专利名称：：液晶介质和液晶显示器的制作方法
技术领域：
：本发明涉及液晶介质以及涉及含有这些介质的液晶显示器，尤其涉及有源矩P车寻址的显示器，更特别涉及4a^向列(TN)、平面切换(IPS)或边缘场切换(FFS)型的显示器。
背景技术：
：液晶显示器(LCD)用于信息显示的许多领域。LCD用于直一见显示^用于投影型显示器。所用的电光模iU:，例如，M向列(TN)、超4a^向列(STN)、光学4hf尝弯曲(0CB)和电控双折射(ECB)模式以及^门的树变体、和其它。所有这些模式利用差o^上与a或液晶M直的电场。除了这些模式，还有利用^Mi与l^il液晶层平行的电场的电爐式，例如，平面切换(IPS)模式(例如，^iHf于DE4000451和EP0588568)和边缘场切换(FFS)模式，其中存在强"ii^场"，即接近于电M的强电场，^4A^:(cell)的、具有强垂直^i:和水平分量的电场。后面两种电^式特别用于现代台式监视器的LCD并意图用于电视^M^多^^应用的显示器。本发明的液晶M用于这类显示器。通常，具有相当低的介电各向异li值的介电正性液晶介质用于FFS显示器，但絲些情况下具有仅仅约3或更低的介电各向异性的液晶介质也用于IPS显示器。对于这些显示器，要求具有^ii性能的新型液晶介质。对许多类型的应用而言寻址时间特别必须得到醋。因此，要求具有更j^占度(T！)、尤其pl^f氐旋转粘度(YJ的液晶介质。特别是对于监视器应用，旋转粘紐该为80mPa's或更低，M60mPas或更低，且特别M55mPa.s或更低。除了这些^^t，介质还必须具有合适^l和位置的向列相范围以a宜的双折射率(厶n)，且介电各向异性(As)应当足够高以允if^理低的,电压。△s应当M大于2，且非常M大于3，^a怖&不大于25，JL特别不大于20，因为il将防止至少相当高的电阻率。对于作为笔i2^用显示器的应用或其它移动应用而言，旋转粘度应当M为120mPas或更低，JL特别他^为100mPa.s或更低。介电各向异li(△s)》b^:应当M大于8JX^i^大于12。本发明的显示H^it过有源矩阵(有源矩阵LCD，简称为AMD)寻址，优i&tit^膜晶体管(TFT)的矩阵。然而，本发明的液晶显示H^可以有利地用于具有其它已知寻址方式的显示器中。存在各种不同的^^]低分子量液晶材料与聚*材料的复合本系的显示器模式。这些是，例如，如W091/05029中所乂>开的聚#沐液晶(PDLC)、向列曲糊P'J相(NCAP)和聚a网络(PN)体系，或轴对##(:畴(ASM)体系及其它。与这些相反，才娥本发明而尤M选的模式^^JM面上取向的液晶介质自身。这些表面通常被预处理以实现液晶材料的均匀排列。本发明的显示器模式^t使用与复合层l^平行的电场。适合于LCD、且尤其适合于IPS显示器的液晶组合物例如从JP07-181439(A)、EP0667555、EP0673986、DE19509410、DE19528106、DE19528107、WO96/23851和WO96/28521已知。^a是，这些组^具有严重的铣氛。^ii些缺陷中，它们的大多数不利地导致长的寻址时间、具有不充分的电阻賴和/或要^it高的辦电压。另外,还需要絲LCD的4&显行为。，性能以;SJi有储存期的^^jH^blL必要的。因此，极其需要具有用于实际应用的合适性能的液晶介质，所述合适的性能例如宽的向列相范围、对应于所用的显示器类型的合适的光学各向异性厶n、高的厶e、以;5UC其为了尤其短的响应时间的^^占度。
发明内容令人惊奇地，现已发现能够获得具有合适高的厶s、合适的相范围和An，妙显示、或至少仅姊絲少的禾l^tJ^示贿技术的材料的缺点的液晶介质。本发明的这些a的液晶介质包舍-一种或多种介电正性的式IA的4^^，一种或多种介电正性的式IB的^^/和一种或多种介电正性的式IC的^^<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>z"至z"toUf虫立iik^示-CH2CH厂，~cf2cf2-，-coo~,反"Oh:h-,反-cfk:f-,-csc-,_ch2o-，-CF20-或賴，^t-CH2CH2-，~coo~，反-cih:h-或j^:，特别^-CF2(K^4#，且非常m^，L"和I/^Dtb^立i^示H,F或C1，优选H或F，M—个或两个、JX^i^两个都表示F，X'表示H或F，且f表示CH2或0，优选012，以及一^i^一种或多种选自式n和m的^^物的化^#:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>或F，艇L21、L22、L"和l/2;^匕独立g示H或F，L"和/或C^4示F,y和X3;feW^f虫立i4^示卤素、具有1至3个碳原子的卤代^iW^基、或具有2或3个碳原子的囟代埽^烯氧基，优选F、Cl、-OCF3或"CF3，非常F、Cl或-OCF3，Z3表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO"、>^~CH=CH-、反-CF《F-、-0120-或,，>fti^~CH2CH2-、-C00~、反-CH《H-或賴，非常^it"COO-，^^CH-CH-或轉，以及m表示O、l或3，她1或3，JUl^i^1，以及n表示O、1、2或3，舰l、2或3，JX^J^1,且在X2不表示F的情况下，m也可以表示2，—ii^一种或多种式IV的^^;R"和R"被此独立地具有上述式n中对于R2所述的含义，优选R"表示;^和R"表示^Mit!U^者R41表示烯#R"表示M,其中,和u两次，它们^UfotM虫立地，表示toM虫立地，并且若14Z"和Z"彬b^立地，MZ"出现两次，^jDI^f虫立地，表示-CH2CH广，-COO-，^^-CH-CH-，反-CF-CF-，-CH20-，~CF20-、-C三C-或，，M它们中的一个或多个表示，，且p表示0、1或2,M0或1。式IA、IB、IC、11和111的化*优选为介电正性^^物，优选具有大于3的介电各向异t生。式IV的化^7舰为介电中性^^，她具有-1.5至3的介电各向异性。本发明的介质^lfe^H"青况下包^-"种或多种具有大于3的介电各向异性的式IA、IB和IC的介电正性4^^，且其中#^具有上狄I中所述的相应含义。本发明的液晶介质M包含总计1至30%、5至25%式IA的化^,1至30%、他42至20y。式IB的化合物，和1至30%、M2至20%式IC的化^。单一^^物以1至20%、M1至15%的浓)^使用。尤其是，如^使用两种或更多种同系化合物、即相同式的化洽物的#—情况下，该限制适用。如果仅使用式所迷^^物的单一物质，即仅仅一种同系化洽物，其浓度范围可为2至20%,皿3至14%。介质中式IA、IB和IC的化^称的浓度M为10%至50%的范围，更M12°/。至40%的范围，甚至更^15°/。至35°/。的范围，非常M20%至30%的范围，最M23。/。至30y。的范围。如絲介质中^JU各自式IA、IB和/或IC的单一同系^^，其^^^舰1%至20%的范围，如絲介质中^^I各自式IA、IB和/或IC的两种或更多种同系>(^^，则<^]1%至15%的单一同系4^^。在本发明的舰实施方案中，本发明的介质在^Hf况下包^-"种或多种式IA的^^，其选自式IA-1至IA-12的^^/,to式IA-2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>其中，Ri具有上^Al中所表示的含义。在本发明的M实施方案中，本发明的介质在#~"情况下包t种或多种式IB的化合物，其选自式IB-l至IB-13的4^物，M式IB-1和/或IB-2和/或IB-6和/或IB-13:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>旧-13FF其中，R'具有上i^iUB中所表示的含义。在本发明的他逸实施方案中，本发明的介质在^""情况下包^"种或多种式IC的化合物，其选自式IC-l至IC-3的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>其中，W具有上狄IC中所表示的含义。除了选自式IA至IC、或它们优选的子式的^^物的^^"卜，本发明的介质包^~种或多种介电各向异性大于3的介电正性^^/,其选自式n和in。^^发明的m实施方案中，本发明的介质包^^-种或多种选自式n-i至II-4的化合物的化合物，皿式II-1和/或II-2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中参数具有上述式n所述的相应含义，且l"和l"彬匕独立j4^示h或f，舰l"表示f,且具有对于^而给出的含义之一，JUt式ii-l和ii-4的情况下，f^^i4示F或0CF3，尤^逸f,且在式ii-3的情况下，厂o和；fetM虫立^^示或O,其中排除式IA、IB和IC的^^^，和/或选自式ffl-1和in-2的化M:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>其中，^!fc具有上iiiun中所给出的含义。在优选的实施方案中，本发明的介质另外或除式m-i和/或m-2的化a"卜，还包^~~种或多种式111-3的^^7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>其中，参数具有上i^斤述的相应含义，且^:l/和L32;fc^虫立且独立于其它Wt表示H或F。本发明的介质^it包^"^t或多种选自式n-l至II-4的^^的^^;，其中L"和1/2和/或L"和L24两者表示F。在M的实施方案中，介质包^"^种或多种选自式II-2和II-4的化合物的其中L2、L22、L"和L24都表示F。介质M包^"种或多种式n-i的4b^物。式n-1的化^^teit自式n-la至II-lf的4^#:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>其中^:具有Jii^斤述的相应含义，且L23、L24、L"和L26;fctb^立iU虫立于其它#^,表示H或F，未式II-la、n-lb和II-lc中，L"和L22两者都表示F,在式n-ld和n-le中，L"和L"两者都表示F，和/或L"和L24两者都表示F,以及在式n-if中，l21、l"和l25表示f且l26表示h。尤^te的式ii-i的化^是<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>其中，R2具有Jii^斤述的含义。^h质to包^-种或多种式n-2的4^物，^i^自式n-2a至n-2j<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>其中参数具有Jii^斤述的相应含义，且L"至1^匕独立地表示H或F，优选L"和L28两者都表示H，尤M^L26表示H，且其中排除式IA、IB和IC的^^。本发明的介质M包^-种或多种选自式n-ia至n-ij的化M的化合物，其中L"和L22两者都表示F和/或L"和L24两者都表示F。在他迄的实施方案中，本发明的介质包^~~种或多种选自式II-2a至II-2j的4^物的^^物，其中L21、L22、L"和L"都表示F。尤，逸的式II-2化^是下列式的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>其中W和X2具有Jii^斤述的含义，且X2^t4示F，且其中排除式IA、IB和IC的4^^。本发明的介质M包^"种或多种式II-3的化合物，^iiit自式II-3a至II-3c的化^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>其中^t具有以上所述的相应含义，且L"和L22微两者都表示F，且其中排除式IA、IB和IC的^^。在to的实施方案中，本发明的介质包^""种或多种式n-4的^^，优选式II一4a，—U-4aFF其中^lt具有以上所给出的含义，且X2^4示F或0CF3,尤^itF。本发明的介质M包^^种或多种式HI-1的化合物，^i^自式III-la和m-lb的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>其中R3具有上i^斤述的含义。本发明的介质优选包^"种或多种式m-ib的化合物，其优选选自式m-lb-1至m-lb-4的化合物的组，M式m-lb-4:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>其中R3具有上i^斤述的含义。本发明的介质M包^-"种或多种式m-2的4^物，^i^先自式in-2a至m-2j的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>其中##1具有上文所给出的含^iL优选其中^t具有上文所述的相应含义，且錄L33、IAL"和L"tok^虫立并独立于其它錄，表示H或F。本发明的介质优选包含一种或多种式ni-2a的化合物，其优选选自式m-2a-l至lII-2a-5的^^/:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>其中R3具有上i^斤述的含义。本发明的介质优选包含一种或多种式III-2b的化合物，其优选选自式ffl-2b-l和m-2b-2的4^物，M式III-2b-2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>其中R3具有上i^斤述的含义。本发明的介质优选包含一种或多种式m-2c的化合物，其优选选自式m匿2c-l至III-2c-5的^^M:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>其中R3具有上文所述的含义。本发明的介质M包^""种或多种选自式m-2d和lll-2e的4化物的4^物，^itit自式m-2d-l和in-2e-l的4^物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>其中R3具有Jii^斤述的含义。本发明的介质优选包^—种或多种式ni-2f的化合物，其优选选自式m-2f-l至lII-2f-5的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>其中R3具有上i^斤述的含义。本发明的介质优选包^"种或多种式m-2g的化合物，其优选选自式IU<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>其中R3具有上i^斤述的含义。本发明的介质优选包^—种或多种式in-2h的化*，其优选选自式m-2h-l至lII-2h-3的化合物，M式III-2h-3:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>lll-2h-3其中^:具有上i^斤给出的含义，且X3^^示F。本发明的介质优选包^"种或多种式m-2i的化合物，其优选选自式IU-2i-l和m-2i-2的化合物，优选式m-2i-2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>其中Wt具有Jii^斤给出的^^义，且X3^4示F。本发明的介质优选包^—种或多种式III-2j的化合物，其优选选自式ffl-2;1-1和111-21]'-2的化^4勿，M式III-2j-l:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>其中員具有Jli^斤给出的含义。另外或除了式m-i和/或m-2的卩^物，本发明的介质还可以包^^种或多种式m-3的化#<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>其中参数具有Jii:式in中所述的相应含义。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>III-3这些^^^itii自式m-3a和in-3b:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>其中R3具有上i^斤述的含义。川-3b本发明的液晶介质M包含介电中'l^且分，組分C。该组分具有-l,5至3范围的介电各向异性。它舰包括介电各向异！^^-l.5至3范围的介电中性化合物，更mi要由它们组成，甚至更^i^上由它们组成，尤^te完全由它们桑誠。该组^^包^"-种或多种介电各向异I"錄-l.5至3范围的式IV的介电中性^r^物，更^fti^i要由它们组成，甚至更^J-^上由它们组成，非常M完全由它们组成。介电中'H^且分，组分C，M包^""种或多种选自式IV-l至式IV-6的化合物的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>其中R"和R"具有以上式IV中所述的相应含义，且在式IV-1、IV-5和IV-6中R"^^4示^il烯基，^#基，且R"^4示^4il烯基，^^，在式IV-2中R"和R"^^4示^iL在式IV-4中R"^^4示^il烯基，更优介电中性组分，组分C，她包—种或多种选自式IV-1、IV-4、IV-5和IV-6的化合物的^^，M—种或多种式IV-1的^^和一种或多种选自式IV-4和IV-5的化洽物，更^t每个式IV-1、IV-4和IV-5的一种或多种^S^，且非常^i^^—式IV-1、IV-4、IV-5和IV-6的一种或多种^^的。在M的实施方案中，本发明的介质包^-种或多种式IV-5的化合物，更^f^i^自式CCP-V-n和/或CCP-nVi和/或CCP-Vn~m的其相应子式，更M式CCP-V-n和/或CCP-V2-n，且非常^^i^自式CCP-V-l和CCP-V2-1。这些缩写(首字，略词)的定义在下表D中说明或由表A至C而言是显而易见的。在同^H^的实施方案中，本发明的介质包^"种或多种式IV-1的4^^，更^i^自式CC-n"m、CC-n-V、CC-n-Vm、CC-V-V、CC-V-Vn和/或式CC-nV-Vm的其相应的子式，更M式CC-n-V和/或CC-n-Vm，且非常^^it自式CC-3-V、CC-4-V、CC-5-V、CC-3-VI、CC-4-Vl、CC-5-Vl、CC-3-V2和CC-V-VI的組。这些缩写(首字，略词)的定义同样在下表D中说明或由表A至C中显而易见的。在本发明进一步怖&的可以与前面的相同或不同的实施方案中，本发明的液晶濕^b包^^且分C，该组分C包含选自如上所述的式IV-1至IV-6的式IV的^^和任选的式IV-7至IV-13的化合物的组的式IV的化合物，所述组分C优^i要由它们组成，非常M完全由它们组成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>其中R"和R";fet匕独立g示具有1至7个减原子的M^、；^IL基、氟^^!Umi^，具有2至7个麟子的烯基、烯緣^Jitti^W基，以及i;表示H或F。在怖&的实施方案中，本发明的介质包^—种或多种式IV-8的化合物，更^iti^自式CPP-3-2、CPP-5-2和CGP-3-2的其相应子式，更M式CPP-3-2和/或CGP-3-2，且非常尤^i4式CPP-3-2。这些缩写(首字，略词)的定#下表d中说明或由表a至c是显而易见的。本发明的液晶介质M包^^种或多种式V的^g^;Z"和Z52,tobl虫立地，MZ51出现两次，它们^Ltob^立地，表示-CH2CH广，-coo-，^^ch<h-，《j~cf=cf-，-ch2(k-cf20-或^^:，*它们中的一个或多个表示械且r表示O、1或2,M0或1，特别Ml。式V的^^她为具有-1.5至3的介电各向异f生的介电中性^^。本发明的介质M包^"种或多种选自式V-1和V-2的化合物的化^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>V-1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>V-2其中R"和R"具有上述式V中所述的相应含义，且R"伏i^^示烷基，式V-1中，R"^^4示烯基，优选-(CH2)2-CH-CH-CH3，iL在式V-2中R52>^^示^&il烯基，^-((^2)2-01=CH2或-(CH》2-CH=CH-CH3。本发明的介质M包^"种或多种选自式V-1和V-2的化合物，在所i^V-l和V-2中R"伏i44示n-M,結式V-1中R52^^示烯基，且在式V-2中R"^4示n-絲。在他逸的实施方案中，本发明的介质包^^种或多种式V-1的4^物，更^i^其子式PP-n-2Vm的化合物，甚至更优选式PP-1-2V1的4^物。这些缩写(首字，略词)的定义示于下表D中或由表A至CU而易见的。在M的实施方案中，本发明的介质包^""种或多种式V-2的化合物，更优选其子式PGP-n-m、PGP-n-2V和PGP-n-2Vm的化合物，甚至更优选子式PGP-3"fli、PGP-n-2V和PGP-n-Vl，非常^i4i^自式PGP-3-2、PGP-3-3、PGP-3-4、PGP-3-5、PGP-1-2V、PGP-2-2V和PGP-3-2V。这些缩写(首字辦略词)的定义示于下表D中或由表A至CA^而易见的。另外或除了式II和/或III的化洽物，本发明的介质可以包^-种或多种式VI的介电正性4t^<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>VI其中，R6表示具有1至7个^f、子的M、^H^、^^^^^^li^，具有2至7个^^f、子的烯基、烯KJ^、^HJ^il^f^^基，且^^^烯基，或L"和L";fcH^虫立;^示H或F,优选L"表示F，以及X6表示卤素、具有1至3个喊原子的卤代^^4il;^基、或具有2或3个碳原子的卤代烯M烯氧基，优选F、Cl、-0CF3或"CF"非常优选F、Cl或-OCF"<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>q表示0或1。本发明的介质to包^-种或多种式VI的化合物，^Li^自式VI-l和VI<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>其中^t具有Jii^斤述的相应含义,且械L。和L";fcH^虫立J^虫立于其它錄，表示H或F，且Z6^44示-CH2-CH厂。式VI-1的^r^^^i^自式VI-la和VI-lb的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>其中R6具有上i^斤述的含义。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>式VI-2的化^b^i&逸自式VI-2a至VI-2d的化^;:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>其中R6具有上i^斤述的含义。另夕卜，本发明的液晶介质可以包^""种或多种式vn的^^<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>「或F,Z"和Z72船l^虫立g示-CH2CH厂、~C00-、^^CH-CH-、^~CF=CF-、~CH20-、-CF20-或,，怖逸它们中的一个或多个表示牟建，且非常优选两者都表示单健，t表示0、l或2，M0或1，更Ml,和X'具有上iiiUl中对于f所述的含义，或另夕卜，独立于R7，可以具有对于R7所述的含义之一。式vn的^f^^M为介电正性^^。另外，本发明的液晶介质可以包^""种或多种式VIII的^^,81,82O)~~R82v川#巾，R"和R82被此独立地具有上述式II中对于R2所述的含义，、表示A8145<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>Z"和Z82;fetb独立地x^示-CH2CH2-、~C00-、^j~CH-CH-、A"CF-CF-、~CH20-、-CF20"或,，优选它们中的一个或多个表示牟睫，且非常怖&两者都表示单键，L"和1/2勸匕独立#示C-F或N，优^L"和L82中的一个或两个表示C-F，且非常to两者都表示C-F，以及s表示0或1。式vni的^n^7她为介电负性^^。本发明的介质舰包^-"种或多种式Vffl的化絲，^选自式vni"i至vin"3的^*<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>VIII-3其中R"和R"具有上ii^Vin中所述的相应含义。在式VII卜1至VIII"3中，R"^i^示n-^4ill-E-烯基，且R82^44示n-本发明的液晶介质to包^^种或多种选自式IA、IB、ic和n至vin的^^7，舰式IA、IB、IC和n至VII的4^^，且更舰式IA、IB、IC和n、m和/或iv和/或vi的化合物。它们特别优^i要由这些4^^组成，甚至更Ei^本由这些^^组成，且非常M完全由这些^^7组成。本申请中，与组M有关的"包含"意指相应的实体，即介质或组分，优选以10%或更多、更优选20%或更多的总包含所述一种组分或多种组分或一种^^7或多种^^。^匕方面，"主要由……《M;，意指相应的实体包含55%或更多、絲60%或更多、且非常优选70%或更多的所述一种组分或多种组分或一种^^物或多种^^;。&匕方面，"M由……《线"意指相应的实体包含80%或更多、M90°/。或更多、且更优选95^或更多的所述一种组分或多种组分或K^物或多种扭匕方面，"实际完全由……细威"或"完全由……《1^"意指相应的实体包含98%或更多、99°/。或更多、且更怖急100%的所述一种组分或多种组分或一种4^^或多种^^;。.胡硇接别的主AH化j^^;可以^fi^ILi^右糸litlut太鬼胡中^^J。这勒b^对于;M页域技^^员是7^的。本发明的液晶介质^4具有60"C或更高的澄清点，更舰65C或更高，特别M70t:或更高，且非常特别优选75X:或更高。^^发明^h质的向列相M至少从ox:或更^f^^伸至70'c或更高，更^E少从-20X:或更低至751C或更高，非常M至少从-30匸或更低至75'C或更高，且特别至少从-4ox:或更低至8ox:或更高。47本发明液晶介质的Ae，在1kHz和20t:下，>^4是2或更高，更优选4或更高，且非常te6或更高。厶s特别她25或更小，并縣一些艇实施方案中她20或更小。本发明液晶介质的An，在589nm(Na。)和20C下，优i^A在0.070或更大到0.150或更小的范围，更^i^0.080或更大到0.140或更小的范围，甚至更M在0.090或更大到0.135或更小的范围，且非常特别在0.100或更^J'J0.130或更小的范围。^申请的舰实施方案中，本发明液晶介质的厶nf6it^0.080或更大，更MQ.Q9Q或更大。在本发明的优选实施方案中，液晶介质的An优M在0.090或更大到0.120或更小的范围，更f^泉0.095或更;U'J0.115或更小的范围，且非常M在0.100或更大到0.105或更小的范围，同时，△s优i^l在5或更;U!Jll或更小的范围，M在6或更WjIO或更小的范围，特别M在7或更大到9或更小的范围。在该实施方案中，本发明介质的向列相^i^少从-2(TC或更寸gU^伸到70t:或更高，更to至少从-20。c或更伯測70x:或更高，非常M至少从-3o匸或更^f)J70"C或更高，特别至少从-4ox:或更^^95X:或更高。^^发明的佐选实施方案中，本发明液晶介质的An^^0.080或更大到O.1300或更小，且Ae是7或更大至25或更小。才l^t本发明，式IA、IB和IC的化^;在介质中M以整个';^^物的1。/0至50%、更*1%至30%、甚至更M2/。至30°/。且非常皿3%至30%的总浓度饥选自式n和m的^^优逸以整个';^^物的2%至60%、更优选3%至35%，甚至更M4%至20%且非常优逸5%至15%的总浓度偵月。式lV的化^^te以整个^^^的5%至70%、更他^20%至65%，甚至更优选30%至60%且非常优选40%至55%的总浓度使用。式V的4t^to以整个:;^^的0%至30%、更优选0%至15。/。且非常M1%至10%的总浓^^吏用。式VI的化r^优选以整个》l^物的0%至50°/。、更M1%至40°/。、甚至更优选5/。至30%且非常优选10%至20%的总浓度使用。本发明的介质可以<链包含其它的液晶^^以便调节物理性能。这类化*对于;^页域技^^员是^^的。它们在本发明的介质中的浓度优选0%至30%，更_优&0.1%至20%，且非常怖逸1%至15%。在M的实施方案中，本发明的介质中式CC-3-V化^的的^LA50%至65%,特别條55%至60%。^^发明的另-^实施方案中，本发明的介质中式CC-3-V化合物的M是10%至35%,特别优选11%至25。/。且非常特别优选12%至20°/。。液晶^h质M包^^总共50%至100%，更M70°/。至100%,最皿80%至100%，特别地90%至100%的式IA、IB、IC和II至VII的4^物，所述^^^it自式IA、IB、IC和II至VI的^ft^，特别M式IA、IB、IC和II至V的^^，特别是式iA、ib、ic、n、m、iv、v和vn的^^，且非常特别M式ia、ib、ic、n、m、iv和v的化a。它们^^i要由这些^^组成，且更优选实际上完全由这些4^^组成。在M的实施方案中，在备lt况下的液晶介质包^il些式的每个式的一种或多种4^物。在本申请中，术语"介电正性"表示其中Ae〉3.0的化《^或组分，"介电中性，，表示其中-l.5<△s<3.0那些，"介电负性"表示其中△s<-1.5的那些。△e在频率lkHz和20。C下测定。^^物的介电各向异f生以相应单一^^物在向列主体^^的中的10%溶液的结果确定。如^目应^^在向列主体^^^中的溶解度低于10%，则i^l减少至5。/。。在具有垂面排列的#具有沿面排列的盒中测定^/^的电容。两类盒的盒厚度为约20|am。施&的电压是具有lkHz频率和均方才艮值(effectivevalue)典型地为0.5V至1.OV的矩形波，但其总是净^^#(氐于相应^^物的电容阈值。△e定义为(sll-s丄)，同时e化是(e1l+2s丄)/3用于介电正性^^的主体^^是^^ZLI-4792,用于介电中'脉介电负性4t^物的是"^物ZLI-3086，两者都来自德国的MerckKGaA。化合物的对在20'C的测量温度下具有向列相的组分自身进行测量，所有其它:H^物那#^理。在这两种情况下，除非另有说明，本申请中的术语"阈值电压"是指光学阈^tibft于10%的相对对比度(V。)给出，术语"妙电压"是指光学#且对于90y。的相对对比度(V卯)给出。电容阈值电压(V。)，杨为Freedericks阈值(VpJ，仅在明确M时才使用。除非另有说明，本申请中所述^t的范围都包括iiM。对于性能的各种范围所述的不同的上限值和下P艮值toki且合产生附加的优选范围。在整个本申请中，除非另外明确说明，适用下列糾和定义。所有狄以重量百分比给出勤目对于相应的整个^^7，所有温度以摄ML给出，il^斤有温度差以度lt^给出。除非另外明确说明，所有物理性能都是根据"MerckLiquidCrystals,PhysicalPropertiesofLiquidCrystals",StatusNov.1997，德国MerckKGaA进行测定，且对于201C的温度而给出。光学各向异f生(厶n)在波长589.3nm下测定。介电各向异性(厶s)在1kHz频率下测定。阈值电压以A^斤有其它的电光学性能已经使用德国MerckKGaA生产的^盒测定。用于测定As的"^i^r具有约20Mm的盒厚度。电相^^具有1.13cm2面积和防护环的圆形ITO电极。对于垂面取向(sII)取向层是来自日本NissanChemicals的SE-1211，对于沿面取向(s丄)取向^i^Ut自日本JapanSyntheticRubber的^yt胺AL-1054。电^^^^J^Solatron1260频率^分析^^置测定，该分析装置使用电压0.3V鹏的正弦波。电光学测量中所用的光是白光。此处佳月如下的装置，该装置使用了商业上获得的来自德国Autronic-Melchers生产的DMS设备。在垂直观察下测定特征电压。阈值电压(Vl。)，中M(mid-grey)电压(V5。)和#(V9。)电压分别对于10%、50%和90%的相对对比度而测定。本发明的液晶介质可以进一步包^t常浓变的添加剂和手性掺杂剂。这些进一步组分基于整个^^的总浓度在0%至10%的范围，优逸0.1%至6%。所使用的单^M^^的M均to^0.1%至3%的范围。当#申请中^^液晶介质的液晶组^^^的值和M范围时，不考虑逸些和类似添加剂的M。本发明的液晶介质由多种^^^試，怖&3至30，更怖&4至20，且非常优选4至16种4^物。这些^^物用传统方式混合。通常，将所需量的以较小的量^^的^^溶解在以较大的量^^的^^b中。如影显度高于以较高'^1使用的化合物的澄清点，特别容易观幕到溶解过程的完成。也可以用其它传统方法制备该介质，例如使用所谓的预混物或使用所谓的"多瓶(mulUbottle)"体系，所述预混物可以是例如多种4^物的均质或共晶混合物，所述多瓶体系的成分是准4^f吏用的混^的自身。通过添加合适的添加剂，本发明的液s曰日^h质可以以可用于所有已知类型的液晶显示器的方式被改性，或者佳月液晶介质自身，例如TN、TN-細、ECB-扁、VAN-AMD、IPS-AMD、FFS-AMDLCD,或者用于复辑系中，例如PDLC、NCAP、PNLCD,JX其用于ASM-PALCD中。所有温度，例如液晶的熔点T(C，N)或T(C，S)、从近晶(S)到向列(N)相的转变T(S，N)和澄清点T(N，1)以摄^1给出。所有温U以度録给出。在本发明中，且特别是下述实施例中，介晶^^的结构通过^^作首字，略词的缩写表示。在这些首字，略词中，化学式^^)下表A至C缩写为如下。所有基团CnH^、CJU和dH2w或CJk—"C^w和dH2H分别表示^^有n、m和1个碳原子的直^iJL烯基，他^1E-烯基。表A列出了用于^^核心结构的环^i单元的编石马，而表B列出了i^^基团。表C给出了左手側或右手侧端M码的含义。首字母缩略词由具有^^i^接基团的环状单元的编码、其后的第一连字符和左手侧端基编码、以^^;字符和右手侧端^)码构成。表D列出了化洽物的结构以及它们对应的缩写。表A:Sf;R单元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula>表B:连接基团E""CH2CH2-V~CH=CH-X"CF-CH-XI-CH=CF-B-CF=CF-T-OC-W~CF2CF2—th2flKlZ-C(H)"ZI-0~C0~0-CH广O-01"0~CH2-Q-CF2-0-QI-0-CF2-T-CsC-表C:端基左手边-n--nO-.V--nV--Vn--nVm--N--S--F--CL--M--0-CnH2n+1-CH-CH2-CnH2n-CH-CH2-CnH2n-CH=CH-CmH2m+1-N=C=S-F-CI-CFH2-CF2H-CF3右手边单独朋CnH2n+TCnH2n+1-0-CH2=CH-CH2-CH-CnH2n+rCnH2n+1-CH=CH-CmH2m'N5C-S=C=N-F-Cl-CFH2-CF2H-CF3-nnVnV-其中，n和m各表示m，JL^个点"…"是;M^格其它缩写的占錄。下表示出说明性结构和它们的相应缩写。示出它们;^了说明缩写細，J的含义。它们i^示^i^f^]的^^。表D:说明性结构-0-CmH2m+iCH-CH2CH=CH-CmH2m+1CC-n-mVCnH2n+1~^(]]>~hQ>_(CH2):CH=CH~C,H2I+1CC-n-mVICnH2n+1CC-n-mCC-n-OmCC-n-VCnH2n+lCC-n-Vm-OCFH2-OCF2H-OCF3-0-CH-CF2-"C-H-C5G-CnH2n+1-CsC--CH=CH--CO-O--O-CO--CO--CF-CF-CFH20-CF2HO-CF30-CF2-CH-0-H-CSC-CnH2n+1-C5C--CsC--...A...CH-CH--...V...-CO-O--...Z...-O-CO--...Z，...-CO--...K...-CF=CF--...W...200X.t2|D^oAwNIIl咖歸tfFMDTXnNooooAAA<formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage66</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage67</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula>4^发明的M实施方案中，介晶介质包^^种或多种选自表E的^^。下表，表F，示出^^本发明的介晶介质中M用作手性掺杂剂的说明性^^。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula>R/S-50"^it^发明to的实施方案中，介晶介质包^-"种或多种选自表F的^r^。本发明的介晶介质M包含两种或更多种、M四种或更多种^^b，其选自由上ii4格中的化^组成的组。械明的液晶介质舰包含—七种或更多种、优i^/V种或更多种^^物，伏选^^具有三种或更多种、优选四种或更多种不同的式，其选自表D的4^物。实施例下述实施例i兌明;^发明，但不以^f可形式限制本发明。然而，这些物理'M向4^页域^^Mv员显示了可以实现何种性能以及它们可以在何种范围内^ii。因此，特别地，可M实现的^ft性能的结合对^4贞^^支#员而言是明确的。<table>tableseeoriginaldocumentpage71</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage72</column></row><table>实施例5<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table>实施例6<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage74</column></row><table>权利要求1、液晶介质，其特征在于，其包含-一种或多种介电正性的式IA的化合物，一种或多种介电正性的式IB的化合物，和一种或多种介电正性的式IC的化合物其中，R1表示具有1至7个碳原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2至7个碳原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，id="icf0002"file="A2009102039080002C2.tif"wi="17"he="7"top="160"left="33"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>和id="icf0003"file="A2009102039080002C3.tif"wi="20"he="8"top="159"left="59"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>彼此独立地表示id="icf0005"file="A2009102039080003C1.tif"wi="22"he="21"top="29"left="30"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>或id="icf0006"file="A2009102039080003C2.tif"wi="24"he="23"top="28"left="60"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>id="icf0007"file="A2009102039080003C3.tif"wi="22"he="9"top="60"left="29"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>和id="icf0008"file="A2009102039080003C4.tif"wi="22"he="9"top="59"left="60"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>彼此独立地表示id="icf0010"file="A2009102039080003C6.tif"wi="22"he="21"top="108"left="37"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>或id="icf0011"file="A2009102039080003C7.tif"wi="25"he="23"top="107"left="66"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>表示id="icf0014"file="A2009102039080003C10.tif"wi="22"he="10"top="213"left="32"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>或id="icf0015"file="A2009102039080003C11.tif"wi="25"he="15"top="213"left="61"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>id="icf0016"file="A2009102039080003C12.tif"wi="21"he="9"top="233"left="31"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>表示id="icf0018"file="A2009102039080004C2.tif"wi="21"he="21"top="55"left="35"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>或id="icf0019"file="A2009102039080004C3.tif"wi="24"he="23"top="54"left="64"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>Z11至Z16彼此独立地表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反-CH＝CH-、反-CF＝CF-、-C≡C-、-CH2O-、-CF2O-或单键，L11和L12彼此独立地表示H、F或Cl，X1表示H或F，且Y1表示CH2或O。2、#^权利要求1所述的介质，^NN^于，其包含-一种或多种选自式n和m的化合物的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中，R2和R3;fej^虫立J4^示具有1至7^"^^子的M、；^lij^、^A^il!Umi^，具有2至7个^f、子的烯基、烯|^、^Jj^il氟^^基，至每次出现时^Mi立i^k4^示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>L21，L22,L"和L32;fe^虫立g示H或F，X2和X3彼此独立地表示卤素、具有1至3个碳原子的卤代^&il;^lL基、或具有2或3个碳原子的卤代^^M烯M，Z3表示"CH2CH厂、"CF2CF2-、-C00-、^~CH=CH-、>^-CF=CF-、~01120-或，，m表示0、1或3,且n表示0、1、2或3，并且在X2不表示F的情况下，m也可以扇^示2。3、才^^要求1或2所迷的介质，^#棘于，其包含-一种或多种式IV的化^;次，它们"^Ufc)t独立地，表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>或<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>，Z"和Z"勸M虫立地，并JL^Z"出现两次，它们^L&tW虫立地，表示-CH2CH2-、-COO-、反一CH^H-、反-CF^CF-、~CH20"、~CF20-、-CsC-或,，且p表示0、l或2。4、才M^(5U'J要求1至3中的一项或多项所述的液晶介质，其特征在于，在介质中的式IA、IB和IC的化合物的总M为5%至40%的范围。5、##权利要求1至4中的一项或多项所述的介质，皿征在于，其包t种或多种^^要求2中所述的式n的4t^。6、才娥权利要求1至5中的一项或多项所述的液晶介质，其特征在于，其包^_种或多种权利要求2中所述的式m的化合物。7、4N^U，J要求1至6中的一项或多项所述的液晶介质，其特征在于，其包^-种或多种式V的介电中性4t^/V其中，R51和R";fcH^虫立i^"有斥X^要求2中式n的R2所述的含义，在每次出现时船M虫立iik4^示z"和z"船匕独立地，并且如果z"出现两次则它们HW^t匕独立地，表示~CH2CH2-、-C00"、>^-CH=CH-、反-CF《F-、~CH20-、-CF20-或賴，且r表示O、l或2。8、液晶显示器，^#棘于，^"^有^^M，J要求1至7中的一项或多项所述的^h质。9、條;M，j要求8的显示器，^#絲于，它是有源矩阵寻址的。10、才娥拟'J要求1至7中的一项或多项所述的介质在液晶显示器中的用途。11、4N^M'J要求1至7中的一项或多项所述的介质的制备方法，其特征在于，4^U'〗要求l中所给出的^-种情况下，^"-种或多种式IA的4t^、一种或多种式IB的^^7和一种或多种式IC的化合物与^5U'J^求2至7的一项或多项所M的一种或多种^^物和/或一种或多种其它液晶4^物和/或一种或多种添加剂混合。全文摘要本发明涉及介电正性液晶介质，该介质在每一情况下包含三个式IA、IB和IC的一种或多种化合物,其中，参数具有说明书所述的相应含义，和任选的一种或多种其它介电正性化合物和任选一种或多种其它介电中性化合物；本发明还涉及含有这些介质的液晶显示器，尤其是涉及有源矩阵显示器，特别是涉及TN、IPS和FFS显示器。文档编号C09K19/20GK101565624SQ200910203908公开日2009年10月28日申请日期2009年3月11日优先权日2008年3月11日发明者M·恰因塔,齐藤泉申请人:默克专利股份有限公司