专利名称：乙烯基单体和由该单体衍生的高分子体、及使用该高分子体的发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及有促进空穴注入功能的高分子体、以及作为用于合成该 高分子体的材料使用的乙烯基单体。另外，本发明涉及使用了该高分子 体的发光元件。
背景技术：
影像显示用显示器是现代生活不可缺少的发光元件之一，始于所谓 的视频监视器，近年来急速发展的液晶显示器、和期待着今后发展的EL (电致发光)显示器等采取各种各样的形态来满足用途。在其中，有机 BL显示器作为下一代的平板显示元件最受关注。
构成有机EL显示器的发光元件的发光机理如下，在电极间设置由 有发光性的组合物构成的发光层，通过流过电流，从阴极注入的电子和 从阳极注入的空穴在发光层的发光中心复合，形成分子激子，利用该分 子激子返回基态时放出的光子。因此，向有机薄膜高效地注入空穴和电 子是用于制作高效发光元件的必要条件之一。
在典型的场致发光元件的动作条件中，向本来电阻高的有机薄膜注 入100mA/cii^左右的电流。为了实现这样高密度的电流注入，需要尽可 能地减小从阳极注入空穴的势垒和从阴极注入电子的势垒。即，作为阴 极使用功函数小的金属，相反，作为阳极必须选择功函数大的电极。关 于阴极，通过选择各种各样的金属、或者合金，实际上可以任意地控制 功函数。相对于此，在一般的发光元件中，对于阳极由于要求透明性， 因此现状是限于透明的导电性氧化物，考虑稳定性、透明度、电阻率等， 在现时，不得不选择铟-锡氣化物(以下记为ITO)所代表的几种氧化物 导电膜。ITO膜的功函数根据成膜时的过程或表面处理而某种程度地变
7化，可增大，但这样的方法有极限。这阻碍了降低空穴注入势垒。
作为降低从IT0阳极注入空穴的势垒的一个方法，已知在IT0膜上 插入緩沖层。通过将緩沖层的电离电势最优化，能够降低空穴注入势垒。 将这样的緩沖层叫做空穴注入层。作为起空穴注入层功能的代表，举出 共轭高分子。作为典型的例子，已知聚苯胺(非专利文献1)和聚漆吩 衍生物(非专利文献2)等的共轭高分子。通过使用上迷的材料作为空 穴注入层，空穴注入势垒降低，空穴被高效地注入，其结果发光元件的 效率、寿命提高，驱动电压也能降低。
这些高分子材料，只有共轭高分子不能实现充分的空穴注入性，用 于提高空穴注入性的掺杂剂是必需。作为掺杂剂，经常使用聚(苯乙烯 基磺酸)或樟脑磺酸等的强酸性物质，但这样的强酸性物质，例如在有 源矩阵型的显示装置中有给用于驱动发光元件的晶体管造成不良影响 的可能性。而且，这些高分子材料一般只溶解于水或极性高的溶剂中。 因此，将在这些溶剂中溶解上述的共轭高分子材料而制作的高分子溶液 涂布在衬底上后，需要在减压且高温下馏去高沸点的该溶剂。在该方法 中去除溶剂、特别是去除水未必容易，认为由于残留的溶剂而促进元件 的劣化。
从这样的技术背景出发，探求着不需要用于提高空穴注入性的掺杂 剂、还可溶于低沸点、即极性低的有机溶剂中的空穴注入性高分子。
非专利文献l:Y. Yang，等，Appl. Phys. Lett. 1994、 64、 1245-1247
非专利文献2: S. A. Carter,等，Appl. Phys, Lett. 1997、 70、 2067-2069
发明内容
本发明目的是提供可溶于极性低的有机溶剂、且即使不添加用于提 高空穴注入性的掺杂剂也具有高的空穴注入性的高分子体。
本发明提供有促进空穴注入功能的高分子体(聚合物或共聚物)、 以及能够作为用于合成该高分子体的材料而使用的乙烯基单体。
本发明提供用下述通式或结构式(1) ~ (5)表示的乙烯基单体。(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氩原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。)
<formula>formula see original document page 9</formula>(2)
(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取代基的芳基的任一个。)
<formula>formula see original document page 9</formula>(3)
(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，式中Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的曱硅烷基的任一
个。)Y
(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取 代基的芳基的任一个。)
(5)
本发明提供用下述通式或结构式(6) ~ (IO)表示的聚合物
(6)
(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氩 原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。 另外，n是2以上的整数。)
10(7)
(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取 代基的芳基的任一个。另外，n是2以上的整数。)
(8)
(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氢 原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。 另外，n是2以上的整数。)
(9)<formula>formula see original document page 11</formula>
(式中，Y表示氩原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取 代基的芳基的任一个。另外，n是2以上的整数。)(10)
(式中，n是2以上的整数。)
本发明提供用下述通式或结构式(11) ~ (15)表示的共聚物
(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氢 原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的曱硅烷基的任一个。 另外，R,表示氬原子或烷基。另外，R2表示无取代或有取代基的芳基、 酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、幾基羰基烷基、二芳基氨基的任一个。 另外，n和m分别是1以上的整数。)
(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有坑基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取
(11)
(12)
12代基的芳基的任一个。另外，R,表示氢原子或烷基。另外，R,表示无取 代或有取代基的芳基、酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、羟基羰基烷基、 二芳基氨基的任一个。另外，n和m分别是1以上的整数。)
(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氩 原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。 另外，R,表示氢原子或烷基。另外，R2表示无取代或有取代基的芳基、 酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、羟基羰基烷基、二芳基氨基的任一个。 另外，n和m分别是1以上的整数。)
(14)
Y
(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取 代基的芳基的任一个。另外，Ri表示氢原子或烷基。另外，Rz表示无取 代或有取代基的芳基、酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、羟基羰基烷基、 二芳基氨基的任一个。另外，n和tn分别是l以上的整数。)
13(式中，n和m分别是1以上的整数。)
在用上迷通式或结构式(1 ) ~ (5)表示的乙烯基单体中，参与聚 合的乙烯基由于与噻吩或呋喃骨架等的芳香族取代基共扼，因此显示出 聚合活性。另外，由于噻吩环、呋喃骨架、吡咯环是电子过剩型芳香杂 环，因此乙烯基的电子密度提高。因此，用上迷通式或结构式(l) ~
(5)表示的乙烯基单体，通过自由基聚合或阳离子聚合，可容易地提 供聚合物。另外，在用上述通式(l) ~ (4)表示的乙烯基单体中，通 过使式中Y为氢原子以外的取代基、例如烷基、芳基、具有烷基或芳基 作为取代基的甲硅烷基，溶解性增加。
而且，在上述的单体中，由于导入到5元环的杂环中的氧化乙彿基、 或者直接缩合的苯环，杂环的电离电势非常小，因此，该单体聚合而合 成的、用通式或结构式(6) ~ ( 15)表示的聚合物及共聚物，空穴注 入性优异。再者，式中Y是芳基时，空穴注入性进一步提高。另外，在 用通式或结构式(6) ~ ( 10)表示的聚合物中，从提高耐热性的观点 出发，n优选是10以上的整数。而且，在用通式或结构式(ll) ~ (15) 表示的共聚物中，从提高耐热性的观点出发，n和m之和优选是10以上 的整数(其中n是1以上的整数)，
特别是在用结构式(15)表示的共聚物中，通过用结构式(5)表 示的乙烯基单体、和有空穴传输性的物质乙烯基呼唑共聚，显示出更优 异的空穴注入性。再者，能够使用侧链上具有乙烯基味唑以外的芳基胺 的物质。例如举出一种物质，它是用通式(13)表示的共聚物，R,为氢 原子，R2用下述结构式(16) 、 (17)、 (18)、 (19)的任一个表示。本发明另外的构成是具有用上迷通式或结构式(6) ~ (15)表示 的聚合物、或者共聚物的发光元件。更具体讲，是将用上述通式或结构式(6) ~ (15)表示的聚合物、 或者共聚物作为空穴注入层使用的发光元件。
用上述通式或结构式(6) ~ ( 15)表示的聚合物或者共聚物，空 穴注入性优异。因此，不需要添加用于提高空穴注入性的强酸性掺杂剂。 另外，也可溶于极性低的有机溶剂(低沸点的有机溶剂)，不需要将一 般看作为促进发光元件劣化的原因物质的水等作为溶剂使用。
根据本发明，能够提供不需要添加用于促进空穴注入性的掺杂剂的 空穴注入材料。另外，能够提供可溶于极性低的有机溶剂的空穴注入材 料。因此，在使用了本发明的聚合物或共聚物的发光元件中，能够抑制 起因于水的发光元件的劣化。而且，在使用了该发光元件的有源矩阵型 的EL显示装置中，能够抑制起因于强酸性掺杂剂的晶体管的不良。
图1是说明使用了本发明的高分子体的发光元件的图。 图2是说明使用含有本发明的高分子体的层作为一部分的发光装置 的图。
图3是说明应用本发明的电子器件的图。
图4是说明本发明的发光元件的亮度-电压特性的图。
符号说明
11衬底、12阳极、13空穴注入材料、14空穴传输材料、15发光层、 16电子传输层、17阴极、401源极侧驱动电路、402像素部、403栅极 侧驱动电路、404密封衬底、405密封材料、407空间、408布线、409 FPC、 410衬底、423 n沟道型TFT、 424 p沟道型TFT、 4U开关用TFT、 412 电流控制用TFT、 413电极、414绝缘物、416层、417电极、418发光 元件、5501框体、5502支撑台、5503显示部、5511主体、5512显示部、 5513声音输入、5514操作开关、5515电池、5516影像接收部、5521主 体、5522框体、5523显示部、5524键盘、5531主体、5532触笔、5533 显示部、5534操作按钮、5535外部接口、 5551主体、5552显示部(A)、 5553目镜、5554操作开关、5555显示部(B) 、 5556电池、5561主体、 5562声音输出部、5563送话器、5564显示部、5565操作开关、5566天
线
具体实施例方式
在本实施方案中，用图1说明使用了用上述通式或结构式(6) ~
16(15)表示的化合物的发光元件的基本结构。再者，在本发明实施方案 中显示的元件结构，是在阴极和阳极间设置了空穴注入层、空穴传输层、 发光层、电子传输层的结构，但本发明并不限定于此，也可以是种种的 发光元件结构，例如也可以是阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/阴 极、阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴 极、阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/阴
子注入层/阴极等的结构。在这些发光元件中，在空穴注入层、空一穴传 输层、或发光层中能够使用上述化合物。
在图1中，11是支撑发光元件的衬底，可使用含有玻璃、石英、透 明塑料等的衬底。12是阳极，优选使用功函数大的(功函数4. OeV以上) 金属、合金、导电性化合物、以及它们的混合物等。作为阳极材料的具 体例，除了 IT0、在氧化铟中混合了 2~20%的氧化锌(Zn0)的IZO (氧 化铟锌)以外，还能使用金(Au)、柏(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、 铬(Cr )、钼(Mo )、铁(Fe )、钴(Co )、铜(Cu ) 、 4巴(Pd )、或 者金属材料的氮化物(TiN)等。
13是空穴注入材料，使用在本发明中倡导的材料、即通式或结构式
(6) ~ (15)所示的材料。M是空穴传输材料，可使用公知的材料。 作为典型的例子，是芳香族胺系化合物，例如举出4， 4'-双[N-(l-萘 基)-N-苯基氨基]联苯(以下表示为oc-NPD) 、 4, 4，， 4"-三(N，N-二 苯基氨基)三苯基胺(以下表示为TDATA) 、 4， 4，， 4"-三(N- ( 3-甲 基苯基)-N-苯基氨基)三苯基胺(以下表示为MTDATA)等的星爆(只 夕一"'一久卜)型芳香族胺化合物。15是发光层，可以是已知的材料， 除了三(8-羟基喹啉(坷乂卩乂 ，卜))合铝(以下表示为Alq3)、三
(4-甲基-8-羟基喹啉)合铝(以下表示为Almq3)、双(10-羟基苯并[n ] 唾啉酸)铍(以下表示为BeBq2)、双(2-甲基-8-轻基喹啉)-(4-羟 基联苯基)合铝(以下表示为BAlq)、双[2- (2-羟基笨基)苯并"I唑
(才《廿乂5卜)]合锌(以下表示为Zn (BOX) 2)、双[2- (2-羟基笨 基)苯并噻唑(千7乂'，卜)]合锌(以下表示为Zn (BTZ) 2)等的金 属配合物以外，各种焚光色素也有效。16是电子传输层，可使用公知材 料。具体地优选三(8-羟基喹啉(柠乂 y 乂 ，一卜))合铝配合物(以 下表示为Al(b)所代表的、具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物
17或其混合配体配合物等。而且，除金属配合物以外，还能使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1, 3， (以下表示为PBD) 、 1，
3- 双[5-(对叔丁基苯基)-l， 3, 4-嗎二唑-2-基]苯(以下表示为0XD-7) 等的嘴二唑衍生物；3- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-5- (4-联苯基)-1， 2, 4-三唑(以下表示为TAZ) 、 3- (4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基) -5- (4-联苯基)-1, 2， 4-三唑(以下表示为p-EtTAZ)等的三唑衍生 物；红菲绕啉(以下表示为BPhen)、浴铜灵(以下表示为BCP)等的 菲咯啉衍生物。
在图l表示的元件中，在这些各功能层上形成阴极17。作为阴极优 选功函数小的金属、合金、导电性化合物、以及它们的混合物等。具体 讲，除了 l族或2族的典型元素、即Li、 Cs等的碱金属、及Mg、 Ca、 Sr等的碱土类金属、以及包含它们的合金(Mg: Ag、 Al: Li )或化合物 (LiF、 CsF、 CaF2)以外，还能够使用包括稀土类金属的过渡金属形成， 但也能够通过与A1、 Ag、 ITO等的金属(包括合金)的层叠来形成。
再者，上述的阳极材料及阴极材料采用蒸镀法、溅射法等形成。
通过图1所示的发光元件的电极间通电，从阴极注入的电子和从阳 极注入的空穴复合，从而发光。
实施例1 (合成例1 )
在本合成例中，叙迷用结构式(5)表示的化合物、2-乙烯基-3,
4- 亚乙二氧基噻吩的合成。下面表示出合成流程图(a)。
在氮气氛下，在-78'C向3, 4-亚乙二氣基噻吩(13. 8g、 0. lmol) 的干燥四氢呋喃(130mL)溶液中滴加1.58N的正丁基锂的己烷溶液 (158mL、 0, lmol)。滴加结束后，在-WC搅拌"分钟。向该悬浮液 中加入干燥DMF(7. 3g、 0. lmol)之后，在45'C加热反应混合物2小时。 向反应混合物中加入约100mL的1N的HC1,再继续搅拌10分钟。用醚提取反应溶液，馏去醚。利用己烷将残渣重结晶，由此得到2-甲酰-3， 4_亚乙二氧基噻吩(合成流程图(a)中，化合物A, 13. 21g，收率84%)。 在氮气氛下，在-40'C向碘化甲基三苯基铸盐(78mmo1 )的干燥THF 溶液中滴加1. 58N的正丁基锂的己烷溶液(49mL、 78mmo1 )。滴加结束 后，冷却至-"78'C，向其中加入2-甲酰-3, 4-亚乙二氧基漆吩(合成流 程图(a)中，化合物A)的千燥THF溶液(70ml)。这之后将反应混合 物恢复至室温，搅拌24小时。用醚提取反应混合物，镏去醚。通过将 残渣用硅胶色语法(展开溶剂己烷/乙酸乙酯)精制，得到用结构式
(5)表示的2-乙烯基-3， 4-亚乙二氧基噻吩(合成流程图(a)中，化 合物B、 6.93g、收率58%)。以下表示出化合物B的NMR数椐。lH NMR
(300MHz、 CDC13) 5 6. 70 (dd、 J-ll、 18Hz、 1H) 、 6. 18 ( s、 1H)、 5. 48 (q、 J=18Hz、 1H) 、 5. 06 (d、 J-llHzlH) 、 4. 18-4. 25 (m、 4H )。 (合成例2 )
在本合成例中，说明用结构式(5)表示的2-乙烯基-3, 4-亚乙二 氧基噻吩的均聚合例。以下表示出合成流程图(b)。
在氮下，将2-乙烯基-3， 4-亚乙二氧基噻吩(1.3g)溶解于甲苯 lmL中，加入溶解于甲苯lmL中的偶氮二异丁腈(32. 8mg)。将反应溶 液在60。C放置24小时。将反应溶液投入到过量的乙醇中，过滤生成的 沉淀，千燥，由此得到对应的聚合物、聚(2-乙烯基-3, 4-亚乙二氧基 噢吩)。收得量为50mg (收率36%)。再者，该化合物在氮气氛下的分 解温度是340'C,玻璃化转变温度是158'C。电离电势是5.60eV。 (合成例3 )
在本合成例中，说明用结构式(5)表示的2-乙烯基-3， 4-亚乙二 氧基噻吩与N-乙烯基咔唑的在溶液中的共聚例。以下表示出合成流程图 (c)。在氮下，将2-乙烯基-3， 4-亚乙二氣基噻吩(0. 4隨o1 )和N-乙烯基咔唑(3. 6咖o1 )溶解于甲苯lmL中，加入溶解于甲苯lmL中的偶氮二异丁腈(0, 2咖o1 )。将反应溶液在6(TC放置24小时。将反应溶液投入到过量的甲醇中，过滤生成的沉淀，干燥，由此得到用通式(15)表示的聚合物、聚(2-乙烯基-3, 4-亚乙二氧基噻吩-共-N-乙烯基呻唑)。收得量为79mg (收率32%)。再者，该共聚物在氮气氛下的重量减少5%的温度是190'C。另外，在差示扫描热量测定(DSC测定)中，在该温度以下未显示出玻璃化转变点。(合成例4 )
在本合成例中，说明用结构式(5)表示的2-乙烯基-3， 4-亚乙二氧基噻吩与N-乙烯基呼唑的主体共聚例。以下表示出合成流程图(d)。
(d)
在氮下，向2-乙烯基-3, 4-亚乙二氧基噻吩(0. 57咖o1)和N-乙烯基呻唑(5. 24mmo1 )中加入偶氮二异丁腈(0. 29mmo1 ),在80'C进行反应48小时。采用曱醇将生成的聚合物再沉淀，由此分离出用通式U5)表示的共聚物。收得量为230mg (收率21%)。实施例2
表示出将在上述合成例中得到的共聚物作为空穴注入层使用的发光元件的制作例、以及元件特性。
在成膜于玻璃衬底上的ITO上，采用旋涂法涂布下述溶液，所迷溶液为将用结构式(15)表示的共聚物溶解于氯仿的溶液，形成共聚物膜，作为空穴注入层。在该层之上采用真空蒸镀法形成空穴传输材料N，N'-二(萘-l-基)-N， N， -二苯基联苯胺(以下记为NPB),作为空穴传输层。再真空蒸镀三(8-羟基喹啉)合铝配合物(以下记为Alq)，作为发光层。再共蒸镀Al和Li，成膜为阴极。
图4表示出如以上那样制作的发光元件的电压(V)-亮度(Cd/m2)特性。本发明的发光元件如图4中(a)所示，从4. 8V开始发光，以发光效率4. Ocd/A得到绿色发光。另一方面，可知作为高分子系空穴注入材料使用聚(N-乙烯基咔唑)、作为空穴传输材料使用NPB时，如图4中(b)所示，发光开始电压是12. 0V，用结构式(15)表示的本发明的共聚物，其发光开始电压非常低。这显示出用结构式(15)表示的结构的有用性。将作为低分子系的空穴注入层最频繁使用的铜酞菁作为空穴注入材料使用、作为空穴传输材料使用NPB时，如图4中(c)所示，发光开始电压是5, 4V。即可知，本发明的空穴注入材料显示出与铜酞菁
相同程度的空穴注入性。实施例3
在本实施例中，用图2说明在像素部具有本发明的发光元件的发光装置。图2 (A)是显示发光装置的俯视图，图2(B)是在A-A'截断图2(A)的截面图。用虛线表示的401是驱动电路部(源极侧驱动电路)，402是像素部，403是驱动电路部(栅极側驱动电路)。另外，404是密
封衬底，405,，，封:料，_用密封材料405包围_的内側成为空间407。
布线408,从外部输入端子的FPC (挠性印刷电路)409接受视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。在此，只图示了 FPC，但也可以在该FPC上安装印刷布线基板(PWB)。本实施例中的发光装置，不仅发光装置主体，也包括在其上安装了 FPC或PWB的状态的。
接着，使用图2 (B)说明截面结构。在元件衬底410上形成了驱动
21电路部及像素部，但在此，显示出作为驱动电路部的源极侧驱动电路
401、和像素部402。
源极侧驱动电路4 01形成组合了 n沟道型TFT42 3和p沟道型TFT424的CMOS电路。另外，形成驱动电路的TFT，也可以用公知的CMOS电路、PM0S电路或NM0S电路形成。另外，在本实施方案中，显示出在衬底上形成了驱动电路的驱动一体型，但未必有此需要，也可以不在衬底上而是在外部形成。
另外，像素部402采用包含开关用TFT411、电流控制用TFT412和与其漏电极电连接的第1电极413的多个像素形成。覆盖第1电极413的端部形成绝缘物414。在此，通过使用正型的感光性丙烯酸树脂膜来形成。
另外，为了使覆盖率良好，在绝缘物414的上端部或下端部形成有曲率的曲面。例如作为绝缘物414的材料，使用正型的感光性丙烯酸树脂时，优选只使绝缘物414的上端部具有有曲率半径(0. 2的曲面。另外，作为绝缘物414,通过感光性的光而成为对蚀刻剂不溶性的负型、或者通过光而成为对蚀刻剂溶解性的正型均能使用。
在第1电极413上分别形成含有发光物质的层"6、及第2电极417。在此，作为用作为起阳极功能的第1电极"3的材料，希望使用功函数大的材料。例如除了 IT0 (氧化铟锡)膜、氧化铟锌(IZO)膜、氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、Pt膜等单层膜以外，还可使用氮化钛与以铝为主成分的膜的叠层、氣化钛膜与以铝为主成分的膜与氮化钛膜的3层结构等。制成叠层结构时，作为布线的电阻也低，可取得良好的欧姆接触，进而能起阳极功能。
另外，含有发光物质的层416，采用使用蒸镀掩模的蒸镀法、或者喷墨法形成。在含有发光物质的层416中，将本发明的有机化合物用作为其一部分。除此以外，作为能用于含有发光物质的层416的材料，可
以是低分子系材料，也可以是高分子系材料。另外，作为在含有发光物质的层416中使用的材料，通常大多情况下以单层或叠层使用有机化合物，但在本实施例中，也包括在含有有机化合物的膜的一部分中使用无机化合物的构成。
在想要得到包括多种色彩的显示图像时，利用掩模、隔壁层等，分别将发光色不同的逐个分开，形成含有作为发光物质的本发明的有机化
22合物的层。在该情况下，在各个含有呈现发光色的发光物质的层中也可以具有不同的叠层结构。
而且，作为在形成于含有发光物质的层416上的第2电极(阴极)417中使用的材料，使用功函数小的材料(Al、 Ag、 Li、 Ca、或者它们的合金MgAg、 Mgln、 Al-Li、 CaF2、或CaN)即可。在含有发光物质的层416中发生的光透过第2电极417的情况，作为第2电极(阴极)417，优选使用将膜厚减薄了的金属薄膜、与透明导电膜(IT0(氧化铟锡))、氧化铟氧化锌合金(In203-ZnO)、氧化锌(Zn0等)的叠层。
而且，通过用密封材料405将密封衬底404与元件衬底410贴合，就成为在用元件衬底410、密封衬底404、及密封材料405包围的空间407中具备了发光元件418的结构。在空间407中，除了填充惰性气体
(氮或氩等)的情况以外，也包括用密封材料405填充的构成。
密封材料405优选使用环氧系树脂。另外，优选这些材料是尽可能不透过水分或氧的材料。另外，作为用于密封衬底404的材料，除了玻璃衬底或石英衬底以外，还能使用包含FRP (玻璃丝增强塑料)、PVF
(聚氟乙烯)、聚酯薄膜(^J，-)、聚酯或丙烯酸树脂等的塑料村底。
实施例4
在本实施例中，用图3说明应用了本发明的电子器件。通过应用本发明，例如在下迷所示的电子设备中，能够得到抑制了起因于水或强酸性物质的不良的、良好的显示图像。
图3U)是显示装置，包括框体5501、支撑台5502、显示部5503。通过将实施例3所示的发光装置装入显示装置中，就能完成显示装置。
图3(B)是摄象机，采用主体55U、显示部5512、声音输入5513、操作开关5514、电池5515、影像接收部5516等构成。通过将实施例3所示的发光装置装入摄象机中，就能完成显示装置。
图3 (C)是应用本发明制作的笔记本型的个人计算机，采用主体5521 、框体5522、显示部5523、键盘5524等构成。通过将实施例3所示的发光装置装入个人计算机中，就能完成显示装置。
图3 (D)是应用本发明制作的掌上电脑(PDA),在主体"31上设置着显示部5533、外部接口 5535、操作按钮5534等。另外，作为操作用的附属品有触笔5532。通过将实施例3所示的发光装置装入掌上电脑(PDA)中，就能完成显示装置。
图3 (E)是数字照相机，采用主体5551 、显示部(A) 5552、目镜5553、操作开关5554、显示部(B) 5555 、电池5556等构成。通过将实施例3所示的发光装置装入数字视频照相机中，就能完成显示装置。
图3 (F)是应用本发明制作的便携电话。在主体5561上设置着显示部5564、声音输出部5562、送话器5563、操作开关5565、天线5566等。通过将实施例3所示的发光装置装入便携电话中，就能完成显示装置。
如上述，实施本发明得到的发光装置，也可以作为各种的电子设备的显示部使用。
权利要求
1. 一种用通式(3)表示的乙烯基单体，其中，X表示氧原子和硫原子的任一个；且Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。
2.—种用通式(4)表示的乙烯基单体，<formula>formula see original document page 2</formula> (4)其中，Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基 的曱硅烷基的任一个；且Z表示氢原子、烷基、和无取代或有取代基的芳基的任一个。
3.—种用通式(6)表示的聚合物，<formula>formula see original document page 2</formula> (6)其中，X表示氧原子和疏原子的任一个;Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基的曱硅 烷基的任一个；且n是1以上的整数。
4. 权利要求3所述聚合物，其中，X是硫原子且Y是氢原子。
5. —种用通式(7)表示的聚合物，<formula>formula see original document page 3</formula> (7)其中，Y表示氪原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基 的甲硅烷基的任一个；Z表示氢原子、烷基、和无取代或有取代基的芳基的任一个；且 n是l以上的整数。
6.—种用通式(8)表示的聚合物，其中，X表示氧原子和硫原子的任一个；Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个；且n是1以上的整数。
7.—种用通式(9)表示的聚合物，其中，Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基 的甲硅烷基的任一个；Z表示氢原子、烷基、和无取代或有取代基的芳基的任一个；且 n是1以上的整数。
8. —种发光元件，其具有权利要求3 ~ 7任一项所述的聚合物。
9. 权利要求8所述的发光元件，其中， 所述发光元件包含空穴注入层，且 所述聚合物被提供于所迷空穴注入层中。
10. —种用通式(11 )表示的共聚物，<formula>formula see original document page 4</formula><formula>formula see original document page 4</formula> (11)其中，X表示氧原子和疏原子的任一个；Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基的甲硅 烷基的任一个；R,表示氢原子或烷基；R2表示无取代或有取代基的芳基、酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、羟基羰基烷基、和二芳基氨基的任一个；且 n和m分别是l以上的整数。
11.一种用通式(12)表示的共聚物，<formula>formula see original document page 5</formula>(12)其中，Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基 的甲硅烷基的任一个；Z表示氢原子、烷基、和无取代或有取代基的芳基的任一个； R,表示氢原子或烷基；R2表示无取代或有取代基的芳基、酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、 羟基羰基烷基、和二芳基氨基的任一个；且 n和m分别是1以上的整数。
12.—种用通式(13)表示的共聚物，<formula>formula see original document page 5</formula>(13)其中，X表示氧原子和疏原子的任一个；Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基的甲硅 烷基的任一个；R,表示氢原子或烷基；Ra表示无取代或有取代基的芳基、酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、 羟基羰基烷基、和二芳基氨基的任一个；且 n和m分别是1以上的整数。
13. —种用通式(14)表示的共聚物，其中，Y表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基 的甲硅烷基的任一个；Z表示氢原子、烷基、和无取代或有取代基的芳基的任一个； R,表示氢原子或烷基；R2表示无取代或有取代基的芳基、酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、 羟基羰基烷基、和二芳基氨基的任一个；且 n和m分别是1以上的整数。
14. 一种用结构式(15 )表示的共聚物，<formula>formula see original document page 6</formula> (15)其中，n和m分别是l以上的整数。
15. —种发光元件，其具有权利要求10~14任一项所述的共聚物。
16. 权利要求15所述的发光元件，其中， 所述发光元件包含空穴注入层，且 所述聚合物被提供于所述空穴注入层中。
17. —种电子器件，其包括权利要求9和15任一项所迷的发光元件。
18. 权利要求17所述电子器件，其中，所迷电子器件选自显示装 置、笔记本型个人计算机、掌上电脑、照相机和便携电话。
全文摘要
本发明涉及乙烯基单体和由该单体衍生的高分子体。本发明的目的是提供可溶于极性低的有机溶剂、另外即使不添加用于提高空穴注入性的掺杂剂也具有高的空穴注入性的高分子体。为此，本发明提供用右述通式(1)表示的乙烯基单体。式中，X表示氧原子(O)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。本发明还涉及使用该高分子体的发光装置。
文档编号C08F28/06GK101469000SQ20081018370
公开日2009年7月1日 申请日期2004年7月9日 优先权日2003年7月28日
发明者濑尾哲史, 野村亮二, 高须贵子 申请人:株式会社半导体能源研究所