包含具有碳碳多重键的树脂的钝化膜形成用组合物的制作方法
【专利摘要】本发明的课题是提供使电绝缘性、耐热性、耐溶剂性、干法回蚀特性同时实现的钝化膜。作为解决本发明课题的手段涉及一种钝化膜形成用组合物，其包含具有下述式(i)：(式中，T0表示磺酰基、氟代亚烷基、环状亚烷基、具有取代基的亚芳基、或可以具有取代基的亚芳基与氟代亚烷基或环状亚烷基的组合。)的单元结构的聚合物，在该聚合物的末端、侧链、或主链具有至少一个具有式(2-A)、式(2-B)或这两种结构的基团。聚合物可以具有下述式(1)的单元结构。AA式
【专利说明】包含具有碳碳多重键的树脂的钝化膜形成用组合物
【技术领域】
[0001]本发明涉及绝缘膜。更详细地说，涉及在形成IC芯片等半导体制品、光学系制品等叠层体的工序中，用于保护使用TSV(Through Silicon Via)技术而形成的晶片背面的电极的钝化膜。
【背景技术】
[0002]近年来，随着便携电话、IC卡等电子设备的高功能化、小型化，要求半导体器件的高集成化、安装面积的小面积化、利用布线间距离的缩小来降低布线电阻。作为其方法，研究了将半导体元件间在纵向上堆起来的堆栈结构。
[0003]作为堆栈结构的制作方法的一例，可举出将形成有半导体元件的晶片薄化，然后使用各向异性干蚀刻等技术来设置贯通孔(Through Silicon Via, TSV技术)，向该贯通孔填充铜等导电材以在背面形成电极，然后在形成了电极的晶片背面形成钝化膜，与形成有其它半导体元件的芯片或晶片表面电接合的工序。
[0004]在上述工序中，晶片背面所形成的绝缘膜同时需要防止电流泄漏、导电材料迁移等的电绝缘性，用于将钝化膜形成后的电极部进行开口的光刻工序中的耐溶剂性、良好的干法回蚀特性，电极接合工序中的耐热性等。
[0005]此外作为公知的钝化膜，可举出苯并环丁烯树脂、聚酰亚胺、全芳香族聚醚等。
[0006]然而，苯并环丁烯树脂在光刻工序中的干法回蚀时需要使用氟系气体，对电极、晶片带来破坏。此外在200°C左右的固化(cure)温度时不能充分地进行交联反应，得不到良好的耐溶剂性。
[0007]另一方面，有聚酰亚胺的成膜温度为300°C以上的高温、由于由固化时的膜收缩而产生的残留应力而对薄化了的晶片带来破坏的问题。
[0008]此外，全芳香族聚醚由于没有热交联部位因此耐溶剂性缺乏，此外树脂的软化点低，因此有在电极接合时树脂熔融的问题。
[0009]公开了例如在使玻璃基材含浸了有机硅树脂的无机系绝缘基板上，形成了包含30体积％~45体积％的聚醚醚酮树脂粉末和热固性树脂的底涂膜的厚膜技术用基板(专利文献I)。
[0010]公开了包含具有由聚酰亚胺形成的主链且末端带有具有碳碳三键的官能团的聚合物，柔性印刷布线基板用的粘接剂等的被覆物(专利文献2)。
[0011]公开了包含具有包含苯基、脲、酰胺基等和具有碳碳三键的官能团的主链的聚合物的粘接剂组合物等的被覆物(专利文献3)。
[0012]公开了包含含有具有磺酸基的聚醚醚砜、聚醚醚酮的聚合物的粘接剂组合物等的被覆物(专利文献4)。
[0013]现有技术文献
[0014]专利文献
[0015] 专利文献1:日本特开2009-070875号公报[0016]专利文献2:国际公开第2006-137369号小册子
[0017]专利文献3:日本特开2010-065097号公报
[0018]专利文献4:日本特开2005-264008号公报
【发明内容】
[0019]发明所要解决的课题
[0020]本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的是提供使电绝缘性、耐热性、耐溶剂性、干法回蚀特性同时实现的钝化膜形成用组合物。
[0021]用于解决课题的方法
[0022]本发明中，作为第I观点，是一种钝化膜形成用组合物，其包含具有下述式(i)所示的单元结构的聚合物，
[0023]-
【权利要求】
1.一种钝化膜形成用组合物，其包含具有下述式α)所示的单元结构的聚合物，
2.一种钝化膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的单元结构的聚合物，
3.根据权利要求1或2所述的钝化膜形成用组合物，所述亚芳基为亚苯基、亚萘基或亚蒽基。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的钝化膜形成用组合物，所述聚合物为具有I种单元结构的均聚物。
5.根据权利要求1~3的任一项所述的钝化膜形成用组合物，所述聚合物为具有至少2种单元结构的共聚物。
6.根据权利要求2~5的任一项所述的钝化膜形成用组合物，其包含具有L1为下述式(3)所示的基团时的所述式(1)所示的单元结构、L1为下述式(4)所示的基团时的所述式(1)所示的单元结构、或这些单元结构的组合的聚合物，
7.根据权利要求2~6的任一项所述的钝化膜形成用组合物，其包含具有T1为下述式(5)所示的基团时的所述式(I)所示的单元结构、T1为下述式(6)所示的基团时的所述式(1)所示的单元结构、或这些单元结构的组合的聚合物，
8.根据权利要求6所述的钝化膜形成用组合物，在所述式(3)中，R1为至少包含氰基的基团，nl表示I~4的整数。
9.根据权利要求6所述的钝化膜形成用组合物，在所述式(4)中，L2表示磺酰基或羰基。
10.根据权利要求1~9的任一项所述的钝化膜形成用组合物，其包含进一步具有式(7)所示的单元结构的聚合物，
11.根据权利要求1~10的任一项所述的钝化膜形成用组合物，所述亚芳基为亚苯基、亚萘基或亚蒽基。
12.根据权利要求10或11所述的钝化膜形成用组合物，T3表示式(8)所示的基团，
13.根据权利要求6~11的任一项所述的钝化膜形成用组合物，具有叔碳原子的基团为叔丁基。
14.根据权利要求1~12的任一项所述的钝化膜形成用组合物，聚合物的重均分子量为 500 ~5，000，000。
15.根据权利要求1~14的任一项所述的钝化膜形成用组合物，其进一步包含溶剂。
16.一种钝化膜，其为将权利要求1~15的任一项所述的钝化膜形成用组合物涂布于基板并烘烤而获得的。
17.根据权利要求16所述的钝化膜，其用作保护形成于晶片的IC电路的膜。
18.根据权利要求16所述的钝化膜，其用作保护形成于晶片背面的电极的膜。
【文档编号】C08G75/23GK103946271SQ201380003965
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2013年2月8日 优先权日:2012年2月9日
【发明者】田村护, 荻野浩司, 榎本智之 申请人:日产化学工业株式会社