一种ttr混合基用bopet的制作方法
【专利摘要】本发明属于BOPET领域，具体涉及一种TTR混合基用BOPET。该BOPET产品，厚度为4.3微米，由基料和纳米硅母料制备而成；其中基料含量为50%~65%。本发明相较于现有技术中使用的4.5微米过渡产品，通过纳米硅添加剂的使用，降低了薄膜的粗糙度，使TTR打印噪音大幅降低，可低于89分贝；所制备的BOPET产品的热稳定性、剥离性、洁净度及对涂布溶剂的表面适应性等各项性能更适于TTR混合基高速涂布专用。
【专利说明】—种TTR混合基用BOPET
【技术领域】
[0001]本发明属于BOPET (双向拉伸聚酯薄膜)领域，具体涉及一种TTR (热转印色带)混合基用BOPET。
【背景技术】
[0002]目前，在TTR混合基高速涂布中使用的BOPET—般为电容器专用或为生产电容器专用BOPET的4.5微米过渡产品，没有TTR混合基高速涂布专用4.3微米BOPET。电容器用BOPET的4.5微米过渡产品从原料到工艺，全是针对电容器膜的耐击穿、绝缘等性能，无法满足TTR混合基高速涂布所需要的热稳定性、涂布后低噪音等性能要求。
【发明内容】
[0003]本发明目的在于提供一种TTR混合基高速涂布专用4.3微米BOPET。
[0004]本发明的技术方案如下:
一种TTR混合基用Β0ΡΕΤ，厚度为4.3微米，由基料和纳米硅母料制备而成；
所述基料为PET，即聚对苯二甲酸乙二醇酯；
所述纳米硅母料为聚对苯二甲酸乙二醇酯与纳米SiO2的混合物，其中纳米SiO2的粒径为 100nnT500nm，含量为 300(T8000ppm。
[0005]所述TTR混合基用Β0ΡΕΤ，以质量百分比计，基料含量为50%飞5%。
[0006]所述TTR混合基用Β0ΡΕΤ，以质量百分比计，基料含量为55%。
[0007]需要说明的是，为更好的制备4.3微米的Β0ΡΕΤ，制备本发明TTR混合基高速涂布专用4.3微米的BOPET的生产线上的相关生产设备由奥地利安德里茨公司所生产，所引进的生产设备在MDO (纵向拉伸)、TD0 (横向拉伸)区域相较于国内设备能够更好的满足生产所需。
[0008]本发明相较于现有技术中使用的4.5微米过渡产品，通过纳米硅添加剂的使用，降低了薄膜的粗糙度，使TTR打印噪音大幅降低，可低于89分贝；所制备的BOPET产品的热稳定性、剥离性、洁净度及对涂布溶剂的表面适应性等各项性能更适于TTR混合基高速涂布专用。
【具体实施方式】
[0009]下面结合实施例对本发明做进一步的介绍说明。
[0010]实施例1
按基料与纳米硅母料=5:5的质量比进行配制，所述基料为聚对苯二甲酸乙二醇酯；所述纳米硅母料为聚对苯二甲酸乙二醇酯与纳米SiO2的混合物，其中纳米SiO2的粒径为IOOnm~500nm,含量为 5000ppm。
[0011]将配制好的原料经混合、干燥后，进入挤出机在280°C温度下进行原料熔融，首先将熔融后原料经过5 μ m高精度过滤器过滤后，在T型模头挤出并在急冷辊冷却，后经过MDO55°C ^76°C的预热后，进行3.65倍纵拉和TDO的4.1倍横拉，在TDO横拉末段进行冷却结晶处理，然后再经过切边、收卷等工序收成半成品，最后经分切、包装后，成为TTR混合基高速涂布专用4.3微米BOPET成品。
[0012]对本实施例制备的BOPET成品进彳丁分切，成品优等级品率可达89%,涂布A级品率可达83%。
[0013]对本实施例制备的TTR混合基高速涂布专用4.3微米BOPET成品的主要物化指标测定如下表所示:
【权利要求】
1.一种TTR混合基用BOPET，其特征在于，厚度为4.3微米，由基料和纳米硅母料制备而成；
所述基料为聚对苯二甲酸乙二醇酯； 所述纳米硅母料为聚对苯二甲酸乙二醇酯与纳米SiO2的混合物，其中纳米SiO2的粒径为 100nnT500nm，含量为 3000-8000ppm。
2.如权利要求1所述TTR混合基用Β0ΡΕΤ，其特征在于，以质量百分比计，基料含量为50%飞5%。
3.如权利要求2所述TTR混合基用Β0ΡΕΤ，其特征在于，以质量百分比计，基料含量为55%。
【文档编号】C08L67/02GK103554854SQ201310550219
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年11月8日 优先权日:2013年11月8日
【发明者】李东升, 韩冰冰, 李加坤, 李娟
申请人:河南卓立膜材料股份有限公司