多晶硅还原炉的制作方法

文档序号:10789967阅读:779来源:国知局
多晶硅还原炉的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及太阳能电池设备领域,具体涉及一种多晶硅还原炉。包括有炉体及硅芯,所述的炉体内还设有用于支撑硅芯的硅芯支撑组件,所述硅芯支撑组件包括有设于炉体底部的底座、设于底座上的卡瓣以及标尺,所述硅芯设置在卡瓣上;所述的炉体上还设有可对晶硅还原反应时间进行控制的控制装置。本实用新型提供了一种多晶硅棒在还原反应过程中能统一多晶硅棒大小规格的多晶硅还原炉。
【专利说明】
多晶娃还原炉
技术领域
[0001]本实用新型涉及太阳能电池设备领域,具体涉及一种多晶硅还原炉。
【背景技术】
[0002]在生产多晶硅的生产技术中,改良西门子法为主要的生产方法。在生产多晶硅棒的过程中,将三氯氢硅(SiHC13)和氢气(H2)按一定比例混合后通往还原炉反应器内,反应器内设有用于提供附着体的硅芯。在反应器温度达1000?1200°C时,三氯氢硅被氢气还原后,生成娃并不断附着在娃芯上,最终得到娃棒。
[0003]其中,还原炉上安装有用于观察硅芯直径的观察窗,在操作人员观察到其中的硅芯直径大概生长至预定的数值时,进行停车操作。由于操作人员在观察硅芯的直径过程中,只能凭感觉,没有特定的参照,采用上述观察的生产方法生产出来的硅棒的直径误差较大,规格不统一。

【发明内容】

[0004]为了克服【背景技术】的不足,本实用新型提供了一种多晶硅棒在还原反应过程中能统一多晶硅棒大小规格的多晶硅还原炉。
[0005]本实用新型所采用的技术方案是:一种多晶硅还原炉,包括有炉体及硅芯,所述的炉体内还设有用于支撑硅芯的硅芯支撑组件,所述硅芯支撑组件包括有设于炉体底部的底座、设于底座上的卡瓣以及标尺,所述硅芯设置在卡瓣上;所述的炉体上还设有可对晶硅还原反应时间进行控制的控制装置。
[0006]作为优选的技术方案,所述控制装置包括有电源、开关、计时器、处理器及控制模块,所述的电源、开关、计时器、处理器及控制模块相互电连接,所述的炉体上设有加热装置,所述的控制模块与加热装置连接。
[0007]作为优选的技术方案,所述的底座上设有开口,所述的卡瓣连接硅芯一端的另一端插入开口内与底座插接连接,所述的卡瓣与底座之间设有限位件。
[0008]作为优选的技术方案,所述的限位件包括有设于底座开口处的限位槽及设于卡瓣上并与限位槽适配的限位块,所述的限位块为弹性块。
[0009]作为优选的技术方案,所述的标尺通过螺钉与底座可拆卸连接。
[0010]作为优选的技术方案,所述的炉体上还设有用于观察炉体内部的观察窗。
[0011]本实用新型的有益效果是:炉体内设置了硅芯支撑组件,三氯氢硅被氢气还原生成硅后附在硅芯上,在这过程中,人们可通过控制装置先将加热装置的时间进行调控,预测好一个硅棒的完成时间,然后设定每一个晶硅的完成时间,当晶硅时间达到预设的时间时,进行停车操作,这样能保证每一批生产出来的硅棒规格一样,不会出现大的误差,而且在炉体内,还设置了标尺,人们在还原过程中,可通过观察窗对炉体内部进行观测,当目测到硅棒到达到预测的规格大小时,也可停止操作,结合控制装置,具有双重的测量作用,这种结构简单智能化,能使硅棒达到统一规格的作用。
[0012]面结合附图对本实用新型实施例作进一步说明。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型实施例的整体结构示意图;
[0014]图2为本实用新型实施例的控制装置电路图。
【具体实施方式】
[0015]如图1-图2所示,本实用新型提供一种多晶硅还原炉,包括有炉体I及硅芯2,所述的炉体I内还设有用于支撑硅芯2的硅芯支撑组件3,所述硅芯支撑组件3包括有设于炉体I底部的底座31、设于底座31上的卡瓣32以及标尺33,所述硅芯2设置在卡瓣32上;所述的炉体I上还设有可对晶硅还原反应时间进行控制的控制装置4。
[0016]在本实用新型实施例中,所述控制装置4包括有电源41、开关42、计时器43、处理器44及控制模块45,所述的电源41、开关42、计时器43、处理器44及控制模块45相互电连接,所述的炉体I上设有加热装置6,所述的控制模块45与加热装置6连接。
[0017]在本实用新型实施例中,所述的底座31上设有开口311,所述的卡瓣32连接硅芯2一端的另一端插入开口 311内与底座31插接连接,所述的卡瓣32与底座31之间设有限位件5。
[0018]在本实用新型实施例中,所述的限位件5包括有设于底座31开口311处的限位槽51及设于卡瓣32上并与限位槽51适配的限位块52,所述的限位块52为弹性块。
[0019]在本实用新型实施例中,所述的标尺33通过螺钉331与底座31可拆卸连接。
[0020]在本实用新型实施例中,所述的炉体I上还设有用于观察炉体I内部的观察窗7。[0021 ]在上述方案中,炉体I内设置了硅芯支撑组件3,三氯氢硅被氢气还原生成硅后附在硅芯2上,在这过程中,人们可通过控制装置4先将加热装置6的时间进行调控,预测好一个硅棒的完成时间,然后设定每一个晶硅的完成时间,当晶硅时间达到预设的时间时,进行停车操作,这样能保证每一批生产出来的硅棒规格一样,不会出现大的误差,而且在炉体内,还设置了标尺33,人们在还原过程中,可通过观察窗7对炉体I内部进行观测,当目测到硅棒到达到预测的规格大小时,也可停止操作,结合控制装置,具有双重的测量作用,这种结构简单智能化,能使硅棒达到统一规格的作用。
[0022]各位技术人员须知:虽然本实用新型已按照上述【具体实施方式】做了描述,但是本实用新型的发明思想并不仅限于此发明,任何运用本实用新型思想的改装,都将纳入本专利专利权保护范围内。
【主权项】
1.一种多晶硅还原炉,包括有炉体及硅芯,其特征在于:所述的炉体内还设有用于支撑硅芯的硅芯支撑组件,所述硅芯支撑组件包括有设于炉体底部的底座、设于底座上的卡瓣以及标尺,所述硅芯设置在卡瓣上;所述的炉体上还设有可对晶硅还原反应时间进行控制的控制装置。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述控制装置包括有电源、开关、计时器、处理器及控制模块,所述的电源、开关、计时器、处理器及控制模块相互电连接,所述的炉体上设有加热装置,所述的控制模块与加热装置连接。3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述的底座上设有开口,所述的卡瓣连接硅芯一端的另一端插入开口内与底座插接连接,所述的卡瓣与底座之间设有限位件。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述的限位件包括有设于底座开口处的限位槽及设于卡瓣上并与限位槽适配的限位块,所述的限位块为弹性块。5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述的标尺通过螺钉与底座可拆卸连接。6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉,其特征在于:所述的炉体上还设有用于观察炉体内部的观察窗。
【文档编号】C01B33/035GK205472699SQ201620023846
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年1月11日
【发明人】张明河, 张麦, 张一麦
【申请人】浙江谷高光伏科技有限公司
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