一种硅晶片生产装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型一种硅晶片生产装置，属于硅晶片生产领域，包括多晶硅盛放箱，所述多晶硅盛放箱设有第一挡板，所述多晶硅盛放箱通过传送带连接超高温熔解炉，所述超高温熔解炉内腔设有第二挡板，所述第二挡板两侧底部均设有移动滑板，所述移动滑板顶部分别设有P型石英坩埚、N型石英坩埚，所述高温熔解炉一侧连接冷却箱，所述冷却箱从左到右依次连接切断装置、滚圆装置、切片装置与倒角装置，所述倒角装置从上到下依次连接研磨装置、腐蚀装置、抛光装置、清洗装置与检验装置，所述检验装置一侧连接自动包装装置，本实用新型通过两种放有不同掺杂剂的石英坩埚，经过一系列的工艺可以生产出具有不同电特性的硅晶片，结构简单，设计合理，实用性强。
【专利说明】
一种硅晶片生产装置
技术领域
[0001]本实用新型一种硅晶片生产装置，属于硅晶片生产领域。
【背景技术】
[0002]用于光伏行业多晶硅料熔化后结晶生长的一个设备，由于光伏行业多晶硅料的定向凝固过程需要先对硅料进行融化，然后定向结晶生长，硅液的生长需要在结晶设备容器内进行，大多的硅料的定向结晶是用铸锭炉完成的，硅料在同一铸锭炉内进行着熔化和定向凝固，这种设备价格昂贵，生产周期较长，无法实现硅料熔化和定向凝固分开进行，对设备的要求过高，因此将传送带与超高温度溶解箱相对应，在完成溶解之后进行加热后再将硅液移动至冷却箱，操作灵活，结晶方式简单，产品质量也稳定，同样可以达到铸锭炉的效果，现实生活中我们会需要具有不同电特性的硅，往往是在生产加工出来以后在进行电离，因此，需要进一步改进。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题克服现有的缺陷，提供一种硅晶片生产装置，通过两种放有不同掺杂剂的石英坩祸，经过一系列的工艺可以生产出具有不同电特性的硅晶片，可以有效解决【背景技术】中的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案:
[0005]—种硅晶片生产装置，包括多晶硅盛放箱，所述多晶硅盛放箱设有第一挡板，所述多晶硅盛放箱通过传送带连接超高温熔解炉，所述超高温熔解炉内腔设有第二挡板，所述第二挡板两侧底部均设有移动滑板，所述移动滑板顶部分别设有P型石英坩祸、N型石英坩祸，所述高温熔解炉一侧连接冷却箱，所述冷却箱从左到右依次连接切断装置、滚圆装置、切片装置与倒角装置，所述倒角装置从上到下依次连接研磨装置、腐蚀装置、抛光装置、清洗装置与检验装置，所述检验装置一侧连接自动包装装置。
[0006]进一步而言，所述P型石英坩祸内腔掺杂剂为硼，所述N型石英坩祸内腔掺杂剂为磷、锑、砷其中一种。
[0007]进一步而言，所述移动滑板通过滑道与冷却箱滑动连接。
[0008]进一步而言，所述切片装置的材料为金刚石，所述腐蚀装置的材料采用氢氧化钠、乙酸与硝酸的混合物。
[0009]进一步而言，所述超高温熔解炉两侧均设有出气孔，所述传送带上设有若干圆形凸起。
[0010]本实用新型有益效果:本实用新型通过两种放有不同掺杂剂的石英坩祸，经过一系列的工艺可以生产出具有不同电特性的硅晶片，结构简单，设计合理，实用性强。
【附图说明】
[0011]附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。
[0012]图1是本实用新型一种硅晶片生产装置结构图。
[0013]图2是本实用新型一种硅晶片生产装置超高温熔解炉内部结构图。
[0014]图中标号:1、多晶硅盛放箱；2、第一挡板;3、传送带；4、超高温熔解炉；5、第二挡板;6、移动滑板;7、P型石英坩祸;8、N型石英坩祸;9、冷却箱；10、切断装置；11、滚圆装置；12、切片装置;13、倒角装置;14、研磨装置;15、腐蚀装置;16、抛光装置;17、清洗装置;18、检验装置;19、自动包装装置;20、出气孔;21、圆形凸起。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0016]如图1-图2所示，一种硅晶片生产装置，包括多晶硅盛放箱I，所述多晶硅盛放箱I设有第一挡板2，所述多晶硅盛放箱I通过传送带3连接超高温熔解炉4，所述超高温熔解炉4内腔设有第二挡板5，所述第二挡板5两侧底部均设有移动滑板6，所述移动滑板6顶部分别设有P型石英坩祸7、N型石英坩祸8，所述高温熔解炉4 一侧连接冷却箱9，所述冷却箱9从左到右依次连接切断装置10、滚圆装置11、切片装置12与倒角装置13，所述倒角装置13从上到下依次连接研磨装置14、腐蚀装置15、抛光装置16、清洗装置17与检验装置18，所述检验装置18—侧连接自动包装装置19。
[0017]更具体而言，所述P型石英坩祸7内腔掺杂剂为硼，所述N型石英坩祸8内腔掺杂剂为磷、锑、砷其中一种，通过不同的掺杂剂可以制造出不同电特性的硅锭。
[0018]更具体而言，所述移动滑板6通过滑道与冷却箱9滑动连接，通过移动滑板6可以将熔解的硅移动至冷却箱9冷却。
[0019]更具体而言，所述切片装置12的材料为金刚石，所述腐蚀装置15的材料采用氢氧化钠、乙酸与硝酸的混合物，金刚石的材质特别硬，适用于切割，混合物的腐蚀性更强。
[0020]更具体而言，所述超高温熔解炉4两侧均设有出气孔20，所述传送带3上设有若干圆形凸起21，通过出气孔20可防止炉内温度过高，通过圆形凸起21可增大运输的摩擦力。
[0021]本实用新型有益效果:本实用新型通过两种放有不同掺杂剂的石英坩祸，经过一系列的工艺可以生产出具有不同电特性的硅晶片，结构简单，设计合理，实用性强。
[0022]以上为本实用新型较佳的实施方式，本实用新型所属领域的技术人员还能够对上述实施方式进行变更和修改，因此，本实用新型并不局限于上述的【具体实施方式】，凡是本领域技术人员在本实用新型的基础上所作的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种硅晶片生产装置，包括多晶硅盛放箱(1)，其特征在于，所述多晶硅盛放箱(I)设有第一挡板(2)，所述多晶硅盛放箱(I)通过传送带(3)连接超高温熔解炉(4)，所述超高温熔解炉(4)内腔设有第二挡板(5)，所述第二挡板(5)两侧底部均设有移动滑板(6)，所述移动滑板(6)顶部分别设有P型石英坩祸(7)、N型石英坩祸(8)，所述高温熔解炉(4) 一侧连接冷却箱(9)，所述冷却箱(9)从左到右依次连接切断装置(10)、滚圆装置(11)、切片装置(12)与倒角装置(13)，所述倒角装置(13)从上到下依次连接研磨装置(14)、腐蚀装置(15)、抛光装置(16)、清洗装置(17)与检验装置(18)，所述检验装置(18)—侧连接自动包装装置(19)。2.根据权利要求1所述一种硅晶片生产装置，其特征在于:所述P型石英坩祸(7)内腔掺杂剂为硼，所述N型石英坩祸(8)内腔掺杂剂为磷、锑、砷其中一种。3.根据权利要求1所述一种硅晶片生产装置，其特征在于:所述移动滑板(6)通过滑道与冷却箱(9 )滑动连接。4.根据权利要求1所述一种硅晶片生产装置，其特征在于:所述超高温熔解炉(4)两侧均设有出气孔(20)，所述传送带(3)上设有若干圆形凸起(21)。
【文档编号】C30B29/06GK205688053SQ201620262900
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年3月31日 公开号201620262900.8, CN 201620262900, CN 205688053 U, CN 205688053U, CN-U-205688053, CN201620262900, CN201620262900.8, CN205688053 U, CN205688053U
【发明人】邹文龙, 张力峰, 田利中, 白青松, 梁会宁
【申请人】苏州晶樱光电科技有限公司