专利名称：晶片加工用胶带和使用其的半导体加工方法
技术领域：
本发明涉及半导体装置的制造工序中所使用的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加工方法，特别是涉及在利用高速旋转的薄型磨石来分割半导体晶片和接合剂层的切割工序、以及将通过分割而被单片化的半导体晶片与通过分割而被单片化的接合剂层一同进行拾取而层积在基板上的芯片粘贴工序中所用的切割 芯片粘贴带以及使用该切割·芯片粘贴带的半导体加工方法。
背景技术：
作为在半导体装置的制造工序中所使用的晶片加工用胶带，有人提出了层积切割带(粘合带)以及含有环氧树脂成分的热固性的粘接膜而成的切割 芯片粘贴带(例如专利文献1 幻。这些切割·芯片粘贴带在接合剂层(粘接膜)含有具有环氧基的化合物， 因而可通过热固化将半导体芯片与基板牢固地粘接。另外，通过使切割带的粘合剂层为能量射线固化型，能够通过UV照射等来降低切割带的粘合力，易于剥离粘合剂层与接合剂层的界面，能够使通过分割而对半导体芯片进行单片化的半导体晶片与通过分割进行单片化的接合剂层一同从切割带上进行拾取。对于上述这样的切割·芯片粘贴带，要求具有能够对半导体晶片和接合剂层确实地进行切断·单片化；一片片地进行拾取、以良好的合格率提供于芯片粘贴工序中的性能， 并且还要求将半导体芯片与基板牢固地粘接的性能。但是，在上述这样的切割·芯片粘贴带中，在利用高速旋转的薄型磨石将半导体晶片与接合剂层一同切削时，理应被单片化的接合剂层有一部分发生再粘连，在拾取时半导体芯片的一部分与相邻的半导体芯片会在相连接的状态下被供给至芯片粘贴工序，产生所谓“双芯片拾取错误(夕'寸；7 -) ”，具有工序的合格率变差的缺点。为了抑制“双芯片拾取错误”的发生，起码需要通过扩张切割带而一定程度地扩张扩大半导体芯片彼此的间隔从而尝试进行再粘连的破坏。因而，要求切割带的支持基材具有均勻扩张张性；作为这样的切割带，有人提出了支持基材由乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物、或者将这些物质用金属离子进行螯合物交联而成的离聚物树脂而构成的胶带(例如专利文献4 8)。现有技术文献专利文献专利文献1日本特开2002-2^796号公报 专利文献2 日本特开2005-303275号公报 专利文献3 日本特开2006-2992 号公报 专利文献4日本特开平5-156219号公报 专利文献5 日本特开平5-2112 号公报 专利文献6日本特开2000-3451 号公报 专利文献7日本特开2003-158098号公报
专利文献8 日本特开2007-88240号公报
发明内容
发明所要解决的问题但是，即使是这样的切割带，也未必充分具有抑制双芯片拾取错误产生的效果，具有偶尔会产生双芯片拾取错误的问题。因此，为了进一步抑制双芯片拾取错误的产生，要求在拾取时充分抑制半导体芯片彼此的再粘连。本发明是为了解决上述课题而进行的，本发明的目的在于提供在拾取时能够充分抑制半导体芯片彼此的再粘连的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加
工方法。解决问题所采用的手段方案1所述的发明涉及在由支持基材和粘合剂层构成的粘合带的该粘合剂层上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层的晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于上述支持基材由将乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；上述共聚物中的上述(甲基)丙烯酸成分的重量分数为以上且不足10%，并且上述离聚物树脂中的上述(甲基)丙烯酸的中和度为50%以上。方案2所述的发明涉及方案1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，上述粘合剂层具有一层或者二层以上的结构，其中的至少一层由能量射线固化型粘合剂形成。方案3所述的发明涉及使用方案1或2所述的晶片加工用胶带的半导体加工方法，该半导体加工方法的特征在于，其具备如下工序将半导体晶片贴合至上述晶片加工用胶带的工序；接下来使用高速旋转的薄型磨石对上述半导体晶片以及上述晶片加工用胶带的上述接合剂层和上述粘合剂层进行切削，同时对该晶片加工用胶带的上述支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，对该半导体晶片和该接合剂层进行单片化的工序；以及然后，在上述晶片加工用粘合带的上述胶带扩张的状态下，一片片地拾取单片化的上述半导体晶片的工序。方案4所述的发明涉及方案3所述的半导体加工方法，其特征在于，上述支持基材的厚度为60 μ m以上；在上述单片化工序中，对上述支持基材在厚度方向切削10 30 μ m。下面对用于完成本发明的原委进行说明。在使用高速旋转的薄型磨石的切割工序中，关于本应单片化的接合剂层发生部分再粘连的所谓“双芯片拾取错误”的产生的原因，本发明人发现，是由于含有与半导体晶片一同进行切削的接合剂层的碎屑的切削屑的聚集体堵塞在图6所示相邻的半导体芯片彼此之间，从而引起相邻的半导体芯片彼此的再粘连。这样的含有接合剂成分的切削屑所致的相邻的半导体芯片彼此的再粘连在拾取工序会使切割带(粘合带)扩张，增加半导体芯片彼此的间隔，从而有时也能够破坏再粘连。为了扩大全部半导体芯片彼此的间隔，要求切割带的支持基材具有均勻扩张性，作为这样的支持基材的材料，可以举出乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物、或者其中任一种用金属离子交联而成的离聚物树脂。然而，在该再粘连牢固的情况下，为了破坏全部的再粘连，仅支持基材的均勻扩张性并不充分，还一并需要使再粘连部分脆化。若由切割·芯片粘贴带的接合剂层中除去具有环氧基的化合物，则随着该接合剂层的热固化所致的粘接性能的降低，以切割工序中产生的切削屑中的接合剂成分为来源的粘接力也降低。其结果，相邻的半导体芯片间的再粘连部分也发生脆化，能够抑制双芯片拾取错误的产生，但在这样的情况下，接合剂层相对于半导体芯片的粘接力会降低，原本的性能受损。因而，作为抑制双芯片拾取错误产生的对策，要求这样的方法在不会减少粘接材层所含有的具有环氧基的化合物的情况下，使含有接合剂成分的切削屑所致的半导体芯片彼此的再粘连发生脆化。本发明人进行了深入的研究，结果发现，通过使切割·芯片粘贴带的支持基材中所用的乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的比例少于特定量、且用金属离子进行离聚物化，能够抑制双芯片拾取错误的产生。通过抑制支持基材中所用的离聚物树脂的(甲基)丙烯酸成分、 且与金属离子形成稳定的络合物降低反应活性，能够抑制(甲基)丙烯酸成分的羧基与接合剂层中的具有环氧基的化合物之间的反应，因而会降低切割工序中产生的切削屑中的基材屑成分与接合剂屑成分之间的粘接力、可以使切削屑所致的半导体芯片间的粘连部分发生脆化。具有对支持基材提供充分的均勻扩张性、同时抑制双芯片拾取错误的产生的效果的物质为共聚物(二元共聚物、三元共聚物)中的(甲基)丙烯酸成分的重量分数不足 10%、且离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度为50%以上的离聚物树脂，进一步优选为 (甲基)丙烯酸成分的重量分数为3% 5%、且(甲基)丙烯酸的中和度为50%以上的离聚物树脂。若支持基材(离聚物树脂)中的共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分数为
以上，则能够期待支持基材具有均勻扩张性；若为3%以上，则能够进一步期待支持基材的均勻扩张性。离聚物树脂中的共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分数可以通过将NMR与热分解GC-ms光谱测定等方法相组合进行定量。例如，可以由热分解GC-ms光谱的峰鉴定出乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物的烷基酯域中的烷基。另外，若使用1H-NMR,则可以通过将乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物的离聚物树脂中(甲基)丙烯酸单元的α位氢或(甲基)丙烯酸单元的甲基氢的峰的积分值与乙烯单元的氢的峰的积分值进行比较来定量。在观测到来源于(甲基)丙烯酸单元的甲基的峰与来源于化学位移相近的乙烯末端或(甲基)丙烯酸烷基酯的酯末端的峰相互有部分重合的情况下，由于来源于(甲基)丙烯酸单元的甲基的峰在更低的磁场侧显现出峰，因而可根据低磁场侧积分估算出(甲基)丙烯酸成分的分数。对于乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物，也仍然可以通过使用1H-NMR,根据(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸烷基酯的α位氢或(甲基)丙烯酸单元的甲基氢的峰，对(甲基)丙烯酸的分数与(甲基)丙烯酸烷基酯的分数的合计进行定量，进一步地，对于(甲基)丙烯酸烷基酯单元的分数，可根据与烷基的1位碳相键合的氢的峰，仅定量出(甲基)丙烯酸烷基酯的分数，因而可以对(甲基)丙烯酸的重量分数进行计算。进一步地，通过利用金属离子使(甲基)丙烯酸的中和度为50%以上，能够抑制离聚物树脂的(甲基)丙烯酸成分、且能够与金属离子形成稳定的络合物使反应活性降低、 能够抑制(甲基)丙烯酸成分的羧基与接合剂层中的具有环氧基的化合物之间的反应，因而能够降低切割工序中产生的切削屑中的基材屑成分与接合剂屑成分之间的粘接力，以使切削屑所致的半导体芯片间的粘连部分发生脆化。其结果，能够确实地抑制双芯片拾取错误的产生。上述(甲基)丙烯酸的中和度可以利用ICP发光分析等各种分光分析进行定量化。例如，可以利用ICP发光分析同时进行离聚物中的金属离子种的鉴定及其重量分数的定量。进一步地，若利用将上述NMR与热分解GC-ms光谱测定相组合的方法来获得离聚物中的(甲基)丙烯酸的重量分数，则可与上述金属离子的信息相结合，对中和度进行定量化。通过将这样的支持基材应用于切割·芯片粘贴带等晶片加工用胶带中，能够抑制双芯片拾取错误的产生，此外，切割工序中向支持基材中的切入量越深，则其效果越大。另一方面，若向支持基材的切入量增大至所需以上，则胶带扩张时可能会发生断裂。若向支持基材的切入量为向厚度方向切削10 μ m以上，则具有充分地抑制双芯片拾取错误的产生的效果；若对支持基材向厚度方向进行30 μ m以下的切削且该支持基材的厚度为60 μ m以上，则能够防止支持基材的断裂。另外，通过使上述切割 芯片粘贴带的粘合剂层具有一层或者二层以上的结构、其中的至少一层由能量射线固化型粘合剂形成，可以在切割工序中具有牢固地保持半导体晶片所需的充分的粘合力，但在切割后，切割带的粘合力却还是会通过照射能量射线而得到有效地降低，因此在拾取工序中不会对半导体芯片施加过度的负荷，可以将半导体芯片与单片化的接合剂层容易地从切割带的粘合剂层表面进行剥离。发明效果若利用本发明的晶片加工用胶带，则由于共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分数为以上且不足10%，并且离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度为50%以上，因而在拾取时能够充分地抑制半导体芯片彼此的再粘连，能够进一步抑制双芯片拾取错误的产生。另外，若利用本发明的半导体加工方法，则由于使用本发明的晶片加工用胶带，且在对半导体晶片和接合剂层进行单片化的工序中将晶片加工用胶带的支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，因而在拾取时能够更进一步地充分抑制半导体芯片彼此的再粘连，能够进一步抑制双芯片拾取错误的产生。
图1为示出本发明实施方式的切割·芯片粘贴带的示意性构成的截面图。图2为用于说明切割·芯片粘贴带的示意性使用方法的图，其为在切割·芯片粘贴带上贴合半导体晶片的图。图3为用于说明图2的后续工序(切割工序)的图。
图4为用于说明图3的后续工序(扩张工序)的图。图5为用于说明图4的后续工序(拾取工序)的图。图6为拍摄出切割时所产生的切削屑堵塞在半导体芯片间的模式的电子显微镜照片。符号说明1半导体晶片2半导体芯片10切割·芯片粘贴带(晶片加工用胶带)11剥离衬垫12切割带(粘合带)12a支持基材12b粘合剂层13接合剂层20环形框架21薄型磨石22吸附台30上顶部件31 支杆(O )32吸附夹具
具体实施例方式下面基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。在本实施方式中，示例出切割·芯片粘贴带作为晶片加工用胶带进行说明。图1为示出本实施方式的切割·芯片粘贴带10的截面图。如图1所示，切割·芯片粘贴带10是在作为粘合带的切割带12上层积接合剂层 13而构成的，所述粘合带由支持基材12a以及在其上形成的粘合剂层12b构成的。在图1 中示出，为了对接合剂层13进行保护，在切割·芯片粘贴带10设有剥离衬垫11的状态。另外，粘合剂层12b可以由一层粘合剂层构成，也可以由二层以上粘合剂层进行层积而得到的结构来构成。此外，切割带12和接合剂层13可以结合使用工序或装置预先切断为预定形状 (预切，7。'J力夕卜)。另外，切割·芯片粘贴带10可以为对每一片半导体晶片进行切断的形态，其也可以为将多个所形成的长尺寸片材卷绕成卷筒状的形态。(切割·芯片粘贴带的使用方法)在半导体装置的制造工序中，切割·芯片粘贴带10如下进行使用。图2中示出了在切割 芯片粘贴带10上贴合半导体晶片1和环形框架20的状态。首先，如图2所示，将切割带12粘贴于环形框架20，将半导体晶片1贴合至接合剂层13。对它们的粘贴顺序并无限制，可以在将半导体晶片1贴合至接合剂层13后将切割带 12粘贴于环形框架20，也可以同时进行切割带12向环形框架20的粘贴以及半导体晶片1向接合剂层13的贴合。另外，使用高速旋转的薄型磨石21来实施半导体晶片1的切割工序(图3)。此时，将半导体晶片1与接合剂层13和粘合剂层12b —同进行切削分割，且将支持基材1 在厚度方向进行IOym 30μπι切削。另外，可以通过一次切削由半导体晶片1表面切削至规定的深度，也可以通过多次切削而切削至规定深度。具体地说，为了利用薄型磨石21对半导体晶片1和接合剂层13进行切割，通过吸附台22从切割带12侧对切割·芯片粘贴带10进行吸附支承。并且，利用高速旋转的薄型磨石21将半导体晶片1和接合剂层13切断为半导体芯片单元进行单片化。在切割带12的粘合剂层12b具有一层或者二层以上的结构、其中的至少一层由能量射线固化型粘合剂形成的情况下，优选在切割工序后通过由切割带12的下面侧(支持基材1 侧)照射能量射线，使粘合剂层12b发生固化，降低其粘合力。另外，粘合剂层12b由二层以上的粘合剂层通过层积进行构成的情况下，也可以各粘合剂层内的一层或全部的层由能量射线固化型粘合剂形成，通过能量射线照射进行固化，降低各粘合剂层内的该一层或全部的层的粘合力。此外，也可以代替能量射线的照射，通过加热等外部刺激来降低切割带12的粘合力。其后，如图4所示，将保持有经切割的半导体晶片1(即半导体芯片2)和经切割的接合剂层13的切割带12向环形框架20的径向进行拉伸来实施扩张工序。具体地说，针对保持有多个半导体芯片2和接合剂层13的状态的切割带12，使中空圆柱形状的上顶部件30从切割带12的下面侧上升，将切割带12向环形框架20的径向进行拉伸。由此，通过扩张工序，扩大了半导体芯片2彼此的间隔，切割工序中所产生的切削屑所致的半导体芯片2彼此的再粘接(再粘连)被破坏，可以防止拾取工序中的双芯片拾取错误的产生。在实施了扩张工序之后，如图5所示，在保持着切割带12扩张的状态下实施对半导体芯片2进行拾取的拾取工序。具体地说，利用支杆31将半导体芯片2从切割带12的下面侧向上顶，同时利用吸附夹具32从切割带12的上面侧吸附半导体芯片2，从而将半导体芯片2与接合剂层13 — 同进行拾取。然后，在实施了拾取工序之后，实施芯片粘贴工序。具体地说，利用在拾取工序中与半导体芯片2 —同被拾取的接合剂层13(粘接膜)，将半导体芯片2粘接至引线框架或封装基板等进行层积。下面对本实施方式的切割·芯片粘贴带10的各构成要件进行详细说明。(接合剂层)接合剂层13在与半导体晶片1等贴合并切割之后，拾取半导体芯片2时，其从切割带12剥离而附着于半导体芯片2，在将半导体芯片2固定于基板或引线框架等时接合剂层13作为接合剂进行使用。因而，在芯片粘贴工序中，为了将半导体芯片2粘接固定至基板或引线框架等，接合剂层13需要具有充分的粘接可靠性。
接合剂层13为对接合剂预先进行膜化而成的层，含有至少一种具有环氧基的化合物，此外可以根据需要含有公知的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸类树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂等或其混合物这样的高分子成分；无机填料；或固化促进剂。另外，为了提高对基板或引线框架等的粘接力，可以加入硅烷偶合剂或者钛偶合剂作为添加剂。作为上述具有环氧基的化合物，只要进行固化而呈现出粘接作用就没有特别限制，但优选以二官能团以上计不足500 5000的环氧树脂。作为这样的环氧树脂，可以举出例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、脂环式环氧树脂、脂肪族链状环氧树脂、线型酚醛环氧树脂、甲酚-线型酚醛环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、 联苯酚的二缩水甘油醚化物、萘二醇的二缩水甘油醚化物、苯酚类的二缩水甘油醚化物、醇类的二缩水甘油基醚化物以及他们的烷基取代物、卤化物、氢化物等二官能环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂。另外，也可以应用多官能环氧树脂或杂环含有环氧树脂等通常已知的物质。这些物质可以单独使用或两种以上组合使用。进一步地，在无损于特性的范围内，也可以以杂质的形式含有环氧树脂以外的成分。对接合剂层13的厚度没有特别限制，通常优选为5 ΙΟΟμπι左右。另外，接合剂层13可以层积在切割带12的整个面上，也可以层积预先切断(预切)成与所贴合的半导体晶片1的对应的形状的粘接膜，来形成接合剂层13。在层积对应于半导体晶片1的粘接膜的情况下，如图2所示，在贴合半导体晶片1的部分具有接合剂层 13，在贴合切割用的环形框架20的部分不存在有接合剂层13而仅存在有切割带12。一般来说，由于接合剂层13不易与被粘物相剥离，因而通过使用预切的粘接膜，可以将环形框架20与切割带12相贴合，可获得在使用后剥离带时不易在环形框架20上残留糊剂(糊残
)这样的效果。(切割带)切割带12是这样的带在切割半导体晶片1时，具有不会使半导体晶片1剥离这样充分的粘合力；在对切割后的半导体芯片2进行拾取时，具有能够容易地从接合剂层13 剥离这样的低粘合力，如图1所示，其为在支持基材1 上设有粘合剂层12b的结构。支持基材12a由将乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成。共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分数为以上且不足10%，并且离聚物树脂中的丙烯酸的中和度为50%以上。此处，对于共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分数，在支持基材12a由将乙烯-丙烯酸二元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成的情况下，将其按照下述结构式1中的“m · Mwm/ (η · Mwn+m · Mwm)，，进行规定。另外，在支持基材12a由将乙烯-甲基丙烯酸二元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成的情况下，将其按照下述结构式2中的“b · Mwb/ (a · Mwa+b · Mwb)，，进行规定。CN 102337089 A
说明书
8/15 页此外，在支持基材12a由将乙烯-丙烯酸-丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成的情况下，将其按照下述结构式3中的“m· Mwm/ (η · Mwn+m · Mwm+1 · Mw1) ”进行规定。此外，在支持基材12a由将乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成的情况下，将其按照下述结构式4中的“b · Mwb/ (a · Mwa+b · Mwb+c · Mwc) ”进行规定。另外，对于离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度，将其规定为离聚物树脂的 (甲基)丙烯酸部用金属离子进行离子化(中和)的程度(例如，日本Ideology学会志 Vol.32, No. 2，65-69，2004)。另外，m为下述结构式1或下述结构式3中的m(即丙烯酸的重复单元数)，b为下述结构式2或下述结构式4中的b (即甲基丙烯酸的重复单元数)。式1
权利要求
1.一种晶片加工用胶带，其为在由支持基材和粘合剂层构成的粘合带的该粘合剂层上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层的晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于上述支持基材由将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基) 丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；上述共聚物中的上述(甲基)丙烯酸成分的重量分数为以上且不足10%，并且上述离聚物树脂中的上述(甲基)丙烯酸的中和度为50%以上。
2.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述粘合剂层具有一层或者二层以上的结构，其中的至少一层由能量射线固化型粘合剂形成。
3.一种半导体加工方法，其为使用权利要求1或2所述的晶片加工用胶带的半导体加工方法，该半导体加工方法的特征在于，其具备如下工序将半导体晶片贴合至所述晶片加工用胶带的工序；接下来使用高速旋转的薄型磨石对所述半导体晶片以及所述晶片加工用胶带的所述接合剂层和所述粘合剂层进行切削，同时对该晶片加工用胶带的所述支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，对该半导体晶片和该接合剂层进行单片化的工序；以及然后，在上述晶片加工用胶带的上述粘合带扩张的状态下，一片片地拾取单片化的上述半导体晶片的工序。
4.如权利要求3所述的半导体加工方法，其特征在于所述支持基材的厚度为60 μ m以上；在所述单片化工序中，对所述支持基材在厚度方向切削10 30μπι。
全文摘要
本发明提供能够充分抑制拾取时半导体芯片彼此的再粘连的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加工方法。本发明的晶片加工用胶带为在作为由支持基材12a和粘合剂层12b构成的粘合带的切割带12的该粘合剂层12b上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层13的作为晶片加工用胶带的切割芯片粘贴带10，该晶片加工用胶带的特征在于支持基材12a由将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量份分数为1％以上且不足10％，并且离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度为50％以上。
文档编号C09J7/02GK102337089SQ20111018817
公开日2012年2月1日 申请日期2011年7月6日 优先权日2010年7月7日
发明者三原尚明, 盛岛泰正, 矢吹朗 申请人:古河电气工业株式会社