具有潜在荧光材料的四苯乙烯四三唑锌配合物及其制备方法

文档序号:8293992阅读:282来源:国知局
具有潜在荧光材料的四苯乙烯四三唑锌配合物及其制备方法
【专利说明】具有潜在荧光材料的四苯乙烯四三唑锌配合物及其制备方 法
[0001]
技术领域
[0002] 本发明属于有机和无机合成技术领域,涉及述四苯乙烯四三唑锌配合物 [Zn(L) 2 (SCN) 2] (I)(L= 1,1,2, 2-四[4- (1H-1,2, 4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯)的制 备方法及作为潜在的荧光材料的应用。
【背景技术】
[0003] 1,2, 4-三唑及其衍生物兼有吡唑和咪唑的配位特点,是配位能力较强的桥连配 体,目前已合成并表征了大量的单核、多核和多维化合物。这些配体能够以1,2位上的氮原 子与金属离子配位形成NI,N2-桥连模式,对于4位未取代的1,2, 4-三唑衍生物能通过2, 4 位上的氮原子形成N2,M-桥连模式,这种N2,M-桥连模式同金属酶中咪唑的NI,N3-桥连 模式类似。对于三唑类化合物的特殊用途还表现在分子器件化的设计上,合成具有不同维 数的金属配合物乃是完成器件化至关重要的一步。
[0004] 本发明即是采用"常温挥发法",即L、ZnCl2 ? 6H20和NH4SCN在CHC13、CH30H、水和 DMF的混合溶剂中搅拌半小时后过滤,滤液常温挥发两周后得到适合X-射线单晶衍射的无 色块状晶体[Zn(L) 2 (SCN) 2] (I)(L= 1,1,2, 2-四[4- (1H-1,2, 4-三氮唑-1-基)苯基] 乙烯)。该配合物还可作为潜在的荧光材料方面得以应用。

【发明内容】

[0005] 本发明的另一个目的在于提供一种四苯乙烯四三唑锌配合物[Zn(L)2(SCN)2] (1) (L= 1,1,2, 2-四[4-(1H-1, 2, 4-二氮唑-1-基)苯基]乙烯)单晶及其制备方法。
[0006] 为此本发明人提供了如下的技术方案: 四苯乙烯四三唑锌配合物[Zn(L)2(SCN)2] (1)仏=1,1,2,2-四[4-(111-1,2,4-三氮 唑-1-基)苯基]乙烯)的结构基元如图1所示。
[0007] 本发明进一步公开了四苯乙烯四三唑锌配合物[Zn(L)2(SCN)2] (I)(L= 1,1,2, 2-四[4-(1H-1,2, 4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯)单晶,其特征在于该单晶结构采 用APEXIIC⑶单晶衍射仪,使用经过石墨单色化的Moka射线(入=0.71073A)为入射 辐射,以《_2 〃扫描方式收集衍射点,经过最小二乘法修正得到晶胞参数,从差值傅立叶 电子密度图利用SHELXL-97直接法解得单晶数据: 表1.配合物1的晶体学数据
【主权项】
1. 四苯乙烯四三唑锌配合物[Zn(L)2(SCN)2] (1)的结构基元如图1所示: L= 1,1,2, 2-四[4-(1H-1,2, 4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯。
2. 权利要求1所述四苯乙烯四三唑锌配合物的单晶,其特征在于该单晶结构采用APEX IIC⑶单晶衍射仪,使用经过石墨单色化的Moka射线(入=0.71073A)为入射辐射,以 ?_2 〃扫描方式收集衍射点,经过最小二乘法修正得到晶胞参数,从差值傅立叶电子密度 图利用软件解出单晶数据: 表1.配合物1的晶体学数据
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3. 权利要求1所述四苯乙烯四三唑锌配合物[Zn(L) 2(SCN)2] (1)(L= 1,1,2, 2-四 [4-(1H-1,2, 4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯)的制备方法,其特征在于它是采用"常温挥发 法",即L、ZnCl2 *640和NH4SCN在CHC13、CH30H、水和DMF的混合溶剂中搅拌半小时后过滤, 滤液常温挥发两周以制备该配合物
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4. 权利要求1所述四苯乙烯四三唑锌配合物[Zn(L) 2(SCN)2] (1)(L= 1,1,2, 2-四 [4-(lH-l,2, 4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯)作为潜在的荧光材料方面的应用。
【专利摘要】本发明公开了具有潜在荧光材料的四苯乙烯四三唑锌配合物及其制备方法,其中四苯乙烯四三唑锌配合物[Zn(L)2(SCN)2](1)的结构基元如图1所示。同时还公开了[Zn(L)2(SCN)2](1)(L=1,1,2,2-四[4-(1H-1,2,4-三氮唑-1-基)苯基]乙烯)的制备方法。它是采用“常温挥发法”,即L、ZnCl2和NH4SCN在CHCl3、CH3OH、水和DMF的混合溶剂中搅拌半小时后过滤,滤液常温挥发两周后得到适合X-射线单晶衍射的无色块状晶体。本发明进一步公开了四苯乙烯四三唑锌配合物作为潜在的荧光材料方面的应用。
【IPC分类】C07F3-06, C09K11-06
【公开号】CN104610291
【申请号】CN201510087996
【发明人】王英
【申请人】天津师范大学
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2015年2月26日
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