专利名称：非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物及使用方法
技术领域：
总体上，本发明涉及相对于经掺杂含硅材料来选择性去除无掺杂含硅材料的组合 物。
背景技术：
在半导体制造中使用各种含硅薄膜，例如，热氧化物(ThOx)、CVD-TE0S、硼磷硅酸 盐玻璃(BPSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、旋涂式介电质(SOD)及磷硅酸盐玻璃(PSG)。两种最 常见类型为ThOx及BPSG。热氧化物通常由纯二氧化硅组成且在需要绝缘层时使用。例如， 通常使用热氧化硅的薄“闸极”层来使导电层相互分离。BPSG层包括掺杂有硼及磷的氧化 硅。这些层用于“吸除”原本会移动进入底层并对层材料的电性质产生不利影响从而导致 器件可靠性降格的碱金属离子污染物。这些含硅材料形成于基板表面上的若干图案化层中，且将其设计为具有渐增的高 纵横比率及小尺寸。在制造期间，须在不损坏图案化材料的情况下将蚀刻后或灰化后的残 余物从图案化表面上去除。例如，在去除接触孔底部的残余物(主要为ThOx)时要求最小 程度地蚀刻密度较低的经掺杂含硅氧化物。不利的是，先前技术中设计用于选择性蚀刻和 /或去除蚀刻后或灰化后残余物的去除组合物及方法倾向于去除经掺杂含硅材料(例如， BPSG)超过除去无掺杂含硅材料(例如，ThOx)。此产生关键尺寸已被不利改变的图案。本公开着重于研发用于经掺杂氧化物及无掺杂氧化物的具有独特蚀刻选择性、低 蚀刻速率及侵蚀性清洁能力的“液体接触清洁剂”。
发明内容
一般来说，本发明涉及以大于或实质上等于经掺杂含硅材料的去除速率的速率来 去除无掺杂含硅材料的组合物。在较优选的实施方案中公开了从微电子器件表面去除蚀刻 后和/或灰化后残余物的组合物及方法，且相对于也存在于该器件上的无掺杂含硅材料， 这些组合物及方法并不过度蚀刻经掺杂含硅材料。在一方面中阐述湿清洁组合物，该组合物包含至少一种氟化物源、至少一种二醇 溶剂、至少一种螯合剂及至少一种聚合物物质，其中该组合物实质上不含所添加的水。在另一方面中阐述湿清洁组合物，该组合物包含至少一种氟化物源、至少一种二 醇溶剂、至少一种螯合剂、至少一种聚合物物质及至少一种长链烷基季铵化合物，其中该组 合物实质上不含所添加的水。在又一方面中阐述湿清洁组合物，该组合物包含氟化铵、乙二醇、亚氨基二乙酸及 聚乙烯亚胺聚合物。在再一方面中阐述湿清洁组合物，该组合物包含氟化铵、乙二醇、亚氨基二乙酸、 聚乙烯亚胺聚合物及长链烷基季铵化合物。另一方面涉及相对于经掺杂含硅材料选择性去除无掺杂含硅材料的方法，该方法 包括在接触条件下使上面具有无掺杂含硅材料及经掺杂含硅材料的微电子器件与湿清洁组合物接触，其中该湿清洁组合物包含至少一种氟化物源、至少一种二醇溶剂、至少一种螯 合剂及至少一种聚合物物质，其中该组合物实质上不含水。组合物可进一步包含至少一种 长链烷基季铵化合物。又一方面涉及从微电子器件去除蚀刻后和/或灰化后的残余物的方法，该方法包 括在接触条件下使上面具有蚀刻后和/或灰化后的残余物的微电子器件与湿清洁组合物 接触，其中该湿清洁组合物包含至少一种氟化物源、至少一种二醇溶剂、至少一种螯合剂及 至少一种聚合物物质，且其中存在于该器件上的无掺杂含硅材料的蚀刻速率大于或实质上 等于存在于该器件上的经掺杂含硅材料的蚀刻速率，且其中该组合物实质上不含水。该组 合物可进一步包含至少一种长链烷基季铵化合物。在另一方面中阐述套包(kit)，其中该套包在一个或多个容器中包含一种或多种 形成组合物的下列试剂，其中该组合物包含至少一种氟化物源、至少一种二醇溶剂、至少一 种螯合剂及至少一种聚合物物质，其中该套包适于形成适用于去除蚀刻后残余物、灰化后 残余物、经掺杂含硅材料、无掺杂含硅材料及其组合的组合物。根据公开内容及权利要求书可更全面地了解其它方面、特征及优点。
图1展示在45°C下使用制剂B处理4分钟的堆栈的C/S SEM图像，该堆栈由约 500 A的PE-CVD SiN基层及由4 KA TEOS及4.5 KA PSG制得的“壁”组成。图2展示与图1相似且使用制剂B实施清洁(45°C /4分钟)的堆栈的C/S SEM图像。图3展示与图1相似且使用稀HF实施清洁(45°C /4分钟)堆栈的C/SSEM图像。详细描述和及其优选实施方案一般来说，本发明涉及从微电子器件中去除蚀刻后和/或灰化后的残余物的湿清 洁组合物及方法，其中存在于该器件上的无掺杂含硅材料的蚀刻速率大于或实质上等于也 存在于该器件上的经掺杂含硅材料的蚀刻速率。较优选地，该湿清洁组合物对接触轮廓或 图案的关键尺寸影响最小并与硅及金属相容，且处理后的接触表面是疏水或亲水的稳定表为便于提及，“微电子器件”对应于经制造用于微电子、集成电路或计算机芯片应 用中的半导体基板、太阳能电池(光电伏打电池)、平板显示器及微机电系统(MEMS)。应理 解，术语“微电子器件”、“微电子基板”及“微电子器件结构”并非意欲以任何方式予以限制 且包括任何最终将成为微电子器件或微电子组件的基板或结构。微电子器件可为图案化 的、经覆盖的、对照和/或测试器件。本文所用的“约”意欲对应于所述值士5%。 本文所用的“无掺杂含硅材料”或“较高密度介电材料”对应于实质上不含诸如以 下的“掺杂剂”的硅酸盐材料硼、二氟化硼、磷、砷、镓、锑、碳、氮及铟。无掺杂含硅材料的实 施例包括但不限于热氧化物、高密度等离子体沉积氧化物及TE0S，不论沉积方式如何。“经 掺杂含硅材料”或“较低密度介电材料”对应于包含“掺杂剂”的氧化硅材料，这些掺杂剂 包括但不限于BSG、PSG、BPSG、FSG (氟硅酸盐玻璃)、SiCOH、SiON, SiCON、掺杂碳的氧化物 (⑶0)及SOD。应了解，介电材料可进一步包含锗。
本文所用的“SOD”及旋涂玻璃(SOG)是同义词。本文所定义的“实质上不含”对应于，以该组合物总重量计，小于组合物的约2重 量％、更优选小于1重量％、且最优选小于0. 1重量％。本文所定义的“所添加的水”对应于由本发明组合物的使用者或制造者所添加的 水。所添加的水并不对应于通常见于市售化学物质(混合到一起以形成本发明组合物)中 的水、或吸湿水。本文所定义的“实质上等于”对应于经掺杂含硅材料的蚀刻速率(以A min·1计) 与无掺杂含硅材料的蚀刻速率相同或为无掺杂含硅材料的蚀刻速率士40%。。组合物可体现为众多种具体制剂，如下文中更全面阐述的。在所有这些组合物中，组合物的具体组分以包括零下限在内的重量百分比范围来 论述，因而应理解，在组合物的各具体实施方案中可存在或不存在这些组分，且在存在这些 组分的情况下，以使用这些组分的组合物的总重量计，这些组分可以低至0. 001重量％的 浓度存在。在一方面中阐述湿清洁组合物，其包括至少一种氟化物源、至少一种有机溶剂、至 少一种螯合剂及至少一种聚合物物质、由其组成或实质上由其组成，其中该组合物实质上 不含所添加的水。在较优选的实施方案中阐述湿清洁组合物，其包括至少一种氟化物源、至 少一种二醇溶剂、至少一种螯合剂及至少一种聚合物物质、由其组成或实质上由其组成，其 中该组合物实质上不含所添加的水。至少一种氟化物源可包括选自以下的物质二氟化氙；五甲基二亚乙基三铵三氟 化物；二氟化铵；三乙胺三氢氟酸盐；烷基氟化氢铵(NRH3F),其中每个R独立地选自氢及 C1-C4烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基)；二烷基氟化氢铵(NR2H2F),其中每个R独立地选 自氢及C1-C4烷基；三烷基氟化氢铵(NR3HF)，其中每个R独立地选自氢及C1-C4烷基；三烷 基铵三氢氟酸盐(NR3:3HF)，其中每个R独立地选自氢及C1-C4烷基；式R4NF的氟化铵，其中 每个R独立地选自氢、C1-C4烷基及C1-C4烷醇(例如，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇)，例如，氟化 铵、四甲基氟化铵、氟化三乙醇铵、氟化四乙基铵；及其组合。至少一种二醇溶剂可包括选自以下的二醇溶剂乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙
二醇、丙三醇、甘油单酯、甘油二酯、二醇醚及其组合，其中二醇醚包括选自以下的物质二 乙二醇单甲醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、三乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇 单丁醚、二乙二醇单丁醚(即，丁基卡必醇)、三乙二醇单丁醚、乙二醇单己醚、二乙二醇单 己醚、乙二醇戊醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇 乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇 正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇戊醚及其组合。至少一种螯合剂可包括β-二酮酸酯化合物，例如，乙酰丙酮、1，1，1-三氟_2， 4_戊二酮及1，1，1，5，5，5_六氟-2，4-戊二酮；羧酸盐，例如，甲酸盐及乙酸盐及其它长链 羧酸盐；胺及氨基酸，例如，甘氨酸、丝氨酸、脯氨酸、亮氨酸、丙氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、 谷氨酰胺、缬氨酸及赖氨酸；选自以下的多元酸亚氨基二乙酸(IDA)、丙二酸、草酸、琥珀 酸、硼酸、次氮基三乙酸、苹果酸、柠檬酸、乙酸、马来酸、2，4_戊二酮、苯扎氯铵、1-咪唑；及 其组合。其它螯合剂包含膦酸、膦酸衍生物(例如，羟基亚乙基二膦酸(HEDP)U-羟基乙 烷-1，1-二膦酸、次氮基-三(亚甲基膦酸)、依替膦酸(etidronic acid))、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)及(1，2-亚环己基二次氮基)四乙酸(⑶TA)、尿酸、四乙二醇二甲醚、五 甲基二亚乙基三胺(PMDETA) ,1,3,5-三嗪-2，4，6-三硫醇三钠盐溶液、1，3，5-三嗪-2，4， 6-三硫醇三铵盐溶液、二乙基二硫代氨基甲酸钠、被一个烷基(R2 =己基、辛基、癸基或十二 烷基)及一个低聚醚(R1 (CH2CH2O)2，其中R1 =乙基或丁基)二取代的二硫代氨基甲酸盐 (R1(CH2CH2O)2NR2CS2Na)、硫酸铵、单乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、Dequest 2010、Dequest 2060s、二亚乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、2-羟基吡啶-1-氧化物、乙二胺二琥珀酸、三 磷酸五钠及其彼此的组合或其与上文所定义的β-二酮酸酯化合物、羧酸酯、胺及氨基酸 或多元酸的组合。尽管不希望受限于理论，但人们认为可添加至少一种聚合物物质以获得较优选的 表面覆盖，从而改善薄膜的表面保护且增强对薄膜蚀刻速率的控制。较优选地，聚合物物质 为阳离子型表面活性剂且可包括至少一种聚丙烯亚胺树枝状聚合物(例如，聚丙烯亚胺四 胺树枝状聚合物、聚丙烯亚胺八胺树枝状聚合物、聚丙烯亚胺十六胺树枝状聚合物、聚丙烯 亚胺三十二胺树枝状聚合物、聚丙烯亚胺六十四烷胺树枝状聚合物)、聚乙烯胺、聚胺、聚酰 亚胺_胺(polyimidamine)、聚乙基亚胺、聚酰胺-胺(polyamidamine)、聚四级胺、聚乙烯 基酰胺、聚丙烯酰胺、线性或支化的聚乙烯亚胺及可包括上述均聚物或由其组成的共聚物， 其中这些共聚物可为阳离子型或非阳离子型。当聚合物物质包括聚乙烯亚胺时，其可选自 聚乙烯亚胺、乙二胺-乙烯亚胺共聚物、羟基化聚乙烯亚胺、改性聚乙烯亚胺及其组合。聚 合物物质的实施例包含Lupasol (BASF)及Epomin (Nippon Shokubai)。较优选地，湿清洁组合物的pH介于约4至约9、较优选约5至约9之间。在一实施方案中，所述组合物可进一步包含至少一种胺、由其组成或实质上由其 组成，该至少一种胺包括但不限于二环己胺、五甲基二亚乙基三胺、二甘醇胺、吡啶、2-乙基 吡啶、2-甲氧基吡啶及其衍生物(例如3-甲氧基吡啶)、2_甲基吡啶、吡啶衍生物、二甲基 吡啶、哌啶、哌嗪、三乙胺、三乙醇胺、乙胺、甲胺、异丁胺、叔丁胺、三丁胺、二丙胺、二甲胺、 单乙醇胺、吡咯、异恶唑、1，2，4_三唑、联吡啶、嘧啶、卩比嗪、哒嗪、喹啉、异喹啉、B引哚、咪唑、 1-甲基咪唑、二异丙胺、二异丁胺、苯胺、苯胺衍生物或其组合。在一实施方案中，湿清洁组合物以所提供重量百分比的比率包含下列组分
权利要求
1.一种湿清洁组合物，其包含至少一种氟化物源、至少一种二醇溶剂、至少一种螯合剂 及至少一种聚合物物质，其中该组合物基本上不含所添加的水。
2.如权利要求1的组合物，其中该至少一种氟化物源包括选自以下的物质二氟化氙； 五甲基二亚乙基三铵三氟化物；二氟化铵；三乙胺三氢氟酸盐；烷基氟化氢铵(NRH3F),其 中每个R独立地选自氢及C1-C4烷基；二烷基氟化氢铵(NR2H2F)，其中每个R独立地选自氢 及C1-C4烷基；三烷基氟化氢铵(NR3HF)，其中每个R独立地选自氢及C1-C4烷基；三烷基铵 三氢氟酸盐(NR3 3HF)，其中每个R独立地选自氢及C1-C4烷基；式R4NF的氟化铵，其中每个 R独立地选自氢、C1-C4烷基及C1-C4烷醇；及其组合。
3.如权利要求1的组合物，其中该至少一种氟化物源包括氟化铵。
4.如权利要求1的组合物，其中该至少一种二醇溶剂包括选自以下的二醇溶剂乙二 醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、丙三醇、甘油单酯、甘油二酯、二醇醚及其组合。
5.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该二醇醚包括选自以下的物质二乙二醇 单甲醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、三乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁 醚、二乙二醇单丁醚(即，丁基卡必醇)、三乙二醇单丁醚、乙二醇单己醚、二乙二醇单己醚、 乙二醇戊醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、 丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁 醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇戊醚及其组合。
6.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该至少一种二醇溶剂包括乙二醇。
7.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该至少一种螯合剂包括多元酸。
8.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该至少一种螯合剂包括选自以下的物质 乙酰丙酮、1，1，1-三氟-2，4-戊二酮、1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮、甲酸盐、乙酸盐、 甘氨酸、丝氨酸、脯氨酸、亮氨酸、丙氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、谷氨酰胺、缬氨酸、赖氨酸、 亚氨基二乙酸(IDA)、丙二酸、草酸、琥珀酸、硼酸、次氮基三乙酸、苹果酸、柠檬酸、乙酸、马 来酸、2，4_戊二酮、苯扎氯铵、1-咪唑、膦酸、羟基亚乙基二膦酸(HEDP)U-羟基乙烷-1， 1-二膦酸、次氮基-三(亚甲基膦酸)、依替膦酸、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、(1，2_亚 环己基二次氮基)四乙酸(⑶TA)、尿酸、四乙二醇二甲醚、五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 1,3,5-三嗪-2，4，6-三硫醇三钠盐溶液、1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇三铵盐溶液、二乙基 二硫代氨基甲酸钠、二取代的二硫代氨基甲酸盐、硫酸铵、单乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、 Dequest 2010、Dequest2060s、二亚乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、2_羟基吡啶氧化 物、乙二胺二琥珀酸、三磷酸五钠及其组合。
9.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该至少一种螯合剂包括亚氨基二乙酸。
10.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该至少一种聚合物物质为阳离子型表面 活性剂。
11.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该至少一种聚合物物质包括至少一种选 自以下的物质聚丙烯亚胺树枝状聚合物、聚乙烯胺、聚胺、聚酰亚胺-胺、聚乙基亚胺、聚 丁二烯、聚酰胺-胺、聚四级胺、聚乙烯基酰胺、聚丙烯酰胺、线性聚乙烯亚胺、支化聚乙烯 亚胺及包括上述这些均聚物的共聚物。
12.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该聚乙烯亚胺包括选自以下的物质聚 乙烯亚胺、乙二胺_乙烯亚胺共聚物、羟基化聚乙烯亚胺、改性聚乙烯亚胺及其组合。
13.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该聚合物物质包括聚乙烯亚胺。
14.如前述权利要求中任一项的组合物，其进一步包含至少一种长链烷基季铵化合物。
15.如权利要求14的组合物，其中该长链烷基季铵化合物包括选自以下的物质三辛酰基甲基铵阳离子、三辛基甲基铵阳离子、鲸蜡基三甲基铵阳离子、十二烷基三甲基铵阳离 子、十六烷基三甲基铵阳离子、二辛基二甲基铵阳离子、聚(烯丙基二甲基铵)阳离子及其 混合物。
16.如权利要求1的组合物，其包括氟化铵、乙二醇、亚氨基二乙酸及聚乙烯亚胺聚合物。
17.如权利要求14的组合物，其包括氟化铵、乙二醇、亚氨基二乙酸、聚乙烯亚胺聚合 物及长链烷基季铵化合物。
18.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该组合物实质上不含所添加的HF。
19.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该组合物进一步包括选自以下的残余物 材料经掺杂含硅材料；无掺杂含硅材料；蚀刻后残余物；灰化后残余物；及其组合。
20.如前述权利要求中任一项的组合物，其中该组合物进一步包括选自以下的残余物 材料热氧化物(ThOx)、TEOS、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)、氟硅酸盐玻璃 (FSG)、旋涂式介电质(SOD)及其组合。
21.如前述权利要求中任一项的组合物，其中pH介于约4至约9之间。
22.—种相对于经掺杂含硅材料选择性去除无掺杂含硅材料的方法，该方法包括在接 触条件下使上面具有无掺杂含硅材料及经掺杂含硅材料的微电子器件与湿清洁组合物接 触，其中该湿清洁组合物包含至少一种氟化物源、至少一种二醇溶剂、至少一种螯合剂及至 少一种聚合物物质，其中该组合物基本上不含水。
23.一种从微电子器件去除蚀刻后和/或灰化后残余物的方法，该方法包括在接触条 件下使上面具有蚀刻后和/或灰化后残余物的微电子器件与湿清洁组合物接触，其中该湿 清洁组合物包含至少一种氟化物源、至少一种二醇溶剂、至少一种螯合剂及至少一种聚合 物物质，且其中存在于该器件上的无掺杂含硅材料的蚀刻速率大于或实质上等于存在于该 器件上的经掺杂含硅材料的蚀刻速率，且其中该组合物基本上不含水。
24.如权利要求22或23的方法，其中该至少一种氟化物源包括选自以下的物质 二氟化氙；五甲基二亚乙基三铵三氟化物；二氟化铵；三乙胺三氢氟酸盐；烷基氟化氢铵 (NRH3F)，其中每个R独立地选自氢及C1-C4烷基；二烷基氟化氢铵(NR2H2F)，其中每个R独立 地选自氢及C1-C4烷基；三烷基氟化氢铵(NR3HF)，其中每个R独立地选自氢及C1-C4烷基； 三烷基铵三氢氟酸盐(NR3:3HF)，其中每个R独立地选自氢及C1-C4烷基；式R4NF的氟化铵， 其中每个R独立地选自氢、C1-C4烷基及C1-C4烷醇；及其组合。
25.如权利要求22-24中任一项的方法，其中该至少一种二醇溶剂包括选自以下的二 醇溶剂乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、二乙二醇单甲醚、三乙二醇单甲醚、二乙二 醇单乙醚、三乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚(即，丁基卡必 醇)、三乙二醇单丁醚、乙二醇单己醚、二乙二醇单己醚、乙二醇戊醚、丙二醇甲醚、二丙二 醇甲醚、三丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚 (DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇戊醚 及其组合。
26.如权利要求22-25中任一项的方法，其中该至少一种螯合剂包括选自以下的物质 乙酰丙酮、1，1，1-三氟-2，4-戊二酮、1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮、甲酸盐、乙酸盐、 甘氨酸、丝氨酸、脯氨酸、亮氨酸、丙氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、谷氨酰胺、缬氨酸、赖氨酸、 亚氨基二乙酸(IDA)、丙二酸、草酸、琥珀酸、硼酸、次氮基三乙酸、苹果酸、柠檬酸、乙酸、马 来酸、2，4_戊二酮、苯扎氯铵、1-咪唑、膦酸、羟基亚乙基二膦酸(HEDP)U-羟基乙烷-1， 1-二膦酸、次氮基-三(亚甲基膦酸)、依替膦酸、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、(1，2_亚 环己基二次氮基)四乙酸(⑶TA)、尿酸、四乙二醇二甲醚、五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、 1,3,5-三嗪-2，4，6-三硫醇三钠盐溶液、1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇三铵盐溶液、二乙基 二硫代氨基甲酸钠、二取代的二硫代氨基甲酸盐、硫酸铵、单乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、 Dequest 2010、Dequest2060s、二亚乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、2_羟基吡啶氧化 物、乙二胺二琥珀酸、三磷酸五钠及其组合。
27.如权利要求22-26中任一项的方法，其中该至少一种聚合物物质包括至少一种选 自以下的物质聚丙烯亚胺树枝状聚合物、聚乙烯胺、聚胺、聚酰亚胺-胺、聚乙基亚胺、聚 丁二烯、聚酰胺-胺、聚四级胺、聚乙烯基酰胺、聚丙烯酰胺、线性聚乙烯亚胺、支化聚乙烯 亚胺及上述这些均聚物的共聚物。
28.如权利要求22-27中任一项的方法，其中这些接触条件包括介于约30秒至约10 分钟之间的时间；介于约20°C至约60°C之间的温度；及其组合。
29.如权利要求22-28中任一项的方法，其中该无掺杂含硅材料包括热氧化物，且其中 该热氧化物的蚀刻速率介于约1 A min·1至约20 AmirT1之间。
全文摘要
本发明涉及以大于或等于去除经掺杂含硅材料的速率的速率从微电子器件中去除无掺杂含硅材料的组合物及方法。
文档编号C09K13/08GK102007196SQ200980113539
公开日2011年4月6日 申请日期2009年3月6日 优先权日2008年3月7日
发明者埃马努埃尔·库珀, 大卫·明塞克, 布利塔尼·瑟尔, 张鹏, 普雷尔那·森塔利亚, 梅利莎·A·彼特鲁斯卡, 特雷斯·昆廷·赫德 申请人:高级技术材料公司