一种硅晶片清洗剂及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅晶片清洗剂，其原料按重量份包括：氢氧化钠3?9份、无水碳酸钠2?8份、偏硅酸钠3?9份、乙二胺四乙酸二钠5?8份、琥珀酸二辛酯磺酸钠2?6份、OP?10 2?5份、十二烷基苯磺酸钠4?9份、全氟己基乙酸盐表面活性剂3?9份、10?三氟甲氧基癸烷磺酸钠2?7份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵1?4份、吐温80 4?9份、聚乙二醇3?6份、三乙醇胺1?3份、正丁醇2?5份、异丙醇1?4份、去离子水10?20份。本发明还提出上述的硅晶片清洗剂的制备方法。本发明具有优异的清洗效果。
【专利说明】
一种硅晶片清洗剂及其制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种清洗剂，尤其涉及一种硅晶片清洗剂及其制备方法。
【背景技术】
[0002]硅晶片具有良好的光电效应，是太阳能电池的主要材料。但在其加工过程中，往往一些有机物以金属杂质附着在硅晶片表面影响其工作性能，降低太阳能的转化效率，故必须保持硅晶片表面清洁。传统用于硅晶片的清洗剂是采用强酸或强碱等强腐蚀性的化学试剂，单一的强酸或强碱无法达到很好的清洗效果，因此亟需开发一种具有优异清洗效果的硅晶片清洗剂来满足。
【发明内容】
[0003]为解决【背景技术】中存在的技术问题，本发明提出一种硅晶片清洗剂及其制备方法，制备得到的硅晶片清洗剂具有优异的清洗效果。
[0004]本发明提出的一种硅晶片清洗剂，其原料按重量份包括:氢氧化钠3-9份、无水碳酸钠2-8份、偏硅酸钠3-9份、乙二胺四乙酸二钠5-8份、琥珀酸二辛酯磺酸钠2-6份、0P-102-5份、十二烷基苯磺酸钠4-9份、全氟己基乙酸盐表面活性剂3-9份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠2-7份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵1-4份、吐温80 4-9份、聚乙二醇3_6份、三乙醇胺1-3份、正丁醇2-5份、异丙醇1-4份、去离子水10-20份。
[0005]优选地，氢氧化钠、无水碳酸钠、偏娃酸钠和乙二胺四乙酸二钠的重量比为4-8: 3-7:4-8:6-7o
[0006]优选地，乙二胺四乙酸二钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠和吐温80的重量比为6-7:3-5:5-8。
[0007]优选地，0P-10、十二烷基苯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠和全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵的重量比为2.5-4.5: 5-8: 4-8: 3-6: 2-3 0
[0008]优选地，其原料按重量份包括:氢氧化钠4-8份、无水碳酸钠3-7份、偏硅酸钠4-8份、乙二胺四乙酸二钠6-7份、琥珀酸二辛酯磺酸钠3-5份、0P-103-4份、十二烷基苯磺酸钠5-8份、全氟己基乙酸盐表面活性剂4-8份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠3-6份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵2-3份、吐温80 5-8份、聚乙二醇4-5份、三乙醇胺1.5-2.5份、正丁醇3-4份、异丙醇2-3份、去离子水12-18份。
[0009]优选地，其原料按重量份包括:氢氧化钠6份、无水碳酸钠5份、偏硅酸钠6份、乙二胺四乙酸二钠6.5份、琥珀酸二辛酯磺酸钠4份、0P-10 3.5份、十二烷基苯磺酸钠6.5份、全氟己基乙酸盐表面活性剂6份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠4.5份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵2.5份、吐温80 6.5份、聚乙二醇4.5份、三乙醇胺2份、正丁醇3.5份、异丙醇2.5份、去呙子水15份。
[0010]本发明的一种硅晶片清洗剂的制备方法，包括如下步骤:
[0011 ] S1、制备碱性溶液:将氢氧化钠溶解在去离子水中得到氢氧化钠溶液，然后将无水碳酸钠和偏硅酸钠加入到氢氧化钠溶液中，搅拌均匀后得到碱性混合溶液；
[0012]S2、制备溶液A:在SI得到的碱性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二钠混合均匀得到溶液A;
[0013]S3、制备溶液B:将十二烷基苯磺酸钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵和去离子水混合均匀，得到溶液B;
[0014]S4、制备溶液C:将聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和异丙醇混合均匀得到溶液C;
[0015]S5、制备硅晶片清洗剂:将溶液B和溶液C混合均匀，再加入溶液A和去离子水，混合均匀后得到硅晶片清洗剂。
[0016]本发明的一种硅晶片清洗剂，其原料包括氢氧化钠、无水碳酸钠、偏硅酸钠、乙二胺四乙酸二钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、0P-10、十二烷基苯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵、吐温80、聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇、异丙醇和去离子水，其中以氢氧化钠作为强性碱，以无水碳酸钠和偏硅酸钠作为碱性盐，以乙二胺四乙酸二钠作为螯合剂，能够将溶液中的金属离子铁和金属离子铝等变成大分子除去;添加的吐温80作为乳化剂，琥珀酸二辛酯磺酸钠作为渗透剂，尤其对坚硬的硅晶片表面具有良好的清洗能力，还具有良好的生物降解性和极低的生理毒性，清洗后不易在硅晶片表面形成残留物;在氢氧化钠的作用下，进一步促进洗涤过程中的乳化性能，并经过过氧化氢化硅晶片表面的污物，使硅晶片表面始终处于有利清洗的状态，加之采用聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和异丙醇作为溶剂，由于与水具有很好的共溶性，故能加速和增加对污染物的清洗，提高了清洗效果。本发明制备方法简单，制备得到的硅晶片清洗剂的清洗效果好。
【具体实施方式】
[0017]下面结合具体实施例对本发明做出详细说明，应当了解，实施例只用于说明本发明，而不是用于对本发明进行限定，任何在本发明基础上所做的修改、等同替换等均在本发明的保护范围内。
[0018]【具体实施方式】中，氢氧化钠的重量份可以为3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份;无水碳酸钠的重量份可以为2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份;偏硅酸钠的重量份可以为3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份；乙二胺四乙酸二钠的重量份可以为5份、5.5份、6份、6.5份、7份、7.5份、8份;琥珀酸二辛酯磺酸钠的重量份可以为2份、3份、4份、5份、6份;0P-10的重量份可以为2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份、5份;十二烷基苯磺酸钠的重量份可以为4份、4.5份、5份、5.5份、6份、6.5份、7份、7.5份、8份、8.5份、9份;全氟己基乙酸盐表面活性剂的重量份可以为3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份;10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠的重量份可以为2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份、5份、5.5份、6份、6.5份、7份;全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵的重量份可以为I份、1.5份、2份、2.5份、3份、3.5份、4份；吐温80的重量份可以为4份、4.5份、5份、5.5份、6份、6.5份、7份、7.5份、8份、8.5份、9份;聚乙二醇的重量份可以为3份、3.5份、4份、4.5份、5份、5.5份、6份;三乙醇胺的重量份可以为I份、1.5份、2份、2.5份、3份；正丁醇的重量份可以为2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份、5份；异丙醇的重量份可以为I份、1.5份、2份、2.5份、3份、3.5份、4份;去尚子水的重量份可以为10份、11份、12份、13份、14份、15份、16份、17份、18份、19份、20份。
[0019]实施例1
[0020]本发明提出的一种硅晶片清洗剂，其原料按重量份包括:氢氧化钠6份、无水碳酸钠5份、偏硅酸钠6份、乙二胺四乙酸二钠6.5份、琥珀酸二辛酯磺酸钠4份、0P-10 3.5份、十二烷基苯磺酸钠6.5份、全氟己基乙酸盐表面活性剂6份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠4.5份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵2.5份、吐温80 6.5份、聚乙二醇4.5份、三乙醇胺2份、正丁醇3.5份、异丙醇2.5份、去离子水15份。
[0021]本发明的一种硅晶片清洗剂的制备方法，包括如下步骤:
[0022]S1、制备碱性溶液:将氢氧化钠溶解在去离子水中得到氢氧化钠溶液，然后将无水碳酸钠和偏硅酸钠加入到氢氧化钠溶液中，搅拌均匀后得到碱性混合溶液；
[0023 ] S2、制备溶液A:在SI得到的碱性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二钠混合均匀得到溶液A;
[0024]S3、制备溶液B:将十二烷基苯磺酸钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵和去离子水混合均匀，得到溶液B;
[0025]S4、制备溶液C:将聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和异丙醇混合均匀得到溶液C;
[0026]S5、制备硅晶片清洗剂:将溶液B和溶液C混合均匀，再加入溶液A和去离子水，混合均匀后得到硅晶片清洗剂。
[0027]实施例2
[0028]本发明提出的一种硅晶片清洗剂，其原料按重量份包括:氢氧化钠3份、无水碳酸钠8份、偏硅酸钠3份、乙二胺四乙酸二钠8份、琥珀酸二辛酯磺酸钠2份、0P-10 5份、十二烷基苯磺酸钠4份、全氟己基乙酸盐表面活性剂9份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠2份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵4份、吐温80 4份、聚乙二醇6份、三乙醇胺I份、正丁醇5份、异丙醇I份、去离子水20份。
[0029]本发明的一种硅晶片清洗剂的制备方法，包括如下步骤:
[0030]S1、制备碱性溶液:将氢氧化钠溶解在去离子水中得到氢氧化钠溶液，然后将无水碳酸钠和偏硅酸钠加入到氢氧化钠溶液中，搅拌均匀后得到碱性混合溶液；
[0031]S2、制备溶液A:在SI得到的碱性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二钠混合均匀得到溶液A;
[0032]S3、制备溶液B:将十二烷基苯磺酸钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵和去离子水混合均匀，得到溶液B;
[0033]S4、制备溶液C:将聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和异丙醇混合均匀得到溶液C;
[0034]S5、制备硅晶片清洗剂:将溶液B和溶液C混合均匀，再加入溶液A和去离子水，混合均匀后得到硅晶片清洗剂。
[0035]实施例3
[0036]本发明提出的一种硅晶片清洗剂，其原料按重量份包括:氢氧化钠9份、无水碳酸钠2份、偏硅酸钠9份、乙二胺四乙酸二钠5份、琥珀酸二辛酯磺酸钠6份、0P-10 2份、十二烷基苯磺酸钠9份、全氟己基乙酸盐表面活性剂3份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠7份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵I份、吐温80 9份、聚乙二醇3份、三乙醇胺3份、正丁醇2份、异丙醇4份、去离子水10份。
[0037]本发明的一种硅晶片清洗剂的制备方法，包括如下步骤:
[0038]S1、制备碱性溶液:将氢氧化钠溶解在去离子水中得到氢氧化钠溶液，然后将无水碳酸钠和偏硅酸钠加入到氢氧化钠溶液中，搅拌均匀后得到碱性混合溶液；
[0039 ] S2、制备溶液A:在SI得到的碱性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二钠混合均匀得到溶液A;
[0040] S3、制备溶液B:将十二烷基苯磺酸钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵和去离子水混合均匀，得到溶液B;
[0041 ] S4、制备溶液C:将聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和异丙醇混合均匀得到溶液C;
[0042]S5、制备硅晶片清洗剂:将溶液B和溶液C混合均匀，再加入溶液A和去离子水，混合均匀后得到硅晶片清洗剂。
[0043]实施例4
[0044]本发明提出的一种硅晶片清洗剂，其原料按重量份包括:氢氧化钠4份、无水碳酸钠7份、偏硅酸钠4份、乙二胺四乙酸二钠7份、琥珀酸二辛酯磺酸钠3份、0P-10 4份、十二烷基苯磺酸钠5份、全氟己基乙酸盐表面活性剂8份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠3份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵3份、吐温80 5份、聚乙二醇5份、三乙醇胺1.5份、正丁醇4份、异丙醇2份、去离子水18份。
[0045]本发明的一种硅晶片清洗剂的制备方法，包括如下步骤:
[0046]S1、制备碱性溶液:将氢氧化钠溶解在去离子水中得到氢氧化钠溶液，然后将无水碳酸钠和偏硅酸钠加入到氢氧化钠溶液中，搅拌均匀后得到碱性混合溶液；
[0047]S2、制备溶液A:在SI得到的碱性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二钠混合均匀得到溶液A;
[0048]S3、制备溶液B:将十二烷基苯磺酸钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵和去离子水混合均匀，得到溶液B;
[0049]S4、制备溶液C:将聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和异丙醇混合均匀得到溶液C;
[0050]S5、制备硅晶片清洗剂:将溶液B和溶液C混合均匀，再加入溶液A和去离子水，混合均匀后得到硅晶片清洗剂。
[0051 ] 实施例5
[0052]本发明提出的一种硅晶片清洗剂，其原料按重量份包括:氢氧化钠8份、无水碳酸钠3份、偏硅酸钠8份、乙二胺四乙酸二钠6份、琥珀酸二辛酯磺酸钠5份、0P-10 3份、十二烷基苯磺酸钠8份、全氟己基乙酸盐表面活性剂4份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠6份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵2份、吐温80 8份、聚乙二醇4份、三乙醇胺2.5份、正丁醇3份、异丙醇3份、去离子水12份。
[0053]本发明的一种硅晶片清洗剂的制备方法，包括如下步骤:
[0054]S1、制备碱性溶液:将氢氧化钠溶解在去离子水中得到氢氧化钠溶液，然后将无水碳酸钠和偏硅酸钠加入到氢氧化钠溶液中，搅拌均匀后得到碱性混合溶液；
[0055]S2、制备溶液A:在SI得到的碱性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二钠混合均匀得到溶液A;
[0056]S3、制备溶液B:将十二烷基苯磺酸钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵和去离子水混合均匀，得到溶液B;
[0057]S4、制备溶液C:将聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和异丙醇混合均匀得到溶液C;
[0058]S5、制备硅晶片清洗剂:将溶液B和溶液C混合均匀，再加入溶液A和去离子水，混合均匀后得到硅晶片清洗剂。
[0059]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种硅晶片清洗剂，其特征在于，其原料按重量份包括:氢氧化钠3-9份、无水碳酸钠2-8份、偏硅酸钠3-9份、乙二胺四乙酸二钠5-8份、琥珀酸二辛酯磺酸钠2-6份、OP-1O 2-5份、十二烷基苯磺酸钠4-9份、全氟己基乙酸盐表面活性剂3-9份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠2-7份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵1-4份、吐温80 4-9份、聚乙二醇3_6份、三乙醇胺1-3份、正丁醇2-5份、异丙醇1-4份、去离子水10-20份。2.根据权利要求1所述的硅晶片清洗剂，其特征在于，氢氧化钠、无水碳酸钠、偏硅酸钠和乙二胺四乙酸二钠的重量比为4-8:3-7:4-8:6-7。3.根据权利要求1或2所述的硅晶片清洗剂，其特征在于，乙二胺四乙酸二钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠和吐温80的重量比为6-7: 3-5: 5-8 ο4.根据权利要求1-3任一项所述的硅晶片清洗剂，其特征在于，0P-10、十二烷基苯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠和全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵的重量比为2.5-4.5: 5-8: 4-8: 3-6: 2-3。5.根据权利要求1-4任一项所述的硅晶片清洗剂，其特征在于，其原料按重量份包括:氢氧化钠4-8份、无水碳酸钠3-7份、偏硅酸钠4-8份、乙二胺四乙酸二钠6-7份、琥珀酸二辛酯磺酸钠3-5份、0P-10 3-4份、十二烷基苯磺酸钠5-8份、全氟己基乙酸盐表面活性剂4-8份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠3-6份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵2-3份、吐温80 5-8份、聚乙二醇4-5份、三乙醇胺1.5-2.5份、正丁醇3-4份、异丙醇2-3份、去离子水12-18份。6.根据权利要求1-5任一项所述的硅晶片清洗剂，其特征在于，其原料按重量份包括:氢氧化钠6份、无水碳酸钠5份、偏硅酸钠6份、乙二胺四乙酸二钠6.5份、琥珀酸二辛酯磺酸钠4份、OP-1O 3.5份、十二烷基苯磺酸钠6.5份、全氟己基乙酸盐表面活性剂6份、I O-三氟甲氧基癸烷磺酸钠4.5份、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵2.5份、吐温80 6.5份、聚乙二醇4.5份、三乙醇胺2份、正丁醇3.5份、异丙醇2.5份、去离子水15份。7.—种根据权利要求1-6任一项所述的硅晶片清洗剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: S1、制备碱性溶液:将氢氧化钠溶解在去离子水中得到氢氧化钠溶液，然后将无水碳酸钠和偏娃酸钠加入到氢氧化钠溶液中，搅拌均匀后得到碱性混合溶液； S2、制备溶液A:在SI得到的碱性混合溶液中加入乙二胺四乙酸二钠混合均匀得到溶液A； S3、制备溶液B:将十二烷基苯磺酸钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、全氟己基乙酸盐表面活性剂、10-三氟甲氧基癸烷磺酸钠、全氟己基乙基甲基二羟乙基碘化铵和去离子水混合均匀，得到溶液B; S4、制备溶液C:将聚乙二醇、三乙醇胺、正丁醇和异丙醇混合均匀得到溶液C; S5、制备硅晶片清洗剂:将溶液B和溶液C混合均匀，再加入溶液A和去离子水，混合均匀后得到娃晶片清洗剂。
【文档编号】C11D3/20GK105907489SQ201610268016
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】项涛, 项武
【申请人】安庆友仁电子有限公司