提拉空间，确保了晶体生长放肩角度而保证晶体生长的品质。
【IPC分类】C30B35/00
【公开号】CN205313718
【申请号】CN201521058452
【发明人】黄小卫, 杨敏, 赵慧彬, 柳祝平
【申请人】福建鑫晶精密刚玉科技有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年12月18日