一种含四氢呋喃结构的液晶化合物及制备方法和应用的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种作为液晶介质组分的化合物，具有如下结构通式（I）。加入了本发明化合物的液晶组合物，响应时间更短、Δn数值适中、电荷保持率更高，并且具有较低的阈值电压，应用前景广阔。
【专利说明】一种含四氢呋喃结构的液晶化合物及制备方法和应用
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种含四氢呋喃结构的液晶化合物及制备方法和应用，属于液晶材料领域。
【背景技术】 [0002]近年来，液晶化合物的应用领域越来越广，已经广泛用于各种类型的显示设备、电光学器件、传感器等。其中，在显示装置中向列相液晶有着最宽广的用途。向列相液晶已经广泛应用于无源TN或STN矩阵显示器和具有TFT有源矩阵的系统中。
[0003]液晶材料要求具备良好的化学和热稳定性，良好的对电场和电磁辐射的稳定性，较宽的向列相温度范围，适当的折射率、介电各向异性，较快的响应速度和高的电压保持率。
[0004]随着显示技术的发展，对液晶材料也提出了更高的要求，尤其是在快速响应，降低驱动电压，降低功耗等方面。 [0005]专利JP06172350、JP06073041 和 Sadao Takehara;Masashi Osawa; KayokoNakamura.New chiral dopants for FLC materials:optically active cyclic ethers.Ferroelectrics (1993), 148(1), 195-202中，涉及了四氢呋喃结构衍生物作为液晶化合物，但是存在介电各向异性小，旋转粘度大，低温互溶性差等缺点。因此，有必要进一步开发改进性能的新型四氢呋喃结构液晶化合物。
【发明内容】
[0006]本发明的目的是提供一种含四氢呋喃结构的液晶化合物。
[0007]本发明的另一目的是提供一种含四氢呋喃结构的液晶化合物的制备方法。
[0008]本发明的再一目的是提供一种含四氢呋喃结构的液晶化合物的液晶组合物。
[0009]为解决上述问题，本发明采用如下技术方案:
[0010]本发明提供一种可以作为液晶介质组分的化合物，所述化合物具有如下结构通式(I):
[0011]
【权利要求】
1.一种作为液晶介质组分的化合物，其特征在于，所述化合物具有如下结构通式(I):
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1表示-H，具有1-8个碳原子的烷基或烷氧基；其中，烷基或烷氧基中的H可以被卤素取代，一个或多个-CH2-可以各自独立地被-CH=CH-、或-0-取代，但要求0原子彼此不直接连接。
3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R2表示-H，-F，-Cl，-CN,-CF3, -OCF3，-OCF2Cl,具有1-8个碳原子的烷基或烷氧基；其中，烷基或烷氧基中的H可以被卤素取代，一个或多个-CH2-可以各自独立地被-CH=CH-、-0-取代，但要求0原子彼此不直接连接。
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述“A3、A4、A5相同或不同，各自独立地表示~
5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述ZpZ2, Z3、Z4相同或不同，各自独立地表不碳碳单键、_C0_0_、-CF2O-> -CH2O-> -CH2CH2-> _C = C-、-CH=CH-> -CF=CF-> -C2F4-o
6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述在通式(I)的化合物为下述化合物的一种或多种:
7.—种权利要求1-6任一所述结构通式(I)的化合物的合成路线如下所示:
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤I)中，
9.一种包含权利要求1-6任一所述结构通式(I)的化合物中的至少一种的液晶组合物，其包含质量百分比为1-50%的通式(I)的化合物。
10.权利要求9所述液晶组合物在TN、IPS、FFS,ADS-TFT模式的显示器中的应用。
【文档编号】C07D307/12GK103614145SQ201310611461
【公开日】2014年3月5日 申请日期:2013年11月26日 优先权日:2013年11月26日
【发明者】田会强, 姜天孟, 杭德余, 高立龙, 班全志, 梁现丽, 陈海光, 储士红, 苏学辉, 陈卯先 申请人:北京八亿时空液晶科技股份有限公司