专利名称：用于形成半导体元件粘接膜的树脂清漆、半导体元件粘接膜和半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体元件粘接膜形成用树脂清漆、半导体元件粘接膜、和半导体装置。
背景技术：
近年来，为了应对电子设备的高功能化等，对半导体装置的高密度化、高集成化的 要求增强，正在推进半导体装置的大容量高密度化。为了应对这种要求，例如研究了在半导体元件上多重层叠半导体元件，从而实现 半导体装置的小型化、薄型化、大容量化的方法。在这样的半导体装置中，主要使用双马来 酰亚胺-三嗪基板、聚酰亚胺基板之类的有机基板(专利文献1)。根据同一文献，在这种半导体装置中，要想粘接半导体元件与有机基板或者半导 体元件与半导体元件，用现有的糊状粘接剂是很难以从半导体元件中不露出的适当量进行 涂布的，因此主要使用了半导体元件粘接膜。另外，作为有关于半导体元件粘接膜的现有技术，除此之外还有在专利文献2 4 中记载的技术。在专利文献2中记载了在粘接半导体元件与配线基板时使用由环氧树脂和丙烯 酸类橡胶构成的半导体元件粘接膜。在专利文献3中记载了在粘接半导体元件与配线基板时使用以苯氧基树脂为主 体构成的半导体元件粘接膜。在专利文献4中记载了将半导体元件粘接膜的粘接温度中的最低粘度设为特定 范围，从而对流动性进行控制。专利文献1 特开2006-73982号公报(权利要求书)专利文献2 特开2001-220571号公报(权利要求书)专利文献3 特开2002-138270号公报(权利要求书)专利文献4 特开平11-12545号公报(权利要求书)在粘接配线基板与半导体元件时，在配线基板表面有金属配线，并以阻焊剂覆盖 金属配线，但由于存在有金属配线的部分和没有的部分，因此在配线基板表面存在凹凸。然 而，对于上述文献中记载的半导体元件粘接膜，在粘接半导体元件与配线基板时，有时无法 适当地填埋该凹凸，在配线基板与半导体元件之间产生间隙(void)，有时会产生使半导体 装置的可靠性变差的问题。关于半导体元件粘接膜向配线基板表面的凹凸嵌入，由于是用半导体元件粘接膜 使半导体元件与配线基板粘接，在半导体元件与配线基板之间进行引线接合后，利用密封 树脂封入时的加热和加压而进行的，因此半导体元件粘接膜在密封树脂封入时的流动性就 显得尤为重要。另外，近年来，半导体元件的多重化在进展，在引线接合工序中需要许多时间，与以往相比，直到封入密封树脂为止，半导体元件粘接膜需要经历长时间的热。为此，在封入 密封树脂之前，半导体元件粘接膜的固化反应进行，流动性降低，因此有时会产生无法嵌入 配线基板表面凸凹的不良情况。进而，推进半导体装置的小型和薄型化，随之半导体元件的小型和薄型化在进行。 在用半导体元件粘接膜将小型和薄型的半导体元件以多重层叠时，引线接合温度下的半导 体元件粘接膜的弹性模量低时，在引线接合时结合区启动，为此，有时还会产生无法准确地 进行引线接合的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体元件粘接膜、及半导体装置，所述半导体元件 粘接膜在半导体元件以多重层叠的半导体装置中，即使在引线接合工序中会花费很多时 间，直到封入密封树脂为止的半导体元件粘接膜的粘接层所需的热经历延长，在密封树脂 封入工序中，对配线基板表面凹凸的嵌入性仍然优异。另外，其他目的在于，提供一种半导体元件粘接膜、及半导体装置，所述半导体元 件粘接膜在小型和薄型的半导体元件以多重层叠的半导体装置中，引线接合性优异。该目的通过[1] [24]中记载的本发明来实现。[1] 一种半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其特征在于，含有(甲基)丙烯酸酯共聚物㈧和二氧化硅⑶，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)具有羟基和羧基、或具有环氧基，且重均分子量 为10万 100万，所述二氧化硅⑶的平均粒径为1 lOOnm，不挥发成分中不含热固化性树脂和固化剂(C)、或者所述不挥发成分中的所述热 固化性树脂和所述固化剂(C)的总计含量为5质量％以下。[2]根据[1]所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其中，所述(甲基)丙烯 酸酯共聚物(A)是含有由下述通式(I)、(II)、(III)和(IV)所示结构单元的无规共聚物。
权利要求
一种半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其特征在于，含有(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)和二氧化硅(B)，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)具有羟基和羧基、或具有环氧基，且重均分子量为10万～100万，所述二氧化硅(B)的平均粒径为1～100nm，不挥发成分中不含热固化性树脂和固化剂(C)、或者所述不挥发成分中的所述热固化性树脂和所述固化剂(C)的总计含量为5质量％以下。
2.根据权利要求1所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其中，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物㈧是含有由下述通式(I)、(II)、(III)和(IV)所示结构单元的无规共聚物，r R1 ^r R3 ΛΓ ι IΓ …ι -I-Ctt^-C —— — ￡ ι) ――CH1--CC1)—II· II COQR2JI CN JR4广|《1 、广j ‘I‘——CH,-C ——— CH,-C — - {K")“ι ^ ‘“ ι、C. Ov.1COOH01R5 IOH式中，R1、! 3、! 4和R6表示氢原子或甲基，式中R2表示碳原子数1 10的烷基，另外，R5 表示碳原子数1 10的亚烷基。
3.根据权利要求2所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其中，结构单元(I)的摩 尔比为30 88mol%、结构单元(II)的摩尔比为10 68mol%、结构单元(III)的摩尔比 为1 IOmol %、结构单元(IV)的摩尔比为1 IOmol %。
4.根据权利要求1所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其中，所述(甲基)丙烯 酸酯共聚物(A)为含有由下述通式(V)、(VI)和(VII)所示结构单元的无规共聚物，
5.根据权利要求4所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其中，结构单元(V)的摩 尔比为30 88mol%、结构单元(VI)的摩尔比为10 68mol%、结构单元(VII)的摩尔比 为 0. 5 IOmol %。
6.根据权利要求3所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其特征在于，所述二氧 化硅⑶的含量为20 70质量％。
7.根据权利要求5所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其特征在于，所述二氧 化硅⑶的含量为20 70质量％。
8.根据权利要求3所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其特征在于，所述二氧 化硅(B)的粒径为10 30nm。
9.根据权利要求5所述的半导体元件粘接膜形成用树脂清漆，其特征在于，所述二氧 化硅(B)的粒径为10 30nm。
10.一种半导体元件粘接膜，其特征在于，是包含基材膜和粘接层的半导体元件粘接膜，该粘接层含有(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)和二氧化硅(B)， 所述(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)具有羟基和羧基、或具有环氧基，且重均分子量为10 万 100万，所述二氧化硅(B)的平均粒径为1 lOOnm，不挥发成分中不含热固化性树脂和固化剂(C)、或者所述不挥发成分中的所述热固化 性树脂和所述固化剂(C)的总计含量为5质量％以下。
11.根据权利要求10所述的半导体元件粘接膜，其中，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物 (A)是含有由下述通式(I)、(II)、(III)和(IV)所示结构单元的无规共聚物，
12.根据权利要求11所述的半导体元件粘接膜，其中，结构单元(I)的摩尔比为 30 88mol%、结构单元(II)的摩尔比为10 68mol%、结构单元(III)的摩尔比为1 IOmol %、结构单元(IV)的摩尔比为1 IOmol % ο
13.根据权利要求10所述的半导体元件粘接膜，其中，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)为含有由下述通式(V)、(VI)和(VII)所示结构单 元的无规共聚物，
14.根据权利要求13所述的半导体元件粘接膜，其中，结构单元(V)的摩尔比为30 88mol%、结构单元(VI)的摩尔比为10 68mol%、结构单元(VII)的摩尔比为0. 5 IOmol %。
15.根据权利要求12所述的半导体元件粘接膜，其中，所述粘接层中所述二氧化硅(B) 的含量为20 70质量％。
16.根据权利要求14所述的半导体元件粘接膜，其中，所述粘接层中所述二氧化硅(B)的含量为20 70质量％。
17.根据权利要求12所述的半导体元件粘接膜，其中，所述二氧化硅(B)的粒径为 10 30nm。
18.根据权利要求14所述的半导体元件粘接膜，其中，所述二氧化硅(B)的粒径为 10 30nm。
19.根据权利要求12所述的半导体元件粘接膜，其中，175°C下的弹性模量为30MPa HOMPa0
20.根据权利要求14所述的半导体元件粘接膜，其中，175°C下的弹性模量为30MPa HOMPa0
21.一种复合半导体元件粘接膜，其特征在于，包括权利要求12所述的半导体元件粘 接膜和切割膜。
22.一种复合半导体元件粘接膜，其特征在于，包括权利要求14所述的半导体元件粘 接膜和切割膜。
23.一种半导体装置，其特征在于，具备以多重层叠的半导体元件、搭载以多重层叠的所述半导体元件的基板、和在所述半导体元件与所述半导体元件之间、或在所述半导体元件与所述基板之间设置 的粘接层，所述粘接层是权利要求12所述半导体元件粘接膜的固化物。
24.一种半导体装置，其特征在于，具备以多重层叠的半导体元件、搭载以多重层叠的所述半导体元件的基板、和在所述半导体元件与所述半导体元件之间、或在所述半导体元件与所述基板之间设置 的粘接层，所述粘接层是权利要求14所述半导体元件粘接膜的固化物。
全文摘要
本发明涉及一种用于在配线基板上粘接半导体元件的半导体元件粘接膜，提供一种对在配线基板上粘接的半导体元件的引线接合性优异、而且即使在热履历长的情况下，在其后封入密封材料时对配线基板表面凹凸的嵌入性仍优异的半导体元件粘接膜。本发明的半导体元件粘接膜的特征在于，含有(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)和平均粒径为1～100nm的二氧化硅(B)，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)具有羟基和羧基、或具有环氧基，且重均分子量为10万～100万，不挥发成分中的热固化性树脂和固化剂的含量为5质量％以下。
文档编号C09J7/02GK101971312SQ200980108400
公开日2011年2月9日 申请日期2009年3月10日 优先权日2008年3月14日
发明者寺井健郎 申请人:住友电木株式会社