一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物的制作方法

文档序号:8467955阅读:444来源:国知局
一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于光半导体LED反射基体材料,特别涉及一种高耐热抗黄变热 固性环氧组合物。
【背景技术】
[0002] 随着技术日益进步,光半导体LED及电子器件被运用到越来越多的领域,随着光 半导体技术的发展和用户不断提升的需要,光半导体LED的功率持续增加,体积也在逐渐 变小,这对材料的稳定性和可靠性的要求越来越高。
[0003] 传统工艺使用的聚邻苯二甲酰胺PPA材料,由于其存在高温耐受性差,抗紫外能 力弱,容易黄变的问题,并且还存在与金属粘结力差,容易吸水的缺点,不能保证元器件长 期稳定可靠,因此只用用于低于1瓦功率元器件上。而PCT材料是在其基础上发展而来的 新一代热塑性光反射基体材料,虽然在耐热抗黄变方面比PPA材料性能有所增强,但在更 大功率元器件,如2瓦以上使用时,稳定性仍然不能满足要求。

【发明内容】

[0004] 本发明的目的在于提供一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,具有更高的耐热性 和优异的抗黄变性能,可提高光半导体LED反射基体在长时间高温工作下,保持高反射率 和可靠性。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006] -种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,由以下质量百分比计的组分混合制成:
[0007] 分子式为式I所示的环氧树脂5-20%,固化剂5-25%,固化促进剂0. 2% -1. 2%, 内脱模剂〇. 〇 1 % -2 %,颜填料50-88 %,偶联剂0. 01 % -2 %,抗氧剂0.01%-2.3%,其中颜 填料由无机填料与白色颜料按照1-4:1的质量比的组成;
[0008]
【主权项】
1. 一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,其特征在于,由w下质量百分比计的组分混 合制成: 分子式为式I所示的环氧树脂5-20%,固化剂5-25%,固化促进剂0. 2% -1. 2%,内脱 模剂0. 01 % -2 %,颜填料50-88 %,偶联剂0. 01 % -2 %,抗氧剂0.01%-2.3%,其中颜填料 由无机填料与白色颜料按照1-4:1的质量比的组成;

2. 根据权利要求1所述的一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,其特征在于;所述固 化剂为氨化甲基纳迪克酸酢。
3. 根据权利要求1所述的一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,其特征在于;所述固 化促进剂选自1,8-二氮杂-二环化4, 0)十一碳締-7、2-己基-4甲基咪挫、S苯基磯中 的一种或几种。
4. 根据权利要求1所述的一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,其特征在于;所述内 脱模剂选自硬脂酸、硬脂酸巧、硬脂酸锋、硬脂酸侣、氧化聚己締蜡、栋桐蜡中的一种或几 种。
5. 根据权利要求1所述的一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,其特征在于;所述无 机填料选自结晶型娃微粉、烙融型娃微粉、球形娃微粉、碳酸巧、氨氧化侣、氨氧化儀、娃灰 石、碳酸领、水滑石中选取一种或几种的组合,无机填料的粒径控制在0. 01-50微米。
6. 根据权利要求1所述的一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,其特征在于;所述白 色颜料选自铁白粉、氧化锋、氧化侣、氧化儀、硫化锋中的一种或几种,白色颜料的粒径控制 在0.01-8微米。
7. 根据权利要求1所述的一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,其特征在于;所述偶 联剂选自硅烷偶联剂KH-550、硅烷偶联剂KH-560、己締基=甲氧基硅烷、铁酸醋、侣铁酸醋 中的一种。
8. 根据权利要求1所述的一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,其特征在于;所述抗 氧剂选自2, 6-二叔了基对甲酪、S苯基亚磯酸醋、二苯基烷基亚磯酸醋中的一种或几种。
9. 如权利要求1所述的高耐热抗黄变热固性环氧组合物的制备方法,其特征在于,包 括如下步骤: (1) 将无机填料、白色颜料、部分抗氧剂和偶联剂在高速混合机中高速2000-2200转/ min混合5-lOmin,慢速500-600转/min混合20-30分钟得到前混料,混合过程的温度控制 在 50°C-13(TC; (2) 将前混料与内脱模剂混合均匀得预混料; (3) 将环氧树脂、部分固化剂W及固化促进剂混合后进行在l〇〇°C-120°C预固化捏合 10-30分钟得预固化物; (4) 将预混料、预固化物、剩余的抗氧剂、剩余的固化剂及固化促进剂混合均匀后,加热
【专利摘要】本发明公开了一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物,由以下质量百分比计的组分混合制成:分子式为式Ⅰ所示的环氧树脂5-20%,固化剂5-25%,固化促进剂0.2%-1.2%,内脱模剂0.01%-2%,颜填料50-88%,偶联剂0.01%-2%,抗氧剂0.01%-2.3%,其中颜填料由无机填料与白色颜料按照1-4:1的质量比的组成。本发明具有更高的耐热性和优异的抗黄变性能,可提高光半导体LED反射基体在长时间高温工作下,保持高反射率和可靠性。
【IPC分类】C08K9-06, C08L63-00, C08G59-42, H01L33-60, C08G59-26, C08K9-04, C08K13-06
【公开号】CN104788899
【申请号】CN201510019294
【发明人】何强, 徐贵平, 邹湘坪
【申请人】合复新材料科技(无锡)有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年1月14日
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