一种上蜡工艺的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮气枪，将芯片表面吹干净；将蜡棒和陶瓷盘加热至110℃，再将蜡滴涂在陶瓷盘上，每片消耗0.3g蜡；将芯片贴在陶瓷盘上，铺盖一定数量的无尘纸，压盘加压2min，压力0.6MPa；冷却至40℃，取出陶瓷盘，上蜡结束。发明工艺将上蜡温度及压力进一步精确保证上蜡的均匀性，同时能够有效的降低裂片率，保证了芯片的质量，从而提高了产品的利润。
【专利说明】—种上蜡工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种上蜡工艺，属于光电子领域。
【背景技术】
[0002]在LED生产领域中，为了提高芯片的散热，往往需要将芯片进行减薄，而减薄非常容易将本来就易碎的芯片磨碎，目前，通常在减薄前，将芯片通过特定的减薄蜡黏贴在陶瓷盘上，而目前上蜡工艺通常不是很完善，因此在减薄过程中，仍然出现大量的碎片。
【发明内容】
[0003]本发明针对现有技术存在的不足，提供一种上蜡工艺。
[0004]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下:
[0005](I)将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮气枪，将芯片表面吹干净；
[0006](2)将蜡棒和陶瓷盘加热至110°C，再将蜡滴涂在陶瓷盘上，每片消耗0.3g蜡；
[0007](3)将wafer贴在陶瓷盘上，铺盖无尘纸，压盘加压2min，压力0.6MPa ;
[0008](4)冷却至40°C，取出陶瓷盘，上蜡结束。
[0009]本发明的有益效果是:本发明工艺将上蜡温度及压力进一步精确保证上蜡的均匀性，同时能够有效的降低裂片率，保证了芯片的质量，从而提高了产品的利润。
【具体实施方式】
[0010]以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0011]一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下:
[0012](I)将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮气枪，将芯片表面吹干净；
[0013](2)将蜡棒和陶瓷盘加热至110°C，再将蜡滴涂在陶瓷盘上，每片消耗0.3g蜡；
[0014](3)将wafer贴在陶瓷盘上，铺盖无尘纸，压盘加压2min，压力0.6MPa ；
[0015](4)冷却至40°C，取出陶瓷盘，上蜡结束。
[0016]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下: (1)将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮气枪，将芯片表面吹干净； (2)将蜡棒和陶瓷盘加热至110°C，再将蜡滴涂在陶瓷盘上，每片消耗0.3g蜡； (3)将芯片贴在陶瓷盘上，铺盖无尘纸，压盘加压2min，压力0.6MPa ； (4)冷却至40°C，取出陶瓷盘，上蜡结束。
【文档编号】B05C1/02GK103811595SQ201210457559
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2012年11月15日 优先权日:2012年11月15日
【发明者】张恒 申请人:张恒