一种防蓝光、抗刮伤玻璃的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示屏用玻璃，尤其涉及一种防蓝光、抗刮伤玻璃。
【背景技术】
[0002]玻璃面板作为显示器件的电容触摸屏产品的主要材料，在具有其较强优点的同时也存在着易破碎、不抗刮伤、不防蓝光等技术上的不足，如手机、电子书、平板电脑产品作为随身携带的移动终端电子产品，频繁的使用不可避免会出现与尖锐硬物碰刮和跌落碰撞的现象和可见光高能量的蓝光对人眼的伤害。如玻璃表面出现刮花将大大影响画面质量和阅读效果，且没法修复，由于人们长时间观看显示器件，而显示器件中的蓝光具有极高能量，能够穿透晶状体直达视网膜，对视网膜造成光化学损害，直接或间接导致黄斑区细胞的损害。
[0003]目前显示器件要么只防蓝光要么只防抗刮伤，不能两者同时兼顾并且方法简单，达不到应有的效果，常常是顾此失彼。有的显示器件的屏幕只有防刮伤功能却不防蓝光，为了防蓝光而多采用防蓝光pet贴膜方式，该方式由于是手工贴合，贴合中会有微小气泡的夹杂而影响防蓝光性能。由于不是通过整体膜层设计产生的结果，是不能很好地实现即防刮伤又防蓝光的双重功能。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种能够同时具有防蓝光、抗刮伤性能的显示屏用玻璃。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案。
[0006]—种防蓝光、抗刮伤玻璃，其包括有玻璃基板，所述玻璃基板上镀制有第一三氧化二钬层，所述第一三氧化二钬层上镀制有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层上镀制有第二三氧化二钬层，所述第二三氧化二钬层上镀制有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层上镀制有氮化碳层。
[0007]优选地，所述第一三氧化二钬层的厚度为28nm-32nm0
[0008]优选地，所述第一二氧化娃层的厚度为36nm-42nm。
[0009]优选地，所述第二三氧化二钬层的厚度为78nm-90nmo
[0010]优选地，所述第二二氧化娃层的厚度为48nm-60nm。
[0011]优选地，所述氮化碳层的厚度为10nm-15nmo
[0012]本实用新型公开的玻璃，在玻璃基板上镀制了纳米薄膜，该纳米薄膜由高折射率三氧化二钬氧化物介质膜层和低折射率的二氧化硅膜层及具有很高硬度的耐划伤氮化碳复合膜系组成，进而实现了对防蓝光的选择性阻隔以及提高表面的耐划伤硬度。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型玻璃的结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图和实施例对本实用新型作更加详细的描述。
[0015]本实用新型公开了一种防蓝光、抗刮伤玻璃，如图1所示，其包括有玻璃基板I，所述玻璃基板I上镀制有第一三氧化二钬层2，所述第一三氧化二钬层2上镀制有第一二氧化硅层3，所述第一二氧化硅层3上镀制有第二三氧化二钬层4，所述第二三氧化二钬层4上镀制有第二二氧化硅层5，所述第二二氧化硅层5上镀制有氮化碳层6。
[0016]上述玻璃中，玻璃基板I上镀制了纳米薄膜，该纳米薄膜由高折射率三氧化二钬氧化物介质膜层和低折射率的二氧化硅膜层及具有很高硬度的耐划伤氮化碳复合膜系组成，进而实现了对防蓝光的选择性阻隔以及提高表面的耐划伤硬度。
[0017]进一步地，为了对防蓝光性能以及耐划伤硬度进行优化，所述第一三氧化二钬层2的厚度为28nm-32nm。所述第一二氧化娃层3的厚度为36nm-42nm。所述第二三氧化二钬层4的厚度为78nm-90nm。所述第二二氧化娃层5的厚度为48nm-60nm。所述氮化碳层6的厚度为10nm_15nmo
[0018]本实用新型的玻璃基板上镀制防蓝光防刮伤纳米薄膜结构，其生产过程是采用直线立式多个真空箱体组成的连续镀膜设备生产线，由百级间上片通过多靶位阴极溅射装置完成多层的沉积，根据广义可控的光波选择膜层设计，在不同的膜层之间布置不同的靶材材料即靶位。多靶位阴极溅射装置采用孪生磁控阴极，本实用新型采用的是在溅射过程中由气体质量流量计控制通入反应气体和溅射粒子进行反应生成所需的稳定的纳米薄膜。本实用新型是应用采用的是多层膜层叠加实现对波长处于400nm-460nm处的蓝光的部分阻隔，蓝光最高能量波长400?430nm平均反射率达到85%以上，其它可见光波段透过率高达97%以上，反射率低于1.5%以下，膜系的最外层为高硬度耐划伤的淡化氮纳米膜层其表面莫氏硬度达到8级，即达到有效选择阻隔高能量蓝光又到达膜层表面耐刮花功能。
[0019]本实用新型采用立式连续真空磁控溅射方法在玻璃基板镀制防蓝光防刮伤的纳米薄膜，根据每层膜层总的物理膜厚排配孪生阴极靶位数量，每个孪生阴极靶之间配置真空气井，阻隔相邻孪生阴极靶之间的气氛窜动，减小膜层沉积过程中的漂移。立式连续真空磁控溅射镀膜设备生产线25真空室组成，整体系统依次为上片台、超声波清洗、镀膜前上片、装载室、真空过渡室、真空缓冲室、中央连续溅射区段室、出片缓冲室、出片过渡室、出片室，冷却段、下片台。各真空室之间的独立旋转通过PLC控制，根据工艺要求切换关闭和开通，调节自如，密闭性好。立式连续真空磁控溅射镀膜设备抽气系统的主栗采用分子栗、前级栗采用罗茨栗、机械栗及旋片栗组成.中央连续溅射区段室抽气系统中的的加装低温冷凝栗系统。该系统对本实用新型膜层结构有以下优点:1、二级冷板温度低于25K(K氏温度)，可有效地吸附水汽、氢气和其它普通真空栗不能收走的气体，可有效提高成膜质量、使膜层结构更致密、减少膜层对可见光的吸收。2、由于可以有效去除真空室内的水汽，极大地提升了改善膜层与膜层、膜层与基板之间的附着力。玻璃装载架下部采用摩擦传动，传动系统全部采用磁流体密封，安全可靠，漏率低;玻璃装载架上部采用磁导向，可保证传动时的平稳，没有爬行现象，使得整个镀膜区域膜厚均匀。
[0020]按照本实用新型设计膜系glaSS/H0203/Si02/H0203/Si02/C3N4的可控设计顺序。真空度抽至2?6.0E-5pa本底真空度，当达到需要的本地真空度后通过充气管路向真空室冲入工作气体氩气，质量流量计经过充气管路进入真空室，管路设有散流装置使冲入的氩气溅射靶面均匀分布，并达到工作压强1.5-6E-lPa，逐次开启溅射靶电源，通过压电控制系统控制反应气体氧气流量，具体为在溅射过程中可以根据靶电压的不断变化通过压电阀PVC25来调节参与反应气体的流量，当靶电压高于设定电压时，压电阀就开大以增加进入溅射室内的反应气体流量；当靶电压低于设定值时，电压阀关小以减少进入溅射室内的流量，这样可以十份稳定的控制反应溅射过程，通过该闭环的压电控制来达到控制所需膜层组分。最为一层的控制方法为通过散流装置冲氮气成膜C3N4，经过量程为20SCCM高精密的质量流量计进行控制制备防刮伤的C3N4硬质膜层，针对该膜层结构中易产生类石墨相，类石墨相会消弱膜层的硬度和耐磨性。本实用新型为了避免类石墨相的生成，采用直流反应磁控溅射方法制备C3N4膜。即在直流电源工作下使Ar气和N2气产生等离子体，同时从靶中溅射出C粒子，N离子和C粒子反应形成C3N4纳米膜。主要的工艺参数为N2气流量控制在6?10SCCM，基板的温度为150°C，溅射的功率为1.2?2KW，通过优化的工艺参数设置和在线监控从而有效地控制了成膜中石墨相的含量，大大提高和增强了沉积膜层的优异性能，沉积的C3N4薄膜均匀，光滑，具有高的耐磨性和良好的光学性能。在真空设备连续溅射区段室增设在线膜厚测试仪，实时监控溅射膜层的物理厚度，通过远程控制快速微调，实现精准控制。在真空设备连续溅射区段室的膜层之间增设线性辅助离子源，该装置有以下优点:1、膜-基结合力强，膜层不易脱落。2、膜层质量好，由于离子轰击可以提高膜的致密性，改善膜层的组织结构，使得膜层的均匀度好，膜层组织致密。3、离子的轰击可消除膜层的残余内应力提高了膜层具有更强的防刮伤能力，改善沉积层的内部应力的有效释放，减少膜层吸收。
[0021]以上所述只是本实用新型较佳的实施例，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的技术范围内所做的修改、等同替换或者改进等，均应包含在本实用新型所保护的范围内。
【主权项】
1.一种防蓝光、抗刮伤玻璃，其特征在于，包括有玻璃基板，所述玻璃基板上镀制有第一三氧化二钬层，所述第一三氧化二钬层上镀制有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层上镀制有第二三氧化二钬层，所述第二三氧化二钬层上镀制有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层上镀制有氮化碳层。2.如权利要求1所述的防蓝光、抗刮伤玻璃，其特征在于，所述第一三氧化二钬层的厚度为 28nm_32nmD3.如权利要求1所述的防蓝光、抗刮伤玻璃，其特征在于，所述第一二氧化硅层的厚度为36nm_42nm04.如权利要求1所述的防蓝光、抗刮伤玻璃，其特征在于，所述第二三氧化二钬层的厚度为 78nm_90nmD5.如权利要求1所述的防蓝光、抗刮伤玻璃，其特征在于，所述第二二氧化硅层的厚度为48nm-60nm。6.如权利要求1所述的防蓝光、抗刮伤玻璃，其特征在于，所述氮化碳层的厚度为1nm-15nm0
【专利摘要】本实用新型公开了一种防蓝光、抗刮伤玻璃，其包括有玻璃基板，所述玻璃基板上镀制有第一三氧化二钬层，所述第一三氧化二钬层上镀制有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层上镀制有第二三氧化二钬层，所述第二三氧化二钬层上镀制有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层上镀制有氮化碳层。本实用新型在玻璃基板上镀制了纳米薄膜，该纳米薄膜由高折射率三氧化二钬氧化物介质膜层、低折射率的二氧化硅膜层及具有很高硬度的耐划伤氮化碳复合膜系组成，进而实现了对防蓝光的选择性阻隔以及提高表面的耐划伤硬度。
【IPC分类】C03C17/34
【公开号】CN205347235
【申请号】CN201521087355
【发明人】张忠义, 徐日宏, 杨航军, 詹达勇
【申请人】深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月24日